公开(公告)号：CN107986225A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201611191404.9

申请日：2016-12-21

Applicant: 鑫创科技股份有限公司

Inventor： 谢聪敏 ,  李建兴 ,  蔡振维

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/001 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00984 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  B81B3/0002 ,  B81B3/0027 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/11

Abstract: 本发明公开一种微机电系统(MEMS)装置以及制作微机电系统的方法。该微机电系统装置包括衬底、介电支撑层、隔膜、背板。所述衬底具有与隔膜区对应的衬底开口。所述介电支撑层安置于所述衬底上，具有与所述衬底开口对应的介电开口以形成所述隔膜区。位于所述介电开口内的所述隔膜在周边处由所述介电支撑层固持。所述背板安置于所述介电支撑层上，具有多个通孔，所述多个通孔连接至所述介电开口。所述背板包括导电层及在与所述隔膜相对的第一侧处覆盖在所述导电层上的保护层，其中所述导电层的第二侧面对所述隔膜且不被所述保护层覆盖。

公开(公告)号：CN106365104A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610847987.X

申请日：2016-09-23

Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司

Inventor： 季锋 ,  闻永祥 ,  刘琛 ,  覃耀慰

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0002 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00436 ,  B81C2201/11

Abstract: 本申请公开了MEMS器件制造方法及MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成结构层；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层和所述衬底上形成结构层；在所述结构层上形成第一布线层；在所述第一绝缘层中形成空腔，所述结构层的第一部分位于空腔上方从而形成可动结构；以及在所述可动结构和所述第一绝缘层至少之一位于所述空腔内的暴露表面上，形成表面保护层。该MEMS器件利用表面保护层的疏水性和/或耐磨性能，减少微构件之间的粘附和磨损。

公开(公告)号：CN107473178A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710717374.9

申请日：2017-08-21

Applicant: 叶军

Inventor： 叶军

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00428 ,  B81C1/00952 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/11

Abstract: 本发明公开一种MEMS器件湿法刻蚀工艺，包括如下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽，采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；去除沟槽底面上的钝化层，对所述硅衬底的下表面进行机械抛光，在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层；使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层，去除光刻胶；去除牺牲层：通过使用液体腐蚀剂进行大范围的横向钻蚀，并留下独立的不需要依靠支撑物的部分，选择性地去除牺牲层；去除衬底减薄荷：由带有化学腐蚀液的物理研磨机制实现均匀的衬底去除和减薄，快速地去除圆片正面或背面的材料。本发明操作简单，低成本及效率高，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌。