公开(公告)号：CN103066059B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201210407786.X

申请日：2012-10-24

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： T·B·涛 ,  J·E·卡亚斯 ,  H·A·鲁尔达 ,  P·W·桑德斯

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/26586 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L28/10 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件结构(10)包括衬底(12)，所述衬底具有第一浓度和第一导电类型的背景掺杂。穿过衬底通路(TSV)(46)穿过所述衬底。半导体器件(20‑30)耦合到衬底上第一侧的TSV。掺杂区域具有大于第一浓度的第二浓度和第一导电类型的掺杂。