-
公开(公告)号：CN106115602B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610526397.7
申请日：2016-07-01
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
摘要： 公开了一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜，振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的突点；第二牺牲层，位于振动隔膜上，具有第三空腔，振动隔膜的至少一部分位于第三空腔内；背极板层，位于第二牺牲层上，背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，背极板层包括位于第三空腔上方的背极板；防粘附层，位于基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。本发明能够减小振动隔膜与基底之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的粘连。
-
公开(公告)号：CN106365104B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610847987.X
申请日：2016-09-23
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
摘要： 本申请公开了MEMS器件制造方法及MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成结构层；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层和所述衬底上形成结构层；在所述结构层上形成第一布线层；在所述第一绝缘层中形成空腔，所述结构层的第一部分位于空腔上方从而形成可动结构；以及在所述可动结构和所述第一绝缘层至少之一位于所述空腔内的暴露表面上，形成表面保护层。该MEMS器件利用表面保护层的疏水性和/或耐磨性能，减少微构件之间的粘附和磨损。
-
公开(公告)号：CN106115607A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610526994.X
申请日：2016-06-30
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00015 , B81C1/00111 , B81C1/00912 , B81C2201/01
摘要： 公开了一种MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形；牺牲层，位于所述多晶埋层上，所述牺牲层中具有空腔，所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内；运动质量块层，所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑，所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块，所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点；防粘附层，位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。本发明能够减小运动质量块与基底和/或多晶埋层之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止粘连。
-
公开(公告)号：CN106365104A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610847987.X
申请日：2016-09-23
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
CPC分类号： B81B3/0002 , B81B7/02 , B81C1/00206 , B81C1/00436 , B81C2201/11
摘要： 本申请公开了MEMS器件制造方法及MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成结构层；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层和所述衬底上形成结构层；在所述结构层上形成第一布线层；在所述第一绝缘层中形成空腔，所述结构层的第一部分位于空腔上方从而形成可动结构；以及在所述可动结构和所述第一绝缘层至少之一位于所述空腔内的暴露表面上，形成表面保护层。该MEMS器件利用表面保护层的疏水性和/或耐磨性能，减少微构件之间的粘附和磨损。
-
公开(公告)号：CN106115602A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610526397.7
申请日：2016-07-01
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B3/0021 , H04R19/00 , H04R31/00
摘要： 公开了一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜，振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的突点；第二牺牲层，位于振动隔膜上，具有第三空腔，振动隔膜的至少一部分位于第三空腔内；背极板层，位于第二牺牲层上，背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，背极板层包括位于第三空腔上方的背极板；防粘附层，位于基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。本发明能够减小振动隔膜与基底之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的粘连。
-
公开(公告)号：CN206014407U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201620714829.2
申请日：2016-06-30
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
IPC分类号： B81B7/02
摘要： 一种MEMS器件，包括：基底；多晶埋层，位于所述基底上，所述多晶埋层图形化一个或多个多晶图形；牺牲层，位于所述多晶埋层上，所述牺牲层中具有空腔，所述多晶图形的至少一部分位于所述空腔内；运动质量块层，所述运动质量块层的至少一部分由所述多晶埋层支撑，所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块，所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点；防粘附层，位于所述多晶埋层与所述运动质量块层之间的裸露表面上。本实用新型能够减小运动质量块与基底和/或多晶埋层之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止粘连。
-
公开(公告)号：CN206203878U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201621077853.6
申请日：2016-09-23
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
摘要： 本申请公开了MEMS器件。所述MEMS器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层和所述衬底上的结构层；以及位于所述结构层上的第一布线层，其中，位于所述第一绝缘层中的空腔，所述结构层的第一部分位于空腔上方从而形成可动结构，其中，所述MEMS器件还包括表面保护层，所述表面保护层位于所述可动结构和所述第一绝缘层至少之一在所述空腔内的暴露表面上。该MEMS器件利用表面保护层的疏水性和/或耐磨性能，减少微构件之间的粘附和磨损。
-
公开(公告)号：CN205917019U
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201620687058.2
申请日：2016-07-01
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
摘要： 一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜，振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的突点；第二牺牲层，位于振动隔膜上，具有第三空腔，振动隔膜的至少一部分位于第三空腔内；背极板层，位于第二牺牲层上，背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，背极板层包括位于第三空腔上方的背极板；防粘附层，位于基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。本实用新型可以有效地减少或防止基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的粘连。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.031 秒)
