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公开(公告)号：CN111448669A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079057.1
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。
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公开(公告)号：CN101599504B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910159447.2
申请日：2006-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L51/5012 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明涉及包括发光元件的器件，提供了一种器件，包括：第一发光元件；第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。
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公开(公告)号：CN111587491A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880079059.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体上、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第三绝缘体上的第四绝缘体，其中第四绝缘体与第三导电体、第二绝缘体及第三氧化物的每一个的顶面接触。
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公开(公告)号：CN102345115A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110220485.1
申请日：2011-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C16/50 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , C30B25/105 , C30B25/183 , C30B29/06 , C30B29/08 , H01L29/04 , H01L29/78618 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。
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公开(公告)号：CN101599504A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910159447.2
申请日：2006-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L51/5012 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明涉及包括发光元件的器件，提供了一种器件，包括：第一发光元件；第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117690977A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311531376.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的第二侧面接触，第四绝缘体的一部分中形成到达第二绝缘体的开口，且第五绝缘体通过该开口与第二绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111033702A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/11519 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。
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公开(公告)号：CN100534245C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610071996.0
申请日：2006-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L51/5012 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明提供具有第一发光元件、第二发光元件、恒流电源以及放大器的显示器件。其中第一发光元件和第二发光元件各具有在一对电极之间层叠而形成的含有有机化合物和无机化合物的第一层和含有发光物质的第二层。所述第一层提供在所述第二层上。或者，所述第二层提供在所述第一层上。
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公开(公告)号：CN113793872A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111054048.7
申请日：2015-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/02 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置及其制造方法”，且目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：衬底上形成的第一绝缘体；第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；第二绝缘体上形成的第一导电体；以及第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。
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公开(公告)号：CN112703598A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980060662.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , G02B5/22 , H01L21/02 , H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/33
Abstract: 提供一种适合检测红外光的摄像装置。本发明是一种摄像装置，其中依次层叠第一层、第二层、第三层、第四层，第一层包括红外透射滤波器，第二层包含单晶硅，第三层包括器件形成层，第四层包括支撑衬底，第二层包括将单晶硅用作光吸收层的光电转换器件，第三层包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管，光电转换器件与晶体管电连接，光电转换器件接收透过红外透射滤波器的光。
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