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公开(公告)号：CN109678102B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201811625593.5
申请日：2018-12-28
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
摘要： 本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述空腔上形成敏感膜片；以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻；其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。该方法采用不均匀厚度的敏感膜片，使得压力集中于连接部以提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN109678103B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201811625626.6
申请日：2018-12-28
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
摘要： 本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底中形成空腔；在所述半导体衬底的第一表面形成封闭所述空腔的敏感膜片；在所述空腔的内壁形成停止层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述停止层的通道，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；以及经由所述通道去除所述停止层。该方法在空腔内壁形成停止层，用于形成外部环境连通的通道，从而可以形成单芯片结构的压力传感器。
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公开(公告)号：CN108600928B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810362532.8
申请日：2018-04-20
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
IPC分类号： H04R19/04
摘要： 公开了一种MEMS器件，其中，包括具有第一空腔的衬底；第一牺牲层，位于衬底上；第一背极板层，位于第一牺牲层上，第一背极板层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一背极板层上；振膜层，位于第二牺牲层上，振膜层的至少一部分由第二牺牲层支撑，使得振膜层与第一背极板层形成第一电容器；第三牺牲层，位于振膜层上；第二背极板层，位于第三牺牲层上，第二背极板层的至少一部分由第三牺牲层支撑，使得第二背极板层与振膜层形成第二电容器。通过将振膜层放置在第一背极板层以及第二背极板层之间，所形成的两个可变电容器进而组成差分式电容结构，满足市场对硅麦克风高灵敏度、低噪声的需求，从而提高MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN108117034B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201711469518.X
申请日：2017-12-29
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
摘要： 本申请公开了MEMS组件及其制造方法。所述方法包括：在传感器芯片上形成凹槽；在器件芯片上形成焊盘；将所述传感器芯片与所述器件芯片键合，以形成键合组件；在所述传感器芯片的第一位置执行第一划片，以穿透所述传感器芯片到达所述凹槽；以及在所述传感器芯片的第二位置执行第二划片，以穿透所述传感器芯片和所述器件芯片，将所述键合组件分离成单个MEMS组件，其中，所述凹槽与所述焊盘的位置相对应，并且在所述第二划片的同时，在所述传感器芯片中形成开口，以暴露所述焊盘。该方法采用两次不同深度的划片暴露传感器芯片的焊盘和切割MEMS组件，从而提高良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN111170266A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911416610.9
申请日：2019-12-31
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：在半导体衬底中形成CMOS电路结构；在半导体衬底的至少部分表面形成隔离层；以及在隔离层上形成MEMS结构，包括在隔离层上形成牺牲层、在牺牲层中形成结构层，以及去除至少部分牺牲层，使得部分结构层被释放以形成可动结构，在形成可动结构之前，制造方法还包括在CMOS电路结构上和至少部分MEMS结构上形成钝化层。该制造方法通过基于同一半导体衬底形成CMOS电路结构与可动结构，降低了CMOS电路结构与可动结构之间的寄生参数，并且在形成可动结构的步骤中，通过覆盖CMOS电路结构的钝化层保护了CMOS电路结构不被损伤。
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公开(公告)号：CN111115558A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911416797.2
申请日：2019-12-31
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H01L31/101 , H01L31/0216
摘要： 本申请公开了一种红外传感器件及其制造方法，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层与第二氮化硅层之间的氧化硅层。该红外传感器件通过氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构制作出了粘附性高、抗腐蚀能力强、重复性好、热导性高的红外吸收膜层。与现有技术相比，制造本发明的红外传感器件时不需要另外再购置设备以及采购IC标准工艺中不涉及的镍黑、镍铬等特种材料，降低产线成本。同时氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构及其制造方法成本低、无污染、可作为量产工艺手段。
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公开(公告)号：CN109665488A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811641765.8
申请日：2018-12-29
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司 , 杭州士兰微电子股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：形成CMOS电路；以及在CMOS电路上形成MEMS模块，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，形成MEMS模块的步骤包括：形成保护层；在保护层中形成牺牲层；在保护层与牺牲层上形成第一电极，并形成第一电极与CMOS电路之间的电连接，第一电极覆盖牺牲层；在第一电极上形成压电层，压电层与牺牲层的位置对应；在压电层上形成第二电极，并形成第二电极与CMOS电路之间的电连接；在第一电极上或保护层形成到达牺牲层的通孔；以及经由通孔除去牺牲层形成空腔。该方法制造的MEMS器件灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN105628054B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201511025641.3
申请日：2015-12-30
申请人： 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
摘要： 本发明提供了一种惯性传感器及其制作方法，在封帽硅片和器件硅片键合之后，刻蚀形成封帽硅片上的深槽引线窗口的同时，利用器件硅片上的图形化的金属电极层作为掩膜刻蚀形成压点柱，避免在形成可动质量块的过程中，采用的氢氟酸气相腐蚀工艺腐蚀压点柱结构下层的牺牲氧化层和隔离层，不会造成支撑压点柱的氧化层面积缩小或使压点柱被悬浮而使器件失效，有利于缩小压点柱的面积从而缩小整个惯性传感器的面积，提高惯性传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106115602A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610526397.7
申请日：2016-07-01
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B3/0021 , H04R19/00 , H04R31/00
摘要： 公开了一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜，振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的突点；第二牺牲层，位于振动隔膜上，具有第三空腔，振动隔膜的至少一部分位于第三空腔内；背极板层，位于第二牺牲层上，背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，背极板层包括位于第三空腔上方的背极板；防粘附层，位于基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。本发明能够减小振动隔膜与基底之间的接触面积，以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力，可以有效地减少或防止基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的粘连。
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公开(公告)号：CN105576070A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510967729.0
申请日：2015-12-18
申请人： 杭州士兰集成电路有限公司
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/09 , G01J5/12 , H01L31/1804
摘要： 本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本发明无需通过长时间的湿法腐蚀或干法刻蚀工艺来形成空腔，并且空腔的形成是在金属淀积之前，不存在常规湿法腐蚀硅衬底形成空腔的工艺中对金属的腐蚀问题，此外，该空腔的形成方法比较简单，可与常规CMOS工艺兼容，适于规模化生产。
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