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公开(公告)号：CN106104317B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580011909.X
申请日：2015-03-02
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(1)，包括：基板(2)、施加到基板(2)的涂层(3，9，5)，其中，涂层(3，9，5)包括：反射多层涂层(5b)，其实施用于反射具有一使用波长(λEUV)的辐射(4)；以及抗反射涂层(3)，其布置在该基板(2)和该反射多层涂层(5b)之间，用于抑制对具有与该使用波长(λEUV)不同的加热波长(λH)的加热辐射(7)的反射。本发明还涉及一种光学布置，其包括至少一个这种光学元件(1)和用于光学元件(1)的热操纵的至少一个装置，该装置包括至少一个加热光源(8)，用于产生加热辐射(7)。
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公开(公告)号：CN109478020A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780042774.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B17/0663 , G02B5/0891 , G03F7/702 , G03F7/70233 , G03F7/70958
Abstract: 一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7)，具有用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10)。反射镜中的至少一个反射镜(M1，M9，M10)实施为NI反射镜且反射镜中的至少一个反射镜(M2至M8)实施为GI反射镜。在垂直于入射平面(yz)的范围平面(xz)中的至少一个NI反射镜的反射镜尺寸Dx满足以下关系：4LLWx/IWPVmax＜Dx。在入射平面(yz)中的至少一个GI反射镜的反射镜尺寸Dy满足以下关系：4LLWy/(IWPVmax cos(a))＜Dy。在此处，LLWx及LLWy表示投射光学单元(7)在范围平面(xz)及在入射平面(yz)中的光展量，且IWPVmax表示在NI反射镜(M1，M9，M10)的反射表面上及在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的照明光(3)的最大入射角与最小入射角之间的最大差异。a表示在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的中心场点的主射线(16)的入射角。这产生了可优化的投射光学单元，特别是针对非常短的EUV照明光波长。
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公开(公告)号：CN106104317A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580011909.X
申请日：2015-03-02
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(1)，包括：基板(2)、施加到基板(2)的涂层(3，9，5)，其中，涂层(3，9，5)包括：反射多层涂层(5b)，其实施用于反射具有一使用波长(λEUV)的辐射(4)；以及抗反射涂层(3)，其布置在该基板(2)和该反射多层涂层(5b)之间，用于抑制对具有与该使用波长(λEUV)不同的加热波长(λH)的加热辐射(7)的反射。本发明还涉及一种光学布置，其包括至少一个这种光学元件(1)和用于光学元件(1)的热操纵的至少一个装置，该装置包括至少一个加热光源(8)，用于产生加热辐射(7)。
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公开(公告)号：CN104919537B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380070253.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G03F7/70316 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F7/702 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: EUV反射镜包括基板和施加在所述基板上的多层布置，所述多层布置对于具有来自极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射有反射效应，并包含具有交替层的多个层对，所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料。多层布置具有：周期性第一层组(LG1)，具有第一数目N1＞1的第一层对，所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近，并具有第一周期厚度P1；周期性第二层组(LG2)，具有第二数目N2＞1的第二层对，所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间，并具有第二周期厚度P2；以及第三层组(LG3)，具有第三数目N3的第三层对，所述第三层对布置在所述第一层组和所述二层组之间。所述第一数目N1大于所述第二数目N2。所述第三层组具有平均第三周期厚度P3，所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM＝(P1+P2)/2偏差周期厚度差ΔP，其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商，其中，AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角。
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公开(公告)号：CN102640057B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080053872.4
申请日：2010-09-16
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B17/0892 , G02B13/14 , G02B17/08 , G02B17/0896 , G03F1/26 , G03F7/702 , G03F7/70225 , G03F7/70258 , G03F7/70266 , G03F7/70275 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F7/70441 , G03F7/70791
Abstract: 一种折反射投射物镜具有多个透镜以及至少一凹面镜(CM)，还有两个偏转镜(FM1,FM2)，从而将从物场到凹面镜的部分光束路径与从凹面镜到像场的部分光束路径分开。偏转镜相对于投射物镜的光轴(OA)绕着平行于第一方向(x方向)的倾斜轴倾斜。第一偏转镜设置成光学邻近于第一场平面，而第二偏转镜设置成光学邻近于第二场平面，第二场平面与第一场平面光学共轭。设置在所述场平面之间的光学成像系统，在第一方向具有接近于-1的成像比例。提供位移装置(DISX)，用于偏转镜(FM1、FM2)在第一位置和第二位置之间平行于第一方向的同步位移，第二位置相对于第一位置偏移了一位移距离。通过投射物镜的投射辐射束在偏转镜的第一位置于第一反射区反射，并且在偏转镜的第二位置于第二反射区反射，第二反射区相对于第一反射区平行第一方向横向偏移了此位移距离。偏转镜在第一反射区和第二反射区具有不同的反射特性局部分布。由此可主动操纵场效果(例如场均匀性)或主动操纵波前。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104136999B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380008896.1
