公开(公告)号：CN104919537B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201380070253.X

申请日：2013-12-06

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： T.希克坦兹 ,  H-J.保罗 ,  C.扎克齐克

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70316 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067

Abstract: EUV反射镜包括基板和施加在所述基板上的多层布置，所述多层布置对于具有来自极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射有反射效应，并包含具有交替层的多个层对，所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料。多层布置具有：周期性第一层组(LG1)，具有第一数目N1＞1的第一层对，所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近，并具有第一周期厚度P1；周期性第二层组(LG2)，具有第二数目N2＞1的第二层对，所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间，并具有第二周期厚度P2；以及第三层组(LG3)，具有第三数目N3的第三层对，所述第三层对布置在所述第一层组和所述二层组之间。所述第一数目N1大于所述第二数目N2。所述第三层组具有平均第三周期厚度P3，所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM＝(P1+P2)/2偏差周期厚度差ΔP，其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商，其中，AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角。

公开(公告)号：CN104919537A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380070253.X

申请日：2013-12-06

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： T.希克坦兹 ,  H-J.保罗 ,  C.扎克齐克

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G03F7/70316 ,  B82Y10/00 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/702 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067 ,  G21K1/067

Abstract: EUV反射镜包括基板和施加在所述基板上的多层布置，所述多层布置对于具有来自极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射有反射效应，并包含具有交替层的多个层对，所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料。多层布置具有：周期性第一层组(LG1)，具有第一数目N1＞1的第一层对，所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近，并具有第一周期厚度P1；周期性第二层组(LG2)，具有第二数目N2＞1的第二层对，所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间，并具有第二周期厚度P2；以及第三层组(LG3)，具有第三数目N3的第三层对，所述第三层对布置在所述第一层组和所述二层组之间。所述第一数目N1大于所述第二数目N2。所述第三层组具有平均第三周期厚度P3，所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM＝(P1+P2)/2偏差周期厚度差ΔP，其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商，其中，AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角。