公开(公告)号：CN107531490A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680020092.7

申请日：2016-02-05

申请人： 环保电力集团有限公司

发明人： 戴尔·文斯

IPC分类号： C01B32/26 ,  C30B29/04 ,  C30B25/00 ,  C25B1/04 ,  C25B3/04

CPC分类号： C30B29/04 ,  B28D5/00 ,  C01B32/25 ,  C01B32/50 ,  C12P5/023 ,  C25B1/04 ,  C25B1/10 ,  C25B3/04 ,  C25B15/08 ,  C30B25/105 ,  C30B25/205 ,  C30B35/007 ,  Y02E50/343 ,  Y02E60/366

摘要： 公开了一种生产合成金刚石的方法，该方法包括甲烷和氢气的化学气相沉积(CVD)，其中甲烷是通过使二氧化碳与水或氢气反应而获得，氢气是通过水的电解而获得。

公开(公告)号：CN103572248B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310337976.3

申请日：2013-08-06

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 野口仁

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/517

CPC分类号： C30B25/16 ,  C23C16/27 ,  C23C16/272 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32926 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321

摘要： 通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。

公开(公告)号：CN107109691A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680006136.0

申请日：2016-07-22

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

发明人： 西林良树 ,  辰巳夏生 ,  角谷均 ,  植田晓彦 ,  小林丰

IPC分类号： C30B29/04 ,  B23B51/00 ,  C23C16/27 ,  C30B25/20

CPC分类号： C30B29/04 ,  B21C3/025 ,  C23C16/27 ,  C23C16/274 ,  C30B9/00 ,  C30B25/105 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20

摘要： 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。

公开(公告)号：CN104760955B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510122798.1

申请日：2010-04-27

申请人： 储晞

发明人： 储晞

IPC分类号： C01B31/06

CPC分类号： C01B31/06 ,  B01J19/088 ,  B01J19/126 ,  B01J19/129 ,  B01J2219/0805 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/1203 ,  B01J2219/1206 ,  C01B32/25 ,  C23C16/27 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04

摘要： 提供一种生产大颗粒金刚石的方法和设备。该方法包括以下步骤：将含碳气体和辅助气体形成至少一个适合金刚石生长的反应区域；在适合金刚石生长的温度下，控制耐高温小颗粒种子在反应区域中保持动态，以生成大颗粒金刚石。在该方法中，使耐高温小颗粒种子的各表面不断外延生长，由此生成大颗粒金刚石。

公开(公告)号：CN103748791B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201280037177.8

申请日：2012-05-29

申请人： 晶阳股份有限公司

发明人： V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  T·S·拉维 ,  A·卡祖巴 ,  Q·V·特鲁翁 ,  J·R·瓦特斯

IPC分类号： H03K19/195

CPC分类号： C30B25/14 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1804

摘要： 一种通过硅前体消耗模式中的外延沉积与交叉流沉积来沉积薄的单晶硅晶片的系统，其可包括：具有低总热量、高发射率和小体积的衬底载体；具有快速升温、高效产热、和加热空间控制的灯模块；以及为交叉流处理而设计的歧管。此外，衬底载体可包括热反射器，以控制从载体边缘的热损失和/或控制热阻挡件，以使载体与歧管热绝缘，使歧管可进行的独立的温度控制。载体和衬底可配置成在衬底的两侧进行沉积，衬底在两侧上具有剥离层以及载体配置成在衬底在两侧上具有均等的工艺气流。通过一种包括多个微型批量处理反应器的沉积系统可处理高容量。

公开(公告)号：CN106061893A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580007280.1

申请日：2015-02-04

申请人： 新加坡国立大学

发明人： 巴尔巴罗斯·厄兹耶尔马兹 ,  安德烈亚斯·沃尔克·施蒂尔 ,  杜志达 ,  安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗内托

IPC分类号： C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  B82Y40/00 ,  B82B3/00

CPC分类号： C30B25/105 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/188 ,  C30B1/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02

摘要： 一种制造石墨烯的方法，包括：在存在金属衬底的情况下提供种子气体；提供脉冲紫外激光束；以及使衬底或激光束相对于另一者移动，从而使石墨烯结晶前沿前移并且形成有序石墨烯结构。在一些情况下，衬底可以具有二重原子对称的表面。一种使石墨烯再结晶的方法，包括向多晶石墨烯片提供脉冲紫外激光束。

公开(公告)号：CN105705683A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201580002536.X

申请日：2015-02-02

申请人： 并木精密宝石株式会社

发明人： 会田英雄 ,  小山浩司 ,  池尻宪次郎 ,  金圣祐

IPC分类号： C30B29/04 ,  C01B31/06 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27

CPC分类号： C30B25/183 ,  C23C16/274 ,  C23C16/279 ,  C30B23/025 ,  C30B25/105 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/34

摘要： 本发明提供通过在结晶生长时释放应力而防止金刚石基板产生裂纹、且能将金刚石基板内部的结晶面的曲率降低到超过0km-1且1500km-1以下的金刚石基板及制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征在于，准备基体基板，在该基体基板的单面形成多个由金刚石单晶构成的柱状金刚石，使金刚石单晶从各柱状金刚石的前端生长，并使从各柱状金刚石的前端生长的各金刚石单晶聚结以形成金刚石基板层，从基体基板将金刚石基板层分离，由金刚石基板层制造金刚石基板，使金刚石基板的内部的结晶面的曲率为超过0km-1且1500km-1以下。

公开(公告)号：CN105474360A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046331.7

申请日：2014-06-23

申请人： 挪威科技大学(NTNU)

发明人： B-O·费姆兰 ,  D·L·戴斯 ,  H·沃曼

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02469 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/151 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22

摘要： 包括在石墨衬底上的膜的物质组合物，所述膜在所述衬底上外延生长，其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。

公开(公告)号：CN102076891B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN200980123816.0

申请日：2009-07-22

申请人： 六号元素有限公司

发明人： G·A·斯卡司布鲁克 ,  D·J·特维切 ,  M·L·马克汉姆

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B29/04 ,  C30B23/06

CPC分类号： G06N99/002 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/105 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02

摘要： 具有高化学纯度即低氮含量和高同位素纯度即低13C含量的单晶金刚石，描述了用于制备相同单晶金刚石和包含这种单晶金刚石的固态系统的方法。

公开(公告)号：CN104937136A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380064698.7

申请日：2013-12-04

申请人： 六号元素技术有限公司

发明人： C·S·J·皮克尔斯 ,  C·沃特 ,  J·布兰登 ,  N·珀金斯

IPC分类号： C23C16/27 ,  C30B25/10 ,  C30B29/04

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/165 ,  C30B29/04

摘要： 使用微波等离子体化学气相沉积(CVD)合成技术采用合成金刚石材料涂覆非耐火的和/或非平面的基材(8)的方法，该方法包括：·形成复合基材组件(1)，该组件(1)包括：·包含上表面的支撑基材(2)；·布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hg的一个或多个导电耐火防护物(6)；和布置在该支撑基材的上表面上方并且延伸至高于该支撑基材的上表面的高度hs的一个或多个非耐火的和/或非平面的基材，其中高度hs小于高度hg，其中高度差hg－hs处于0.2mm至10mm范围内；·将该复合基材组件置于微波等离子体CVD反应器的等离子体室内；·将工艺气体供给到等离子体室中，包括含碳气体和含氢气体；·在等离子体室中供给微波以在该复合基材组件上方的位置处形成微波等离子体；和·在该一个或多个非耐火的和/或非平面的基材上生长合成金刚石材料。