申请日：2013-02-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B17/0892 , B82Y10/00 , G02B17/0896 , G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G21K1/062 , Y10T29/49826
Abstract: 一种投射镜头(PO)，该投射镜头利用具有来自极紫外范围(EUV)的工作波长λ的电磁辐射，将布置在该投射镜头的物平面(OS)中的图案成像于该投射镜头的像平面(IS)中，该投射镜头包含多个反射镜(M1‑M6)，该多个反射镜具有反射镜表面，该反射镜表面布置在该物平面及该像平面之间的投射光束路径中，使得可利用该反射镜将布置在该物平面中的图案成像于该像平面中。分配的波前校正装置(WFC)包含膜元件(FE)，该膜元件具有一膜，该膜在波前校正装置的操作模式中布置在投射光束路径中且在工作波长λ透射照在光学使用区中的EUV辐射的主要部分。该膜元件包含：第一层，其由具有第一复数折射率n1＝(1‑δ1)+iβ1的第一层材料构成且具有在使用区上根据第一层厚度分布局部改变的第一光学层厚度；以及第二层，其由具有第二复数折射率n2＝(1‑δ2)+iβ2的第二层材料构成且具有在使用区上根据第二层厚度分布局部改变的第二光学层厚度，其中该第一层厚度分布与该第二层厚度分布不同。第一折射率的实部与1的偏差δ1相对于第一层材料的吸收系数β1较大，第二折射率的实部与1的偏差δ2相对于第二层材料的吸收系数β2较小。
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公开(公告)号：CN104919537A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380070253.X
申请日：2013-12-06
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G03F7/70316 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G03F7/702 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , G21K1/067
Abstract: EUV反射镜包括基板和施加在所述基板上的多层布置，所述多层布置对于具有来自极紫外范围(EUV)的波长λ的辐射有反射效应，并包含具有交替层的多个层对，所述交替层包含高折射率层材料和低折射率层材料。多层布置具有：周期性第一层组(LG1)，具有第一数目N1＞1的第一层对，所述第一层对布置在所述多层布置的辐射入射侧附近，并具有第一周期厚度P1；周期性第二层组(LG2)，具有第二数目N2＞1的第二层对，所述第二层对布置在所述第一层组和所述基板之间，并具有第二周期厚度P2；以及第三层组(LG3)，具有第三数目N3的第三层对，所述第三层对布置在所述第一层组和所述二层组之间。所述第一数目N1大于所述第二数目N2。所述第三层组具有平均第三周期厚度P3，所述平均第三周期厚度与平均周期厚度PM＝(P1+P2)/2偏差周期厚度差ΔP，其中所述周期厚度差ΔP基本上对应于四分之一波层的光学层厚度λ/4与所述第三数目N3和cos(AOIM)之乘积的商，其中，AOIM是设计所述多层布置所针对的平均入射角。
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公开(公告)号：CN104136999A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380008896.1
申请日：2013-02-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B17/0892 , B82Y10/00 , G02B17/0896 , G03F7/70191 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G21K1/062 , Y10T29/49826
Abstract: 一种投射镜头(PO)，该投射镜头利用具有来自极紫外范围(EUV)的工作波长λ的电磁辐射，将布置在该投射镜头的物平面(OS)中的图案成像于该投射镜头的像平面(IS)中，该投射镜头包含多个反射镜(M1-M6)，该多个反射镜具有反射镜表面，该反射镜表面布置在该物平面及该像平面之间的投射光束路径中，使得可利用该反射镜将布置在该物平面中的图案成像于该像平面中。分配的波前校正装置(WFC)包含膜元件(FE)，该膜元件具有一膜，该膜在波前校正装置的操作模式中布置在投射光束路径中且在工作波长λ透射照在光学使用区中的EUV辐射的主要部分。该膜元件包含：第一层，其由具有第一复数折射率n1＝(1-δ1)+iβ1的第一层材料构成且具有在使用区上根据第一层厚度分布局部改变的第一光学层厚度；以及第二层，其由具有第二复数折射率n2＝(1-δ2)+iβ2的第二层材料构成且具有在使用区上根据第二层厚度分布局部改变的第二光学层厚度，其中该第一层厚度分布与该第二层厚度分布不同。第一折射率的实部与1的偏差δ1相对于第一层材料的吸收系数β1较大，第二折射率的实部与1的偏差δ2相对于第二层材料的吸收系数β2较小。
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公开(公告)号：CN109478020B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201780042774.2
申请日：2017-06-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7)，具有用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10)。反射镜中的至少一个反射镜(M1，M9，M10)实施为NI反射镜且反射镜中的至少一个反射镜(M2至M8)实施为GI反射镜。在垂直于入射平面(yz)的范围平面(xz)中的至少一个NI反射镜的反射镜尺寸Dx满足以下关系：4LLWx/IWPVmax＜Dx。在入射平面(yz)中的至少一个GI反射镜的反射镜尺寸Dy满足以下关系：4LLWy/(IWPVmax cos(a))＜Dy。在此处，LLWx及LLWy表示投射光学单元(7)在范围平面(xz)及在入射平面(yz)中的光展量，且IWPVmax表示在NI反射镜(M1，M9，M10)的反射表面上及在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的照明光(3)的最大入射角与最小入射角之间的最大差异。a表示在GI反射镜(M2至M8)的反射表面上的中心场点的主射线(16)的入射角。这产生了可优化的投射光学单元，特别是针对非常短的EUV照明光波长。
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公开(公告)号：CN103842883B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201280047616.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70233 , G02B17/06 , G02B17/0663 , G03F7/7015 , G03F7/70566
Abstract: 一种反射式成像光学单元(7)，具有至少四个反射镜(M1至M4)，该反射镜将物平面(5)中的物场(4)成像于像平面(9)中的像场(8)中。利用中心物场点的主光线(16)在该反射镜之一(M1)处的反射期间的传播，指定该光学单元的第一主光线平面(yz)。利用中心物场点的主光线(16)在其它反射镜之一(M3、M4)处的反射期间的传播，指定该光学单元的第二主光线平面(xz)。这两个主光线平面(yz、xz)包括不同于0的角度。在一替代或附加方面，通过像场(8)考虑，该成像光学单元(7)具有最大衰减率(D)为10％或具有针对分别考虑的照明角优选切向偏振成像光的衰减率。这两个方面的结果是在成像光在成像光学单元反射镜处反射期间减少恼人的偏振影响的成像光学单元。
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