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公开(公告)号：CN103765624B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280041825.7
申请日：2012-08-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/50 , C07D405/10 , C07D409/10
CPC分类号： C07D405/10 , C07D241/38 , C07D403/10 , C07D409/10 , C09B57/00 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要： 提供如下新的杂环化合物，该杂环化合物具有优异的耐热性并能够用作发光物质（发射荧光的物质或发射磷光的物质）的主体材料。一种发光元件，该发光元件包含如下杂环化合物，该杂环化合物包含一个二苯并[f,h]喹喔啉环、一个具有空穴传输骨架的环以及2至8个苯环。另外，在上述结构中，杂环化合物的分子量为大于或等于564且小于或等于1000。
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公开(公告)号：CN103765624A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041825.7
申请日：2012-08-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/50 , C07D405/10 , C07D409/10
CPC分类号： C07D405/10 , C07D241/38 , C07D403/10 , C07D409/10 , C09B57/00 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072
摘要： 本发明提供如下新的杂环化合物，该杂环化合物具有优异的耐热性并能够用作发光物质（发射荧光的物质或发射磷光的物质）的主体材料。一种发光元件，该发光元件包含如下杂环化合物，该杂环化合物包含一个二苯并[f,h]喹喔啉环、一个具有空穴传输骨架的环以及2至8个苯环。另外，在上述结构中，杂环化合物的分子量为大于或等于564且小于或等于1000。
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公开(公告)号：CN102345115A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110220485.1
申请日：2011-07-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23C16/50 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , C30B25/105 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/08 , H01L29/04 , H01L29/78618 , H01L29/78648
摘要： 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。
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公开(公告)号：CN116354973A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211671435.X
申请日：2022-12-23
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D491/048 , C07D495/04 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/12 , H10K50/15 , H10K50/16 , H05B33/14
摘要： 提供一种寿命长且发光效率高的有机化合物。提供一种发光器件、薄膜、发光装置、电子设备及照明装置。提供由通式(G1)表示的有机化合物。在通式中，X1至X4中的任一个表示N，另一个表示C，其他表示C或N，C中的任一个与由通式(r1)表示的基键合，其他与氢(H)、烷(R)基、环烷(Cy)基、芳(Ar)基或杂芳(Het)基键合。Ar1表示芳烃，与相邻环在任意位置稠合。在Ar1为苯环时，包括Ar基或Het基。Q、Z表示O或S。R31至R34中的任意个表示与X1至X4中的任意个的键，其他表示H、R基、Cy基、Ar基或Het基。R35至R38中的任一个表示多环芳烃基或Het基，其他表示H、R基、Cy基、Ar基或Het基。
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公开(公告)号：CN102345115B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110220485.1
申请日：2011-07-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C23C16/50 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , C30B25/105 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/08 , H01L29/04 , H01L29/78618 , H01L29/78648
摘要： 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。
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