公开(公告)号：CN105196094B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510535576.2

申请日：2011-05-24

申请人： 恩特格林斯公司 ,  维瑞安半导体设备联合公司

发明人： 理查德·A·库克 ,  戴尔·K·史东 ,  卢德米拉·史东 ,  朱立安·布雷克 ,  大卫·苏罗纳

IPC分类号： B23Q3/152 ,  H01L21/683

CPC分类号： H02N13/00 ,  B05D5/12 ,  B23Q3/152 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C23F1/00 ,  H01L21/6833

摘要： 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。

公开(公告)号：CN102986017A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180026596.7

申请日：2011-05-24

申请人： 恩特格林斯公司 ,  维瑞安半导体设备联合公司

发明人： 理查德·A·库克 ,  戴尔·K·史东 ,  卢德米拉·史东 ,  朱立安·布雷克 ,  大卫·苏罗纳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15 ,  C04B35/00

CPC分类号： H02N13/00 ,  B05D5/12 ,  B23Q3/152 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C23F1/00 ,  H01L21/6833

摘要： 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。

公开(公告)号：CN105196094A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510535576.2

申请日：2011-05-24

申请人： 恩特格林斯公司 ,  维瑞安半导体设备联合公司

发明人： 理查德·A·库克 ,  戴尔·K·史东 ,  卢德米拉·史东 ,  朱立安·布雷克 ,  大卫·苏罗纳

IPC分类号： B23Q3/152 ,  H01L21/683

CPC分类号： H02N13/00 ,  B05D5/12 ,  B23Q3/152 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C23F1/00 ,  H01L21/6833

摘要： 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。

公开(公告)号：CN103222043B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180043193.3

申请日：2011-09-08

申请人： 恩特格林斯公司 ,  维瑞安半导体设备联合公司

发明人： 大卫·苏罗纳 ,  卢德米拉·史东 ,  朱立安·布雷克 ,  戴尔·K·史东 ,  理查德·A·库克 ,  史蒂芬·唐涅尔 ,  香德拉·凡卡拉曼

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

CPC分类号： H02N13/00 ,  B23Q3/152 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

摘要： 根据本发明的具体实施例，提供一种高传导静电夹盘，其包括：传导路径，其覆盖静电夹盘的气密环的至少一部分接触工件的表面，该传导路径包括至少一部分至接地的电路径；以及静电夹盘的接触工件表面的主场区域，其包括范围从每平方约108至约1012欧姆的表面电阻率。

公开(公告)号：CN102986017B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180026596.7

申请日：2011-05-24

申请人： 恩特格林斯公司 ,  维瑞安半导体设备联合公司

发明人： 理查德·A·库克 ,  戴尔·K·史东 ,  卢德米拉·史东 ,  朱立安·布雷克 ,  大卫·苏罗纳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15 ,  C04B35/00

CPC分类号： H02N13/00 ,  B05D5/12 ,  B23Q3/152 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/086 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/368 ,  C23F1/00 ,  H01L21/6833

摘要： 根据本发明之一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一电极及一表面层，该表面层由该电极中之一电压启动以形成一电荷以将一基板静电夹持至该静电吸盘，该表面层包括一电荷控制层，该电荷控制层包含大于约每平方1011欧姆之一表面电阻率。

公开(公告)号：CN103222043A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180043193.3

申请日：2011-09-08

申请人： 恩特格林斯公司 ,  维瑞安半导体设备联合公司

发明人： 大卫·苏罗纳 ,  卢德米拉·史东 ,  朱立安·布雷克 ,  戴尔·K·史东 ,  理查德·A·库克 ,  史蒂芬·唐涅尔 ,  香德拉·凡卡拉曼

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

CPC分类号： H02N13/00 ,  B23Q3/152 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

摘要： 根据本发明的具体实施例，提供一种高传导静电夹盘，其包括：传导路径，其覆盖静电夹盘的气密环的至少一部分接触工件的表面，该传导路径包括至少一部分至接地的电路径；以及静电夹盘的接触工件表面的主场区域，其包括范围从每平方约108至约1012欧姆的表面电阻率。