-
公开(公告)号：CN113284975B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110580050.1
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。
-
公开(公告)号：CN113299779A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110580063.9
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨红外双色探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、MoS2层、WS2层和金电极，蓝宝石衬底上生长MoS2层，MoS2层上生长WS2层，金电极设置在MoS2层和WS2层上，具体制备方法如下：一、利用磁控溅射技术在蓝宝石衬底上生长MoS2层；二、利用CVD技术在MoS2层上生长WS2层；三、利用磁控溅射技术在MoS2层和WS2层表面蒸镀金电极。本发明利用WS2层与MoS2层构成超晶格，通过调节厚度，在超晶格中形成多个子带能级，能级带隙满足中波双色红外探测要求，当入射光子大于等于超晶格的自带能级时，光生载流子可以在子带间跃迁，超晶格的电导率增加，实现红外双波段探测。
-
公开(公告)号：CN113284975A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110580050.1
申请日：2021-05-26
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。
-
公开(公告)号：CN112973742A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110184942.X
申请日：2021-02-10
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种高效光解水制氢低维铋化物/还原二氧化钛复合材料及其制备方法。该方法以TiO2‑X介孔纳米球为基体材料，在常温下将BiOI负载在TiO2‑X介孔纳米球，方法简单有效，复合材料具有较强的稳定性。经过硼氢化钠还原后的二氧化钛纳米球因含有氧空位，从而协助BiOI增强了其在可见光区域的此外，BiOI/TiO2‑X复合材料的吸收从紫外区域扩展到可见光区域，提高了太阳光的利用率，复合后形成了PN结内建电场使得载流子传输具有定向性，从而增强了电子空穴的传输，对能源利用领域具有重要意义。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.05 秒)