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公开(公告)号：CN104183469B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201410171492.0
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，精度良好地将已扫描的高能量离子束平行化。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元；高能量射束的偏转单元，将高能量离子束朝向晶片进行方向转换；及射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元具有射束整形器、高能量用射束扫描器、高能量用射束平行化器及高能量用最终能量过滤器。并且，高能量用射束平行化器为通过电场重复高能量射束的加速和减速并且将扫描束平行化的电场式射束平行化器。
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公开(公告)号：CN104916518A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510104340.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/24514 , H01J2237/24528 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法。在离子注入装置中测定离子束的能量。离子注入装置(100)中的射束能量测定装置(200)具备：平行度测定部(202)，在离子注入装置(100)的射束平行化器(36)的下游测定离子束的平行度；及能量运算部(204)，由测定出的平行度运算离子束的能量。离子注入装置(100)还可以具备控制部，该控制部根据运算出的离子束的能量控制高能量多段直线加速单元(14)，以使离子束具有目标能量。
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公开(公告)号：CN104183449A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410183419.5
申请日：2014-04-30
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供高能量离子注入装置中的高效率射束传输技术。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元，对离子束进行加速而生成高能量离子束；高能量射束的偏转单元，将高能量离子束朝向晶片进行方向转换；及射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。偏转单元由多个偏转电磁铁构成，并在多个偏转电磁铁之间插入有至少1个横向会聚要件。
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公开(公告)号：CN104183447A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410172111.0
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性，并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高频多段直线加速单元；偏转单元，包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置；射束传输线单元；及基板处理供给单元。该装置中，在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外，还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
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公开(公告)号：CN104183447B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201410172111.0
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性，并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高频多段直线加速单元；偏转单元，包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置；射束传输线单元；及基板处理供给单元。该装置中，在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外，还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104253010A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410168751.4
申请日：2014-04-24
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528 , H01J2237/24535
Abstract: 本发明提供一种以简单的结构测定两个方向的射束角度的离子束测定装置及离子束测定方法。离子束测定装置(100)具备：掩模(102)，用于将原始的离子束(B)整形为具备在与离子束行进方向垂直的y方向较长的y射束部分及在与所述行进方向及y方向垂直的x方向较长的x射束部分的测定用离子束(Bm)；检测部(104)，构成为检测y射束部分的x方向位置，并检测x射束部分的y方向位置；及射束角度运算部(108)，构成为利用x方向位置运算x方向射束角度，并利用y方向位置运算y方向射束角度。
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公开(公告)号：CN103854942A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310498939.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/10
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，确保相对于离子注入装置的作业性且抑制设置面积。本发明的离子注入装置具备对由离子源生成的离子束进行加速的多个单元、及对扫描束进行调整而注入到晶片中的多个单元，该离子注入装置通过将对扫描束进行调整的多个单元的长度构成为与对离子源及离子束进行加速的多个单元大致相同的长度的长直线部，构成具有相对置的长直线部的水平U字状的折回型射束线。
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公开(公告)号：CN104916518B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510104340.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法。在离子注入装置中测定离子束的能量。离子注入装置(100)中的射束能量测定装置(200)具备：平行度测定部(202)，在离子注入装置(100)的射束平行化器(36)的下游测定离子束的平行度；及能量运算部(204)，由测定出的平行度运算离子束的能量。离子注入装置(100)还可以具备控制部，该控制部根据运算出的离子束的能量控制高能量多段直线加速单元(14)，以使离子束具有目标能量。
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公开(公告)号：CN104183446B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410171523.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种高能量离子注入装置，通过电场对高能量的离子束进行扫描、平行化及过滤。本发明的高能量离子注入装置(100)具备：高能量多段直线加速单元(14)，对离子束进行加速而生成高能量离子束；偏转单元(16)，将高能量离子束朝向半导体晶片进行方向转换；及射束传输线单元(18)，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元(18)具有射束整形器(32)、高能量用射束扫描器(34)、高能量用电场式射束平行化器(36)及电场式最终能量过滤器(38)。
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公开(公告)号：CN103854942B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201310498939.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/3007 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/10
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置，确保相对于离子注入装置的作业性且抑制设置面积。本发明的离子注入装置具备对由离子源生成的离子束进行加速的多个单元、及对扫描束进行调整而注入到晶片中的多个单元，该离子注入装置通过将对扫描束进行调整的多个单元的长度构成为与对离子源及离子束进行加速的多个单元大致相同的长度的长直线部，构成具有相对置的长直线部的水平U字状的折回型射束线。
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