公开(公告)号：CN103797575B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201280044452.9

申请日：2012-07-10

Applicant: 思科技术公司

Inventor： 约维察·萨维奇 ,  杨志平 ,  杰·薛 ,  立·李

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4046 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2201/09854 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10454 ,  H05K2203/1469

Abstract: 在支持结构中形成空腔，所述支持结构用于支持半导体器件，并且电路元件的至少一部分被布置于支持结构中的空腔内。支持结构中的空腔被填充有非导电填充材料，从而用非传导填充材料至少部分地围绕电路元件，并且半导体器件被电连接至电路元件。在示例实施例中，电路元件用于基本上阻断由所述半导体器件或者另一半导体器件输出的直流。

公开(公告)号：CN107078118A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058368.6

申请日：2015-08-26

Applicant: 思科技术公司

Inventor： 立·李 ,  莫汉·R·纳加尔 ,  约维察·萨维奇

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641

Abstract: 提供了集成电路芯片堆叠及其形成方法，其中仅使用预焊料将插入器的接合焊盘直接接合到封装基板的接合焊盘。插入器可以具有小于150微米的接合焊盘间距。插入器可以是有机插入器。预焊料可以熔化以与封装基板和插入器的接合焊盘接触。在固化之后，预焊料可以在插入器的接合焊盘和封装基板的接合焊盘之间形成电连接。

公开(公告)号：CN103797575A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280044452.9

申请日：2012-07-10

Applicant: 思科技术公司

Inventor： 约维察·萨维奇 ,  杨志平 ,  杰·薛 ,  立·李

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4046 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09827 ,  H05K2201/09854 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10454 ,  H05K2203/1469

Abstract: 在支持结构中形成空腔，所述支持结构用于支持半导体器件，并且电路元件的至少一部分被布置于支持结构中的空腔内。支持结构中的空腔被填充有非导电填充材料，从而用非传导填充材料至少部分地围绕电路元件，并且半导体器件被电连接至电路元件。在示例实施例中，电路元件用于基本上阻断由所述半导体器件或者另一半导体器件输出的直流。