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公开(公告)号：CN1173882C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02133050.6
申请日：2002-09-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明的金/铁系元素复合膜上制备碳纳米管的方法属高浓度氢气气氛下直接制备碳纳米管的方法。首先在Si或SiO2衬底上溅射铁或钴或镍层，再溅射金层，制备出复合膜的催化剂；再将衬底置于热丝CVD设备中，以氢气和甲烷为反应气体，衬底温度为600～950℃，气体压力为12～30Tor，生长时间为10～120min；或在金/铁系元素复合膜上放置挡片，使氢气与甲烷的气体流量比为H2∶CH4＝100∶(1～100)；或不放置挡片，使H2∶CH4＝100∶(7.5～100)。本方法能制备出直径为20～200纳米的高纯多壁碳纳米管；无需对催化剂金属层预处理，不需要等离子体增强技术，达到简化工艺、缩短生长周期、降低成本的目的。在高氢气氛下生长的碳纳米管在场致发射、储氢及化学传感器等方面有较高的应用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1132408A
公开(公告)日：1996-10-02
申请号：CN95119375.9
申请日：1995-12-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 金刚石膜上的薄层硅结构属用于制作电子器件的芯片材料。制备过程大致是在键合单晶硅(5)上顺次形成SiO2过渡层(6)、金刚石膜(7)、Si3N4保护层(8)，其上再生长的多晶硅经氧化形成键合二氧化硅层(3)。键合单晶硅(5)上形成的键合二氧化硅层(3)跟衬底单晶硅(1)上的衬底二氧化硅层(2)经亲水处理、水中密合、高温键合及退火处理形成SOD结构。本发明SOD结构薄层硅晶格完整、键合牢固、成品率高；制作电子器件具有良好的抗辐射性能、导热性能和绝缘性能。
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公开(公告)号：CN1413906A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02133050.6
申请日：2002-09-25
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明的金/铁系元素复合膜上制备碳纳米管的方法属高浓度氢气气氛下直接制备碳纳米管的方法。首先在Si或SiO2衬底上溅射铁或钴或镍层，再溅射金层，制备出复合膜的催化剂；再将衬底置于热丝CVD设备中，以氢气和甲烷为反应气体，衬底温度为600～950℃，气体压力为12～30Tor，生长时间为10～120min；或在金/铁系元素复合膜上放置挡片，使氢气与甲烷的气体流量比为H2∶CH4＝100∶(1～100)；或不放置挡片，使H2∶CH4＝100∶(7.5～100)。本方法能制备出直径为20～200纳米的高纯多壁碳纳米管；无需对催化剂金属层预处理，不需要等离子体增强技术，达到简化工艺、缩短生长周期、降低成本的目的。在高氢气氛下生长的碳纳米管在场致发射、储氢及化学传感器等方面有较高的应用价值和良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN100368140C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410010895.3
申请日：2004-06-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石厚膜与硬质基体形成牢固连接的方法属超硬材料的焊接领域。工艺分前处理过程、装料过程、焊接过程。按基体、钎料、金刚石厚膜的顺序叠放置于真空炉的装料台上；真空炉抽真空至2×10-3Pa，以10～20℃/min升温速率升温至870℃，恒温40～60min，之后以8～12℃/min的降温速率降温至500℃，再自然降温至室温。钎料是片网状Ag-Cu合金和Ti箔，或使用TiH2或Ti粉与乙醇搅成糊状填充到Ag-Cu合金的网孔中。本发明能够避免Ti以层的形式存在对熔化后的Ag-Cu合金流动形成的阻碍，使Ag-Cu合金到达结合面的各个部位；工艺条件有利于消除在焊接过程中产生的内应力，从而连接牢固。
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公开(公告)号：CN1106456C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN99127573.X
申请日：1999-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/513
Abstract: 本发明的硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺，包括前处理-形成等离子体球-调整压力-生长金刚石膜-后处理的过程。将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研；之后在H2气氛中启动微波形成等离子体球；再按顺序调整CH4与H2比例、微波功率、气压和温度；最后在低气压下生长金刚石膜；后处理是在硅衬底上加负偏压，保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀、品质好、消除了内应力，完全适合于硅片键合技术要求。
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公开(公告)号：CN1147636A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96102646.4
申请日：1996-02-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种检测NO2的LB膜修饰的悬栅场效应型气体传感器及制作方法。其结构为在悬栅场效应晶体管的包括栅区的整个表面拉制6～60nm厚的钴卟啉季胺盐或硫化酞菁铜或它们的衍生物的LB膜。制备过程为将悬栅场效应管的芯片在漂有LB膜的液体中拉过，使LB膜附于芯片表面，再在真空中干燥；反复拉膜干燥使LB膜达合适厚度，切割成单个芯片引AL电极。本发明的气体传感器灵敏度高、选择性好、响应迅速、一致性好，工艺简单，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN1583354A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410010895.3
申请日：2004-06-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的金刚石厚膜与硬质基体形成牢固连接的方法属超硬材料的焊接领域。工艺分前处理过程、装料过程、焊接过程。按基体、Ag－Cu合金、Ti箔、金刚石厚膜的顺序叠放置于真空炉的装料台上；真空炉抽真空至2×10－3Pa，以10℃～20℃/min升温速率升温至870℃，恒温40～60min，之后以8℃～12℃/min的降温速率降温至500℃，再自然降温至室温。Ag－Cu合金是片状或片网状的，Ti箔制成网状或使用TiH2或Ti粉。本发明能够避免Ti以层的形式存在对熔化后的Ag－Cu合金流动形成的阻碍，使Ag－Cu合金到达结合面的各个部位；工艺条件有利于消除在焊接过程中产生的内应力，从而连接牢固。
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