公开(公告)号：CN1761062A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510108588.3

申请日：2005-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中林隆 ,  新井秀幸 ,  大塚隆史 ,  矢野尚

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/32135 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，在第2层间绝缘膜(14)内形成槽(42)后，形成覆盖槽(42)的侧面及底面的存储电极(16)。在存储电极(16)之上形成电容绝缘膜(17)；在电容绝缘膜(17)之上，通过反复进行400摄氏度以下的低温的CVD法使用氨的退火，从而形成TiOxNY膜(19)。在TiOxNY膜(19)上形成TiN膜(20)，再以TiOxNY膜(19)为掩模，对TiN膜(20)进行腐蚀。然后，除去露出的TiOxNY膜(19)，从而形成由TiOxNY膜(19)及TiN膜(20)构成的板式电极(25)。能抑制DRAM区和逻辑区之间的层间绝缘膜的阶差的发生，而且能够更正确地调整板式触点的深度。

公开(公告)号：CN1619821A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410094977.0

申请日：2004-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野尚

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L28/55 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体装置，其具有：剖面上具有弯曲部的下部电极(16)，沿该下部电极(16)的上面形成由强电介质构成的电容器绝缘膜(17)，沿着该电容器绝缘膜(17)上面形成的上部电极(18)。电容器绝缘膜(17)和上部电极(18)是通过化学气相沉积法(CVD)形成的。本发明使具有立体形状的强电介质电容器元件的上部电极不发生破裂。

公开(公告)号：CN1638060A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003676.7

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野尚 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01B3/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  C23C16/409 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明防止在强电介质膜电容器中，强电介质膜的成分在膜厚方向上的不均匀，以实现具有良好电气特性的电容器。本发明的半导体装置的制造方法是，在半导体基板上形成下部电极(S11)；接着，通过使用第一原料气体的CVD法，在下部电极上形成第一强电介质膜(S13a)；然后，通过使用第二原料气体的CVD法，在第一强电介质膜上形成第二强电介质膜(S13b)；此后，在第二强电介质膜上形成上部电极(S14)；其中，包含于形成第一强电介质膜工序(S13a)中使用的第一原料气体中的铋浓度与包含于形成第二强电介质膜工序(S13b)中使用的第二原料气体中的铋浓度不同。