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公开(公告)号：CN117317025A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅MOSFET器件及制造方法、功率芯片。碳化硅MOSFET器件包括：碳化硅衬底、形成于碳化硅衬底的第一导电类型外延层和第二导电类型保护层、栅极、源极以及漏极，第二导电类型保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层包括纵向延伸区和横向延伸区，第一保护层的纵向延伸区与源极相接，第一保护层的横向延伸区横向延伸至第一导电类型外延层，第二保护层与第一保护层的纵向延伸区横向相接，第二保护层通过沟道区与源极相连，在第一保护层和第二保护层的作用下使第一导电类型外延层内形成纵向耗尽和横向耗尽的漂移区。本发明可以提高器件击穿电压同时降低导通电阻，提升器件的动态可靠性。
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公开(公告)号：CN117317025B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311589953.1
申请日：2023-11-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
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公开(公告)号：CN117706312A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311436497.7
申请日：2023-10-31
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种功率模块的循环试验装置及系统，属于半导体功率模块检测领域，该装置包括：控制装置，用于基于用户的触发指令生成升/降温控制信号；至少一个循环试验模块，每一循环试验模块包括：温度传感器，用于检测功率模块的温度，并输出模块温度信号；温控器，用于根据模块温度信号和升/降温控制信号，生成调温控制指令，并将调温控制指令发送至冷热板模块；冷热板模块，用于根据调温控制指令调节冷热板模块，使得设置在所述冷热板模块上的功率模块实现多个升/降温的温度循环。通过本发明提供的装置，能够准确控制升/降温度，使得试验温度达到试验要求，准确检测功率模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN118248739B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN118399776A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410477518.8
申请日：2024-04-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02M7/217 , H02M1/42 , H02M3/335 , H02M7/5387 , G01R31/26
摘要： 本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。
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公开(公告)号：CN118248739A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410669075.2
申请日：2024-05-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。
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公开(公告)号：CN118657318A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410686963.5
申请日：2024-05-30
申请人： 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06Q10/0631 , G06Q50/06 , G06F18/214 , G06F18/2415
摘要： 本公开提供了一种基于多时间尺度的变频空调负荷识别方法、装置及介质，所述方法包括：首先，在设定的高采样频率下，对总电源的电压和电流进行采样，得到电压和电流周期序列；并对每个周期的电压和电流数据，利用预设方法计算高频特征值，形成高频特征值序列；接着，在设定的低采样频率下，对电压和电流周期序列进行降采样计算，得到功率序列，并对高频特征值序列进行降采样计算得到低频特征值序列；将功率序列和低频特征值序列拼接，形成负荷特征向量，然后得到负荷特征数据；最后，利用变频空调负荷识别模型对负荷特征数据进行分析，确定变频空调的运行时间。本公开通过对变频空调负荷的有效识别可以实时监测用户的使用情况，提升了电网的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN117543606A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311486433.8
申请日：2023-11-08
申请人： 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网重庆市电力公司 , 国家电网有限公司
发明人： 刘型志 , 成涛 , 陆治军 , 王思韡 , 徐鸿宇 , 要文波 , 田娟 , 邹波 , 程瑛颖 , 陈文礼 , 万树伟 , 米思蓓 , 何珉 , 杨芾藜 , 谢广成 , 曾妍 , 苏宇 , 王蕊
摘要： 本申请公开了一种基于大数据推演的节点等效视在功率评估方法及装置，涉及电力系统技术领域，解决了目前存在采用简单统计或线性模型无法反应出电力系统存在的各种问题，导致对计量节点的等效视在功率状态的评估不准确的问题。该方法包括：确定等效视在功率的多元线性模型，将当前负序电流不平衡度的数值、当前谐波电压畸变率的数值和当前谐波电流畸变率的数值输入多元线性模型中，得到当前等效视在功率预测值，基于当前有功功率的数值和当前等效视在功率预测值确定待评估计量节点的功率因数，当检测到功率因数未达到目标阈值时，则确定待评估计量节点的功率因素过低。
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公开(公告)号：CN112630525B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011393352.X
申请日：2020-11-30
申请人： 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 重庆大学 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R21/00
摘要： 本发明公开了一种功率测量方法、装置、PCB电路结构及存储介质，包括将输入电压转换为目标脉宽调制脉冲波；利用输入电流对所述目标脉宽调制脉冲波进行调制，以获得目标电压信号；将所述目标电压信号转换为指定频率的脉冲输出，以完成功率测量。本发明将输入电压转换为目标脉宽调制脉冲波；利用输入电流对目标脉宽调制脉冲波进行调制，以获得目标电压信号；将目标电压信号转换为指定频率的脉冲输出，本发(56)对比文件Lu Zhiguo, Zhao Lili, Zhu Wanping, WuChunjun.Analysis and Simulation of 3P-Bridge Cascaded Multilevel PWMConverter.2012 IEEE 7th InternationalPower Electronics and Motion ControlConference - ECCE Asia.2012,1120-1124.
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公开(公告)号：CN112630525A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011393352.X
申请日：2020-11-30
申请人： 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 重庆大学 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R21/00
摘要： 本发明公开了一种功率测量方法、装置、PCB电路结构及存储介质，包括将输入电压转换为目标脉宽调制脉冲波；利用输入电流对所述目标脉宽调制脉冲波进行调制，以获得目标电压信号；将所述目标电压信号转换为指定频率的脉冲输出，以完成功率测量。本发明将输入电压转换为目标脉宽调制脉冲波；利用输入电流对目标脉宽调制脉冲波进行调制，以获得目标电压信号；将目标电压信号转换为指定频率的脉冲输出，本发明方法能够优化电路结构设计，提高功率测量精度。
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