公开(公告)号：CN114057490A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111429465.5

申请日：2021-11-29

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 熊礼俊 ,  谢方民 ,  张碧盈 ,  邬国平 ,  于明亮 ,  沈赟 ,  戚明杰 ,  杨连江 ,  方友祥 ,  徐斌 ,  郭岱东 ,  王坚

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/565 ,  C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628 ,  C04B35/634 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10

摘要： 本发明提供一种用于制备大尺寸陶瓷的方法，包括以下步骤：S1、将固体树脂粉和陶瓷粉末进行覆膜混料，使得陶瓷粉末表面均匀的包裹一层固体树脂，向包裹固体树脂的陶瓷粉末料中加入光引发剂和固化剂，进行高速搅拌混合得到打印粉料；S2、将打印粉料置于打印设备中，进行打印成型，采用逐层打印成型的方法，每一层模型通过计算机生成相应的打印路径，采用辊撵方式进行铺粉，每一层粉料成型过程中由激光器扫描粉料，由两个喷头分别向粉料喷射光固化树脂和喷胶树脂，再由紫外光照射粉料固化成型，逐层堆积，形成打印素坯；S3、将打印素坯置于烧结炉中烧结获得陶瓷坯体。本发明方法适用于制备大尺寸陶瓷坯体，可以大幅提高材料的结构强度，减小形变量。

公开(公告)号：CN117584565A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311493354.X

申请日：2023-11-10

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 何光起 ,  邬妍佼 ,  熊礼俊 ,  王永辉 ,  陈耕耘 ,  蒋家山 ,  严小斌 ,  徐斌 ,  薛振坤 ,  洪于喆 ,  杜岳峰 ,  任可杰 ,  张碧盈 ,  沈赟 ,  邬国平 ,  郭岱东

IPC分类号： B32B18/00 ,  B32B3/20 ,  B32B37/06 ,  C04B35/577 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

摘要： 本发明提供多层结构碳化硅吸波材料及其制备方法，多层结构碳化硅吸波材料包括依次层叠设置的第一平面层、第一圆管层、第二平面层、第二圆管层和第三平面层，所述第一圆管层和所述第二圆管层包括多根平行排列的空心圆管，相邻所述空心圆管相抵，所述多层结构碳化硅吸波材料包括以下质量百分比的原料：碳化硅粉体40％～80％、石蜡10％～40％、热塑性树脂5％～10％、硬脂酸1％～5％、烧结助剂1％～5％。本发明对碳化硅材料在原料组成和结构上进行改进，通过调整热塑性树脂，可以拓宽材料吸波频段、提高力学性能；材料具有多层结构，间隔设置两层空心圆管，可以提升材料的吸波性能。

公开(公告)号：CN114956831B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202111079010.5

申请日：2021-09-15

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 谢方民 ,  熊礼俊 ,  于明亮 ,  邬国平 ,  沈赟 ,  张碧盈 ,  杨连江 ,  方友祥 ,  徐斌 ,  郭岱东 ,  戚明杰 ,  王坚

IPC分类号： C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

摘要： 本发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法，包括准备碳化硅粉料、制备墨水、制备生坯和烧结生坯四个步骤，属于碳化硅陶瓷制备技术领域。本发明公开的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法通过在向墨水中直接引入碳源，使得碳化硅打印坯体中的碳含量大幅增加，进一步使最终烧结坯体中生成的β‑碳化硅含量大幅增加和自由硅含量大幅降低，从而提高了碳化硅陶瓷的密度、强度和硬度。同时避免了从粉末中直接加入碳粉后引起喷墨的胶水附着在粉体表面而导致烧结过程中胶水渗透深度不够，造成打印的坯体的强度不够现象。

公开(公告)号：CN117682864A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311599344.4

申请日：2023-11-28

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 洪于喆 ,  谢方民 ,  邬妍佼 ,  郭岱东 ,  程向前 ,  徐斌 ,  王永辉 ,  蒋家山 ,  顾嘉琪 ,  杜岳峰 ,  王坚 ,  任可杰 ,  刘洁 ,  杨丹

