公开(公告)号：CN102345115B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110220485.1

申请日：2011-07-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田岛亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤绘里香 ,  森久保都

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

摘要： 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

公开(公告)号：CN101937932A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。

公开(公告)号：CN101834140B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201010139407.4

申请日：2010-03-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 宫入秀和 ,  加藤绘里香 ,  铃木邦彦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

摘要： 不容易发生工作初期中的退化的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。制造一种薄膜晶体管，包括：至少最外表面为氮化硅层的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体层；以及在该半导体层上的缓冲层，其中该半导体层中的与栅极绝缘层的界面附近的氮浓度低于缓冲层及半导体层的其他部分的氮浓度。这种薄膜晶体管在形成半导体层之前将栅极绝缘层暴露于大气气氛，并且进行等离子体处理来制造。

公开(公告)号：CN101937932B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。

公开(公告)号：CN102345115A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110220485.1

申请日：2011-07-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田岛亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤绘里香 ,  森久保都

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

摘要： 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

公开(公告)号：CN101834140A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010139407.4

申请日：2010-03-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 宫入秀和 ,  加藤绘里香 ,  铃木邦彦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

摘要： 不容易发生工作初期中的退化的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。制造一种薄膜晶体管，包括：至少最外表面为氮化硅层的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体层；以及在该半导体层上的缓冲层，其中该半导体层中的与栅极绝缘层的界面附近的氮浓度低于缓冲层及半导体层的其他部分的氮浓度。这种薄膜晶体管在形成半导体层之前将栅极绝缘层暴露于大气气氛，并且进行等离子体处理来制造。