一种晶体管弯折整形加工装置及方法

    公开(公告)号:CN118371627A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410278892.5

    申请日:2024-03-12

    摘要: 本发明公开了一种晶体管弯折整形加工装置及方法,属于晶体管加工技术领域,包括基台、基台固定连接的第一支架与第二支架;基台上由左至右依次设置有直线上料器、供料槽、托料架和接料箱,移料机构和固定机构位于托料架的前侧并固定安装在基台上,成型机构安装在第二支架上位于托料架的后侧,供料槽和托料架上设置有分料机构;成型机构包括凸轮驱动结构、剪脚组件和弯折组件。通过上述方式,在本发明中,移料机构同时将每个工位的晶体管移送至其下一个工位,固定机构和托料架配合将晶体管固定,实现对晶体管的精度定位;三组凸轮驱动结构由同一个动力驱动,保证剪脚组件、弯折组件和成品分料组件的同步性,进而大大增加了加工效率和加工加工精度。

    一种真空晶体管及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116666176A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310754505.6

    申请日:2023-06-26

    摘要: 本发明提供一种真空晶体管,包括基板、阳极、第一介质层、第二介质层、阴极、栅极和真空沟道,所述第一介质层设于阴极和阳极之间,所述第二介质层设于栅极和基板之间,所述真空沟道设于阴极与栅极之间,通过对阳极、阴极和栅极施加规定的电压,从而使得阴极和第一介质层的界面处形成二维电子气系统,并使得电子气中靠近真空沟道边缘处的电子在易于发射出阴极表面,在电场作用下发射至真空沟道中,被阳极收集,形成沟道电流。本发明将晶体管结构内的栅极和阴极、阳极交叠面积大幅减小,有效地减小了栅极输入电容,从而提高器件截止频率。

    一种基于向量化技术的彩色图像并行加密方法

    公开(公告)号:CN116389652A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310378435.9

    申请日:2023-04-11

    IPC分类号: H04N1/44 H04L9/00

    摘要: 本发明提供一种基于向量化技术的彩色图像并行加密方法,包括以下步骤:将彩色图像分离成三个分量,对三个分量进行水平拼接,得到一个像素矩阵;利用彩色图像的哈希值和外部密钥,提取初始状态和预迭代次数;根据初始状态和预迭代次数,生成扩散密钥矩阵;根据初始状态和预迭代次数,得到置乱密钥;根据初始状态和预迭代次数,得到初始向量密钥;利用三组密钥对像素矩阵分别进行四轮同步置乱和扩散;将置乱和扩散后的密文图像分割组合,得到彩色密文图像。本发明通过将三个颜色分量在水平和垂直方向上进行拼接后实现了颜色分量之间和颜色分量内部的充分置乱和扩散,平衡了加密强度和加密效率,显著的优于现存的方案。

    危废液萃取浓缩工艺装置

    公开(公告)号:CN112979029B

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202110138729.5

    申请日:2021-01-26

    摘要: 本发明公开一种危废液萃取浓缩工艺装置,包括危险废弃液循环系统、萃取空气循环系统、热泵系统和数据采集系统四部分。危险废弃液循环系统主要由萃取塔、布液器、废液等组成。萃取塔中的填料为双层半透薄膜制成的中空波纹膜,中空波纹膜具有多条平行设置的竖向管路,相邻管路之间是两层粘连薄膜。危废液在竖向管路内部自上而下行走,水汽从半透膜的微孔中排出。本发明处理后的危废液浓缩程度高、总量少,获得的清液中危废成分少,后期委外处理成本低。

    一种基于计数器模式的多图像批处理加密方法

    公开(公告)号:CN118612356A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410992167.4

    申请日:2024-07-23

    IPC分类号: H04N1/44 H04L9/00 H04L9/06

    摘要: 本发明提供一种基于计数器模式的多图像批处理加密方法,包括以下步骤:利用多明文图像的会话密钥和轮密钥,分别提取混沌系统的初始状态;读取计算多明文图像中四幅明文图像并获取最大的行列值;利用扩散混沌系统的初始状态生成Hmax×Wmax的扩散密钥矩阵;利用初始向量混沌系统的初始状态得到长度为Wmax的初始向量密钥;利用置乱混沌系统的初始状态得到长度分别为Wmax和Hmax的用于行列置乱的密钥流;开启四个线程,同步完成四幅图像的加密,得到密文图像;更新轮密钥,重复上述步骤,直至将待加密的多明文图像加密完成后结束。本发明兼顾海量图像加密场景中的加密效率和强度,且不会增加密钥传输的负担,具有较高的实用性。

    一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN115497785B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202211107704.X

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: H01J21/10 H01J21/14 H01J9/00

    摘要: 本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法,包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道,电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置,沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二,多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构,所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构,有效减小栅极泄露电流;多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积,提升同等尺寸晶体管的沟道电流。

    一种半导体真空二极管
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113410110B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202110513830.4

    申请日:2021-05-07

    摘要: 本发明公开了一种半导体真空二极管,由电极A、介电体、半导体电极B三种材料层依次叠置而成,电极A为功函数较低的金属材质,介电体中间具有一个贯通的真空通道,电极B为重掺杂半导体材质;使用时,电极A、电极B分别连接直流电源的一个电极。本发明的二极管具有在高温高辐射环境下工作性能稳定,激发电子较多电流较大,对制备工艺中介质层膜厚工艺偏差容忍度高等优点。

    一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN115497785A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202211107704.X

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: H01J21/10 H01J21/14 H01J9/00

    摘要: 本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法,包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道,电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置,沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二,多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构,所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构,有效减小栅极泄露电流;多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积,提升同等尺寸晶体管的沟道电流。

    热媒流态变化对换热系数影响的鉴别装置

    公开(公告)号:CN113049283A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110289010.1

    申请日:2021-03-09

    IPC分类号: G01M99/00 G01M10/00 G01N25/48

    摘要: 本发明公开了一种热媒流态变化对换热系数影响的鉴别装置,由流体循环系统、脉管制冷机组、数据采集系统构成,流体循环系统含有依次联通的部件:测试段、冷却段、传送泵、流量计、预热段、测试段;测试段由可视化测试管段和图像处理软件两部分组成,其中的可视管段开头部分的外壁环形设置多片紧密靠拢的电热片,各个电热片为并联。本发明可以自动调节流体在各段管路中温度和测试段流体中气泡的大小、数量,结合图像采集和数据分析,能够获得不同流态的热力学多种数据。

    半导体真空二极管温度传感器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113884203A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202111029625.7

    申请日:2021-08-30

    IPC分类号: G01K7/01

    摘要: 本发明公开了一种半导体真空二极管温度传感器,具有两个半径不同的真空沟道半导体二极管D1、D2,另有两个相同的晶体管T1、T2提供相同电流的电流源;T1、T2的基极相连,T1、T2的发射极相连,T1的集电极与D1的正极相连,T2的集电极与D2的正极相连;D1与D2的负极相连并接地,D1与D2的正极分别依次连接电压跟随单元、电压反向单元、电压均方根单元;两个电压均方根单元之间采用电阻R4连接,其两端电压Uout。本发明的二极管感测的环境温度T与Uout成正比例关系,而且测量或计算精度高。