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公开(公告)号：CN116154016A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310186052.1
申请日：2023-03-01
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 一种自供能日盲紫外探测器及其制备方法，属于光电探测器制备领域，具体方案如下：一种自供能日盲紫外探测器，包括衬底、薄膜a和薄膜b，所述薄膜a生长在衬底上，所述薄膜b生长在薄膜a上，薄膜a和薄膜b上均设置有电极，所述薄膜a和薄膜b均为(InxGa1‑x)2O3材料，其中，薄膜a和薄膜b材料中In组分的含量不同。在该探测器中，由于磁控溅射的生长温度不同，使薄膜a2和薄膜b3具有不同含量的In组分，从而具有不同的禁带宽度，产生内建电场获得自供能探测器，制备方法简单易操作，成本低，易于实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN112420876A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
摘要： 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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公开(公告)号：CN112420876B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
摘要： 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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公开(公告)号：CN108385062A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810199731.1
申请日：2018-03-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明公开了一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，属于半导体材料制造领域。本发明要解决现有磁控溅射方法制备(AlxGa1-x)2O3合金薄膜存在成本高、不易操作等技术问题。本发明的制备方法是采用磁控溅射法，步骤如下：一、将氧化镓靶材放到设置在真空室底部的靶台上，氧化铝靶材置于氧化镓靶材上；二、然后将衬底设置在氧化镓靶材的正上方，所述衬底与所述氧化铝靶材之间留有间距；三、然后采用真空磁控溅射进行沉积，再高温退火，降温至室温；即得到(AlxGa1-x)2O3合金薄膜。本发明方法简单，易操作，成本低。
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公开(公告)号：CN108385062B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810199731.1
申请日：2018-03-09
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明公开了一种(AlxGa1‑x)2O3合金薄膜的制备方法，属于半导体材料制造领域。本发明要解决现有磁控溅射方法制备(AlxGa1‑x)2O3合金薄膜存在成本高、不易操作等技术问题。本发明的制备方法是采用磁控溅射法，步骤如下：一、将氧化镓靶材放到设置在真空室底部的靶台上，氧化铝靶材置于氧化镓靶材上；二、然后将衬底设置在氧化镓靶材的正上方，所述衬底与所述氧化铝靶材之间留有间距；三、然后采用真空磁控溅射进行沉积，再高温退火，降温至室温；即得到(AlxGa1‑x)2O3合金薄膜。本发明方法简单，易操作，成本低。
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