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公开(公告)号：CN119144332A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411284030.X
申请日：2024-09-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了一种海胆状ZnSe/ZnS量子点的制备方法以及应用，上述一种海胆状ZnSe/ZnS量子点的制备方法，包括以下步骤：使用Se‑DPP前体制备ZnSe晶种；将溶于ODE的Zn，Se前体注入步骤1制备得到的ZnSe晶种溶液中，得到ZnSe核；分别将TOP‑S前体和OT前体注入步骤2制备得到的ZnSe核溶液中，得到海胆状ZnSe/ZnS量子点，本发明提出的的制备方法合成需要的时间更短，合成效率更高；该方法合成的量子点发光符合健康显示要求，并且有着良好的电致发光性能。
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公开(公告)号：CN112724969A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010632230.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种通过掺杂来增强卤化物钙钛矿量子点量子产率的方法，包括前驱体油酸铯的制备、CsPbBr3量子点的制备和量子点的提纯和保存，首先将碳酸铯，油酸和十八烯混合排除反应装置中的水氧，然后升温抽真空后在氮气氛围中升温直到固体物质全部溶解，将PbBr2、CoBr2和Co(AC)2和十八烯混合多次抽真空充氮气，然后升温抽真空充氮气并开始注入配体油胺和油酸，待溶液澄清后开始升温，注入前驱体油酸铯反应,然后迅速放到冰水里搅拌，将反应后的溶液分装到离心管中，离心机5000r离心10分钟，将上清液倒掉后，溶于正己烷中，并加入等量乙酸甲酯，继续10000r离心10分钟，倒掉上清液后再溶于正己烷中，最后放入冰箱中储存。本发明通过掺杂使得量子点量子产率达到80％以上。
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公开(公告)号：CN118895129A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410933001.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , H10K50/115 , H10K50/84
Abstract: 本发明公开了一种聚合物杂化的高导钙钛矿量子点的制备方法，选用具有周期性官能团的导电聚合物作为配体参与反应，与钙钛矿表面以多位点的方式结合，提高配体的解离能，抑制表面缺陷位点的形成，同时构建从聚合物到钙钛矿量子点的能量转移通道，提高钙钛矿量子点的荧光效率和光物理性质。具有疏水特性的导电聚合物在量子点表面形成了具有自愈能力的表面配体层(或者叫做可逆解吸的配体层)，提高钙钛矿量子点环境抗性的同时优化了晶体结构的稳定性和电化学稳定性。基于本发明的聚合物杂化，有助于载流子在量子点间传输，实现量子点具有高稳定性、高荧光量子效率的同时，还具备高导电性，可实现高效光电器件的制备。
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公开(公告)号：CN119020031A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411121857.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿蓝光纳米片的制备方法，该方法中，通过反胶束法引入高键能的多效小分子作为辅助配体，协同PEI在CsPbBr3纳米片表面共筑非自发脱附配体层。该配体层有助于抑制配体的脱附，限制表面缺陷产生，同时提高CsPbBr3晶体结构的完整性和晶格的刚性，进而获得兼具高荧光量子效率、稳定纯蓝光发射的钙钛矿蓝光纳米片。基于该纳米片发光二极管的电致光谱稳定，且完全满足REC.2020标准对超高清纯蓝光显示的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115224227A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210873666.2
申请日：2022-07-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于准二维钙钛矿薄膜制备技术领域，提供了一种准二维钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将原料分散在极性溶剂中作为制备准二维钙钛矿薄膜的前驱体；将前驱体加热搅拌充分溶解后，移至充满氮气的手套箱中待用；将清洗干净的基底上通过匀胶机分散一层空穴传输材料，随后将基底移至充满氮气的手套箱中待用；将前驱体涂敷于基底上，旋转基底，使前驱体在离心力和重力以及磁力的作下均匀的分布在基底上形成前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行退火处理，使准二维钙钛矿薄膜在基底上生长。本发明还提供了一种根据上述制备方法制备得到的准二维钙钛矿薄膜，晶体沿同一垂直方向排列，有更高的电荷注入效率。
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公开(公告)号：CN115025944A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210901807.7
申请日：2022-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种带磁场的匀胶机，属于匀胶机技术领域，包括匀胶机本体，所述匀胶机本体包括机座，机座一侧安装控制面板，机座顶部固定有防溅射侧挡板，所述防溅挡板内侧固定有磁感线圈，所述磁感线圈两端分别接出用于分别与电源的正负极相接的导线，所述防溅挡板中间安装有用于承载基片的基片台，本发明可在旋涂过程中增加磁场，在准二维钙钛矿前体溶剂挥发过程中通过磁场的诱导使准二维钙钛矿薄膜的晶体沿垂直方向生长。本发明在基片的涂膜操作过程中，能够通过调节磁感线圈的电流大小以及电流方向来控制基片表面磁场的强度和方向，能够保证本发明在不同旋涂条件下的普适性。
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公开(公告)号：CN118978907A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411067611.8
申请日：2024-08-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种硫族化合物/钙钛矿异质结构的制备方法，其特征在于，该方法至少包括：将活化的钙钛矿纳米晶CsPbX3先与硫族化合物阳离子前驱体混合均匀，然后加入硫族化合物阴离子前驱体，使得硫族化合物在钙钛矿表面外延生长，得到多维硫族化合物/钙钛矿异质结构。其中活化的钙钛矿表面的硫族原子显著降低硫族化合物在钙钛矿表面外延生长动力学势垒，有助于硫族化合物在钙钛矿表面的外延生长。配体工程调控硫族化合物前驱体的活性，有利于阳离子附着在钙钛矿表面和取向生长。本发明是定向合成多维硫族化合物/钙钛矿异质结方法的重大突破。
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公开(公告)号：CN115093845A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210710512.1
申请日：2022-06-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料及纳米材料制备技术领域，为了解决现有的导电钙钛矿核壳量子点存在晶体结构和荧光稳定性差，从而导致发光二极管效率滚降的问题，公开了导电钙钛矿核壳量子点，所述导电钙钛矿核壳量子点的结构式为CsPbX3:MB，所述导电钙钛矿量子点的内核CsPbX3与表面原子型半导体MB形成Ⅰ型的能带结构；内核与外壳的界面处存在缓冲层，用于稳定内核CsPbX3；荧光范围为400‑700nm。本发明所制备的导电钙钛矿核壳量子点能够有效的阻断离子迁移通道，形成具有平缓界面势垒的I型核壳能级结构，进而可抑制发光二极管的效率滚降问题。
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公开(公告)号：CN115044365A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210710516.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，为了解决现有的碳点荧光纳米材料存在能级结构可调范围有限的问题，公开了一种能级可控的碳点荧光纳米材料及合成方法，所述能级可控的碳点荧光纳米材料，所述碳点荧光纳米材料主要由碳元素组成，所述碳点荧光纳米材料表面包裹有机分子外壳；通过调整合成参数控制碳点有机外壳的组成和控制碳点的能级结构。本发明合成所得的碳点荧光纳米材料表面包裹的有机外壳具有多样性，拓宽碳点荧光纳米材料的应用范围；具有可控的能级结构，通过调整反应物吸电子或推电子官能团的种类、配比和强度，可精确控制其能级结构。
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