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

摘要： 本发明公开了一种铝碳化硅复合材料的制备方法，具体包括如下步骤：S1、制备碳化硅坯体：碳化硅颗粒通过成型法制备得到碳化硅坯体；S2、渗铝：对得到的碳化硅坯体进行渗铝处理得到铝碳化硅坯件；S3、残铝吸附：将步骤S2经过渗铝处理得到的铝碳化硅坯件埋于吸附剂中进行吸附处理；S4、后处理：将经过吸附处理的铝碳化硅坯件进行湿热处理和机械处理得到铝碳化硅复合材料，与现有技术相比，本发明采用上述制备方法得到的铝碳化硅复合材料，能达到去除铝碳化硅复合材料表面残铝的目的，便于复合材料后续利用和加工。

公开(公告)号：CN117682863A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311578347.X

申请日：2023-11-24

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 熊礼俊 ,  邬妍佼 ,  沈赟 ,  徐斌 ,  张碧盈 ,  邬国平 ,  谢方民 ,  于明亮 ,  洪于喆 ,  程向前 ,  熊兴涛 ,  秦伟 ,  姜建斌 ,  任可杰 ,  方友祥 ,  王坚 ,  杨连江

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供一种高纯碳化硅制品及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、原料准备：将纯度大于等于9.99995％的硅粉、杂质含量小于5ppm的碳源、杂质含量小于10ppm的添加剂混合，制备出所需原料；S2、素坯成型：将步骤S1获得的原料采用成型工艺进行成型，获得设计形状的素坯；S3、烧结：将步骤S2获得的素坯放置于石墨坩埚中，将所述石墨坩埚放置于高温烧结炉中进行真空烧结，冷却后得到高纯碳化硅制品。本发明直接利用易于获得的高纯硅粉和高纯碳源为主要原料，通过成型工艺制备出设计形状的素坯，然后经过高温烧结使得坯体中的Si和C原位反应生成SiC，由于原料纯度高，制备过程不会引入金属杂质，因此可以制备出高纯度的碳化硅制品。

公开(公告)号：CN116161960A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211735382.3

申请日：2022-12-31

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 洪于喆 ,  邬国平 ,  戚明杰 ,  徐斌 ,  熊礼俊 ,  沈赟 ,  邬妍佼 ,  章伟峰 ,  胡大标 ,  吴晃菊

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/634 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628

摘要： 本发明提供了一种超细碳化硼流延浆料及其陶瓷的制备方法，超细碳化硼流延浆料的制备方法包括以下步骤：S11、将碳化硼粉100份、水性分散剂1～5份、水200～400份、粘结剂A1～10份混合球磨；S12、用得到的浆料进行喷雾造粒；S13、将喷雾造粒粉进行急冷处理，使粉体中的粘结剂区域产生裂纹，得到急冷处理后的造粒粉；S14、将得到的造粒粉100份与烧结助剂1～20份、有机分散剂0.1～5份、有机溶剂50～200份混合球磨；S15、向浆料中加入粘结剂B 5～25份、塑化剂2～15份，混合球磨，得到超细碳化硼流延浆料。相对于现有技术，本发明针对可流延的超细碳化硼浆料制备困难的问题，采用有机包覆后喷雾造粒、急冷结合球磨工艺，实现高分散的超细碳化硼浆料的制备。

公开(公告)号：CN115532178A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211023804.4

申请日：2022-08-24

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 熊礼俊 ,  沈赟 ,  邬妍佼 ,  徐斌 ,  张碧盈 ,  王坚 ,  王文华 ,  顾佳琪 ,  杨连江 ,  邬国平 ,  谢方民 ,  方友祥 ,  于明亮 ,  秦伟 ,  任可杰 ,  洪于喆

