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公开(公告)号：CN1702552A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073036.3
申请日：2005-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物包含由以化学式1的通式所表示的第一单元和以化学式2的通式所表示的第二单元共同形成的共聚物，其中R1、R2、R3、R7、R8和R9相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4是碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5和R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基。
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公开(公告)号：CN100444316C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510064543.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。
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公开(公告)号：CN100355023C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410080713.X
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，其包括：图形曝光部，其将液体设置在形成于基片上的保护薄膜与图形曝光部的投影透镜之间并进行曝光；杂质清除部，其清除包含在液体中的杂质；液体供给部，其向保护薄膜上供给液体；液体排出部，其将液体从保护薄膜上回收，并转移至杂质清除部，该杂质清除部由颗粒过滤器或化学过滤器构成。
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公开(公告)号：CN1616522A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410080712.5
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C08F12/20 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 光致抗蚀剂材料的基础树脂，由含有式1这样的通式表示的第一单元及式2这样的通式表示的第二单元的高分子化合物构成。还提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、基板密接性、显影溶解性优良的光致抗蚀剂材料。
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公开(公告)号：CN1616501A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410080711.0
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167
Abstract: 光致抗蚀剂材料的基础树脂，由含有以式1这样的通式表示的第一单元和以式2这样的通式表示的第二单元的高分子化合物构成。由此而提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、基板密接性、显影溶解性优良的光致抗蚀剂材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101102979A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680000518.9
申请日：2006-05-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B41/91 , C04B41/009 , C04B41/5346 , G02B2006/12166 , Y10T428/24479 , C04B41/0054 , C04B35/56
Abstract: 用由含卤素原子的气体和含氮原子的气体组成的混合气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1702551A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073033.X
申请日：2005-05-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物包含由以化学式1的通式所表示的第一单元和以化学式2的通式所表示的第二单元形成的共聚物，其中R1、R2、R3、R7和R8相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4是碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5和R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基；R9为氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基。
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公开(公告)号：CN1702550A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072000.3
申请日：2005-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种包含基础聚合物的抗蚀材料，其中基础聚合物中含有的化合物具有以化学式1的通式所表示的单元，其中R1、R2及R3相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4为碳原子数为0～20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5为氢原子、碳原子数为1～20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基；R6为含环酯化合物的基团、含有含羟基的脂环化合物的基团或者含有含六氟异丙醇的化合物的基团。
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公开(公告)号：CN1700416A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510064543.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种半导体制造装置，包括一液体供应部件，用以供应待施加到平台上的液体，该平台上置有带抗蚀膜的基底；一曝光部件，用以使曝光光线穿过遮光框照射平台上的抗蚀膜，该抗蚀膜上施加有液体；一电离防止部件，用以防止所述液体的电离。
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公开(公告)号：CN1611490A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410076928.4
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C07C311/01 , C08F28/00 , G03F7/00
CPC classification number: C08F220/18 , C08F212/02 , C08F228/02 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/107 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 本发明能够提供一种对波长小于等于300nm带的曝光光的透过性优良、衬底密接性、显像溶解性优良的抗蚀材料。抗蚀材料的基础树脂含有由[化学式1]这样的通式所表示的单元。R1、R2及R3相同或者不同，为氢原子、氟原子、碳原子数大于等于1且小于等于20的直链烷基、支链或环烷基、或者氟代烷基；R4为碳原子数大于等于0且小于等于20的直链亚烷基、或者支链或环状亚烷基；R5、R6相同或者不同，为氢原子、碳原子数大于等于1且小于等于20的直链烷基、支链或环烷基、氟代烷基、或者由酸脱离出来的保护基。
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