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公开(公告)号：CN105631087A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510666871.1
申请日：2015-10-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5072 , G06F17/5081
摘要： 至少部分地通过处理器实施的方法包括实施气隙插入工艺。气隙插入工艺包括按顺序排序集成电路的布局的多个网络，以及根据多个网络的排序顺序邻近多个网络插入气隙图案。该方法还包括生成集成电路的修改布局。修改布局包括多个网络和插入的气隙图案。本发明的实施例还涉及用于集成电路布局生成的方法、器件和计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN105631087B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510666871.1
申请日：2015-10-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 至少部分地通过处理器实施的方法包括实施气隙插入工艺。气隙插入工艺包括按顺序排序集成电路的布局的多个网络，以及根据多个网络的排序顺序邻近多个网络插入气隙图案。该方法还包括生成集成电路的修改布局。修改布局包括多个网络和插入的气隙图案。本发明的实施例还涉及用于集成电路布局生成的方法、器件和计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN101369290B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810126246.8
申请日：2008-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G01R31/2853 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种取得集成电路内寄生接触/介层电容的系统及方法。使用本系统的寄生取得考虑实际接触/介层形状及尺寸变化，可导致接触/介层寄生电容取得的准确性改善。各种实施例的相同特征为包含产生一技术档案之步骤，其中电容表中的接触/介层电容由一有效接触/介层宽度表导出。校准此有效接触/介层宽度表的每一要素，以具有与IC中一实际接触/介层结构的寄生电容匹配的一寄生电容。
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公开(公告)号：CN101369290A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810126246.8
申请日：2008-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G01R31/2853 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种取得集成电路内寄生接触/介层电容的系统及方法。使用本系统的寄生取得考虑实际接触/介层形状及尺寸变化，可导致接触/介层寄生电容取得的准确性改善。各种实施例的相同特征为包含产生一技术档案之步骤，其中电容表中的接触/介层电容由一有效接触/介层宽度表导出。校准此有效接触/介层宽度表的每一要素，以具有与IC中一实际接触/介层结构的寄生电容匹配的一寄生电容。
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