IPC分类号： B01J8/24 ,  B01J19/02 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供了一种用于流化床反应器的高纯碳化硅内衬的制备方法，包括以下步骤：S1、将设计的陶瓷模型导入3D打印设备中，采用3D打印成型技术将碳化硅粉料逐层成型出所需尺寸的素坯；S2、将所述素坯放置于石墨坩埚中，在素坯周围堆放反应烧结所需的硅原料，在烧结设备中进行反应烧结，冷却得到坯体；S3、将所述坯体置于纯化炉中进行纯化处理，得到碳化硅材料内衬件；S4、将多个内衬件依次拼装得到流化床反应器内衬。本发明突破了大尺寸、多曲面流道结构难以成型的难题，同时解决了碳化硅陶瓷纯度难以提高的问题，得到碳化硅材料内衬件具有高纯度、耐磨损、耐腐蚀、强度高的优点，满足高纯多晶硅流化床反应器内衬的应用需求。

公开(公告)号：CN112389039B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202011200095.3

申请日：2020-11-02

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 熊礼俊 ,  邬国平 ,  谢方民 ,  洪于喆 ,  戚明杰 ,  于明亮 ,  杨连江 ,  郭岱东 ,  蔡宁宁 ,  方友祥 ,  徐斌 ,  邹东平

IPC分类号： B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B18/00 ,  B32B33/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/08 ,  B32B37/10 ,  B32B38/04 ,  C04B35/565 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645

摘要： 本发明公开一种高强度、高韧性层状复相陶瓷的制备方法，包括以下具体步骤：将陶瓷基体粉体、烧结助剂、改性剂、分散剂、粘结剂、溶剂、增塑剂、消泡剂混合均匀并球磨1～48h，然后将球磨后的浆料在真空除泡机中进行真空除泡10～180min制备成基体层陶瓷浆料；将界面层粉体、烧结助剂、改性剂、分散剂、粘结剂、溶剂、增塑剂、消泡剂混合均匀并球磨1～48h，然后将球磨后的浆料在真空除泡机中进行真空除泡10～180min制备成界面浆料；本发明利用流延叠层技术、界面层打孔、温压成型及热压烧结相结合的工艺制备出层状复相陶瓷具有高韧性、高强度。

公开(公告)号：CN114591085A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210057356.3

申请日：2022-01-19

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 谢方民 ,  熊礼俊 ,  沈赟 ,  于明亮 ,  张碧盈 ,  邬国平 ,  洪于喆 ,  戚明杰 ,  杨连江 ,  方友祥 ,  徐斌 ,  郭岱东 ,  王坚

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及碳化硅陶瓷技术领域，本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷制备方法包括准备原料、生坯制备、反应烧结和二次烧结除硅步骤，本发明通过先进行反应烧结，提高了坯体中碳化硅的含量；然后通过将坯体埋入碳粉中进行二次烧结除硅，碳化硅中的硅蒸发，迁移到碳化硅外部碳中，从而使得碳化硅中的自由硅得以消除，最终获得高纯、一定气孔率的碳化硅陶瓷，此种工艺相比传统重结晶碳化硅制备工艺烧结温度要低很多，而且所制备出的碳化硅陶瓷孔隙率低，强度高，耐高温性能更好。

公开(公告)号：CN114478012A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111635067.9

申请日：2021-12-29

申请人： 宁波伏尔肯科技股份有限公司

发明人： 谢方民 ,  郭岱东 ,  邬国平 ,  洪于喆 ,  熊礼俊 ,  于明亮 ,  戚明杰 ,  蔡宁宁 ,  程向前 ,  杨连江 ,  方友祥 ,  徐斌

IPC分类号： C04B35/532 ,  C04B35/524 ,  C04B35/622

摘要： 本发明涉及特种材料的制造技术领域，具体而言，涉及一种碳部件制造方法及其制造的碳部件。本发明通过碳源、粘结剂、固化剂等原料的选配、对粉料造粒等方法的利用，提高坯体的密度和强度，降低石墨或碳部件在制造和转移过程中破损的概率；通过浆料挤出、浆料立体光刻、三维印刷、粉料激光固化或选域激光烧结等技术，可以实现复杂结构、大规格、高强度、高纯度石墨或碳部件的一体化快速制造；通过循环预处理和真空压力浸渍，进一步提高坯体的致密度，最终提高石墨或碳部件的密度及力学性能。本发明公开的石墨或碳部件的制造方法，特别适用于半导体、光伏产业和航空航天等领域中。