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公开(公告)号：CN120073267A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510227236.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种片上太赫兹耦合器芯片，由F‑P谐振腔、弯曲波导、锥型耦合波导、衬底结构组成，F‑P谐振腔由左右对称的布拉格光栅和位于中间的单模波导构成，用于对特定频率的信号产生谐振，实现滤波的效果；弯曲波导，用于传输太赫兹信号，其两端为锥型耦合波导，锥形耦合波导作为信号的输入和输出端口；衬底，用于固定F‑P谐振腔和弯曲波导。本发明耦合器芯片实现太赫兹高效耦合的同时，还能控制太赫兹波的传播，实现不同波段的滤波，该耦合器芯片结构实现了片上波导集成，提高了滤波选择性、降低了插入损耗、增强了带外抑制，并且实现大规模制造。
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公开(公告)号：CN120065630A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510256897.2
申请日：2025-03-05
Abstract: 本发明提供了一种空气桥微结构芯片的光刻掩模方法，通过控制所述第一光刻胶的旋涂和软烘条件，无需灰度曝光技术也可实现光刻后的梯形剖面；由于所述第一光刻胶和所述第二光刻胶工艺兼容，因此一次曝光和显影可以同时实现图形的精确转移、支撑层或剥离层的形成，工艺操作简单，工艺条件宽松；利用本申请提供的掩模进行金属沉积，可以在保证空气桥桥墩与所述衬底的粘附性的同时，避免拱形支撑层被金属膜全方位覆盖导致无法剥离。
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公开(公告)号：CN119753605A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411858793.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用，该方法首先绘制氮化物薄膜的磁控溅射模式随溅射电流以及氩氮比变化的分布相图，并根据溅射电压随溅射电流的变化趋势，将磁控溅射模式划分为金属模式、竞争模式和中毒模式；然后选取相图中的一条磁控溅射伏安曲线，取不同磁控溅射模式下的典型工作条件生长氮化物薄膜；观察氮化物薄膜晶相以及电学特性分布，确定制备高阻超导氮化物薄膜的基本工作模式；最后根据基本工作模式的边界条件，生长高阻超导氮化物薄膜。本发明提出一种普适性的制备高阻超导氮化物薄膜的方法，制备的高阻值超导氮化铌薄膜具有显著高于目前氮化铌薄膜材料的电阻率，为制备高饱和量子效率的SNSPD探测提供有利保障。
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公开(公告)号：CN119381725A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411533417.4
申请日：2024-10-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明提出了一种太赫兹可调衰减器，包括衰减功能芯片和芯片封装盒，衰减功能芯片包括回音壁模式微环波导、两个电接触电极、加热电极、直波导、第一锥形耦合波导、第二锥形耦合波导和衬底，其中：直波导位于回音壁模式微环波导的一侧，回音壁模式微环波导和直波导构成了回音壁模式微环谐振腔；接触电极、加热电极和接触电极依次相连接，形成三段电极结构，集成在回音壁模式微环波导上；第一、二锥形耦合波导位于直波导两端；衬底用于集成制备回音壁模式微环波导、电接触电极、加热电极、直波导和第一、二锥形耦合波导。本发明提升了动态调节太赫兹信号的能力，实现了不同强度的太赫兹信号的衰减。
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公开(公告)号：CN118299901A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410256839.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器及幅值增强方法，具体涉及太赫兹发射技术领域。本发明提供反铁磁自旋电子太赫兹发射器包括单晶衬底、反铁磁材料层和重金属材料层。通过使用加热的方法，能够使反铁磁材料层与重金属材料层之间的界面平整，达到增强反铁磁自旋电子太赫兹波发射器输出的太赫兹波幅值的目的。反铁磁自旋电子太赫兹波发射器具有稳定、抗外磁场干扰等优势，通过加热实现界面的优化，丰富了现有对自旋电子太赫兹波发射器的调控手段，可以实现基于反铁磁的自旋电子学器件的大规模集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117559928A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311570060.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高动态范围亚GHz约瑟夫森参量放大器装置，包括参量放大器装置电路，其包括集总电容电感谐振器、耦合电容器、直流偏置线；集总电容电感谐振器包括集总谐振电容器、集总电感线及铝结环阵列，铝结环阵列镶嵌于集总电感线，集总电感线的末端耦合有直流偏置线；铝结环阵列包括N个串联设置的环路，每个环路中M个串联连接的约瑟夫森大结和一约瑟夫森小结并联；调整环路的数量N、约瑟夫森大结的电感值以及所有约瑟夫森大结与约瑟夫森小结之间的结电感比，在外部磁通量调控下设置铝结环阵列的电感值，进而设置装置的工作频率范围。本装置能够解决亚GHz频段微弱信号的超低噪声放大，能够应用于太赫兹纳米测辐射热计读出。
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公开(公告)号：CN115939262B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN117030014A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311115904.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明公开了太赫兹天线探测单元、谐振探测单元及阵列式探测装置。其中，谐振探测单元包括谐振单元和天线探测单元。其中天线探测单元包括天线、超导量子电容探测器和栅极电容器。超导量子电容探测器包括准粒子库、约瑟夫森结和超导岛。准粒子库以耦合方式耦合连接天线的馈电部，并通过约瑟夫森结连接超导岛，超导岛连接栅极电容器，并经栅极电容器连接谐振单元。谐振单元包括叉指电容和线体之字走位沟组的电感所组成。本发明通过探测超导岛电荷数奇偶状态实现对太赫兹信号的探测，具有极高的灵敏度，能够对极其微弱的太赫兹信号进行探测，甚至能够对太赫兹单光子计数。
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公开(公告)号：CN116429248A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310343371.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多通道超导单光子探测器的三级预冷低温恒温器，包括真空罩、GM制冷机二级气缸、GM制冷机一级气缸、GM制冷机冷头、一级预冷结构、二级预冷结构、三级预冷结构、低温射频同轴线、用于放置超导单光子探测器的样品台；一级预冷结构、二级预冷结构和三级预冷结构从下至上依次设置在真空罩内部；本发明通过三级预冷的方式，使样品台温度不受射频同轴线数量增加而升高，确保样品台的温度稳定在探测器的工作温度，使探测器能够持续稳定的工作在最佳状态。
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公开(公告)号：CN111675199B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010417882.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高深宽比超导氮化铌纳米线及制备方法和应用，采用优化的镀膜技术在衬底表面沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜表面旋涂电子束抗刻蚀剂，形成电子束抗刻蚀剂层；采用电子束曝光技术在电子束抗刻蚀剂层上定义氮化铌纳米线图形；采用反应离子刻蚀技术将图形转移到氮化铌薄膜上，得到高深宽比超导氮化铌纳米线。本发明通过将电子束曝光系统和反应离子刻蚀相结合的微纳加工技术，成功制备出了膜厚纳米线，深宽比超过1∶1的超导氮化铌纳米线，可应用与高性能全波段光子探测器和其他相关领域的研究。
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