公开(公告)号：CN114864666A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN114864666B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN114823482A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210698562.2

申请日：2022-06-20

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  吴波 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成第一衬垫层和第二衬垫层；以图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀第一衬垫层和第二衬垫层以形成场氧的开口；对衬底进行热氧化处理，以在开口内形成场氧；去除第二衬垫层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除第一衬垫层；对衬底再次进行热氧化处理，形成牺牲氧化层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除牺牲氧化层。本公开解决了现有LDMOS制造工艺中，在相关步骤会消耗场氧而造成场氧上表面的厚度减少进而导致击穿电压降低的技术问题，提高了LDMOS器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN116525660B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310798838.9

申请日：2023-07-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  朱松超 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永锋 ,  鹿祥宾 ,  郁文 ,  张东

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括：半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，氧化层、漂移区以及体区构成场板结构。氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层，第一氧化层与体区相接，作为纵向栅与体区之间的栅氧化层；第二氧化层与阱区相接，作为纵向栅与阱区之间的场板隔离介质层；第三氧化层与漂移区相接，作为纵向栅与漂移区之间的场板隔离介质层。本发明通过纵向栅氧结构提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片面积。

公开(公告)号：CN116525659B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310798837.4

申请日：2023-07-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永锋 ,  鹿祥宾 ,  刘倩倩 ,  郁文 ,  邵亚利

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片。纵向栅LDMOSFET器件包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于所述体区与所述漂移区之间的氧化层，以及纵向设置于体区的纵向栅结构；所述氧化层和所述纵向栅结构均与所述阱区相接，所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区与所述氧化层以及所述漂移区构成第一场板结构；所述纵向栅结构包括纵向栅以及栅氧化层，所述纵向栅以及位于纵向栅底部的栅氧化层与所述阱区构成第二场板结构。本发明通过纵向设置氧化层和纵向栅结构，形成双场板结构，提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片所占面积，降低成本。

公开(公告)号：CN114864681A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210810576.9

申请日：2022-07-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 吴波 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  余山 ,  王帅鹏

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的具有特定开口的场氧化层；以及设于所述P型体区与所述场氧化层上的栅极，其中，所述特定开口的一侧超过所述栅极同侧的外沿，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度在预设范围内。本发明有效地改善了击穿电压和导通电阻互相矛盾的问题，能够提高NLDMOS器件的击穿电压并且降低NLDMOS器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN114823482B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210698562.2

申请日：2022-06-20

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  吴波 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成第一衬垫层和第二衬垫层；以图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀第一衬垫层和第二衬垫层以形成场氧的开口；对衬底进行热氧化处理，以在开口内形成场氧；去除第二衬垫层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除第一衬垫层；对衬底再次进行热氧化处理，形成牺牲氧化层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除牺牲氧化层。本公开解决了现有LDMOS制造工艺中，在相关步骤会消耗场氧而造成场氧上表面的厚度减少进而导致击穿电压降低的技术问题，提高了LDMOS器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN116525660A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310798838.9

申请日：2023-07-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  朱松超 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永锋 ,  鹿祥宾 ,  郁文 ,  张东

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅氧结构的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括：半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于漂移区与体区之间的纵向栅氧结构，纵向栅氧结构包括纵向栅以及包覆于纵向栅的氧化层，氧化层、漂移区以及体区构成场板结构。氧化层包括第一氧化层、第二氧化层以及第三氧化层，第一氧化层与体区相接，作为纵向栅与体区之间的栅氧化层；第二氧化层与阱区相接，作为纵向栅与阱区之间的场板隔离介质层；第三氧化层与漂移区相接，作为纵向栅与漂移区之间的场板隔离介质层。本发明通过纵向栅氧结构提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片面积。

公开(公告)号：CN116525659A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310798837.4

申请日：2023-07-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永锋 ,  鹿祥宾 ,  刘倩倩 ,  郁文 ,  邵亚利

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片。纵向栅LDMOSFET器件包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于所述体区与所述漂移区之间的氧化层，以及纵向设置于体区的纵向栅结构；所述氧化层和所述纵向栅结构均与所述阱区相接，所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区与所述氧化层以及所述漂移区构成第一场板结构；所述纵向栅结构包括纵向栅以及栅氧化层，所述纵向栅以及位于纵向栅底部的栅氧化层与所述阱区构成第二场板结构。本发明通过纵向设置氧化层和纵向栅结构，形成双场板结构，提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片所占面积，降低成本。