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公开(公告)号：CN115917777A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180036890.X
申请日：2021-05-18
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M4/13
摘要： 提供一种劣化少的负极。另外，提供一种新颖的负极。二次电池包括正极及负极，负极包括包含氟的溶剂、集流体、负极活性物质及石墨烯。负极还包括固体电解质材料，固体电解质材料为氧化物。负极活性物质也可以包含氟。另外，二次电池也可以包括多个不同的电解质。负极活性物质例如为包含选自硅、锡、镓、铝、锗、铅、锑、铋、银、锌、镉和铟中的一个以上的元素的材料。
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公开(公告)号：CN115516689A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033408.7
申请日：2021-05-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/0569 , H01G11/06 , H01G11/60 , H01M10/052
摘要： 本发明的一个方式提供一种二次电池，该二次电池在较广的温度范围内可用而不容易受到环境温度的影响。此外，提供一种安全性高的二次电池。为了降低电极与电解质的界面电阻，使用混合高温特性优异的链状酯与5vol.％以上，优选为20vol.％以上的氟代碳酸酯而成的电解质，由此可以实现在较广的温度范围，具体为‑40℃以上且150℃以下，优选为‑40℃以上且85℃以下的范围内可工作的二次电池。
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公开(公告)号：CN108117509B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201810053369.7
申请日：2011-09-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
摘要： 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN106083835B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201610423031.7
申请日：2011-03-01
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D409/10 , C07D405/10 , C07D403/10
摘要： 本发明的目的是提供可用于发光元件、作为在其中分散有发光物质的发光层的主体材料的新型杂环化合物。本发明的其他目的是提供具有低的驱动电压的发光元件、具有高的电流效率的发光元件、和具有长的寿命的发光元件。提供包括其中二苯并[f,h]喹喔啉环和空穴传输骨架通过亚芳基键合的化合物的发光元件，和各自使用该发光元件的发光器件、电子器件、和照明器件。提供由以下通式(G1)表示的杂环化合物。
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公开(公告)号：CN110114910A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780074360.8
申请日：2017-12-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M2/16 , H01B1/06 , H01M10/056 , H01M10/058
摘要： 提供一种在使用包含固体电解质的固体电池中防止正极与负极之间的短路的层。作为正极与负极之间的固体电解质，使用包含石墨烯化合物的层。包含石墨烯化合物的层能够使锂离子穿过。预先对包含石墨烯化合物的层添加锂离子。具体而言，使用修饰剂，并使用使扩大层间距离的醚、酯等官能团化学修饰的石墨烯化合物。
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公开(公告)号：CN101899037B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201010158592.1
申请日：2010-03-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D403/10 , C07D249/08 , C07D231/12 , C09K11/06 , F21K2/08 , H01L51/54 , H05B33/00
摘要： 本发明涉及具有杂芳环的衍生物、使用具有杂芳环的衍生物的发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备。本发明的目的之一在于提供一种新的具有杂芳环的双极性衍生物作为激发能大的物质。提供一种由通式(G1)表示的具有杂芳环的衍生物。在通式中，R11至R20分别表示氢、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。另外J表示取代或未取代的形成环的碳数为6至12的亚芳基。另外，α，β还可以互相结合形成咔唑骨架。另外Het表示通式(S1-1)及通式(S1-2)表示的取代基。在通式(S1-1)及通式(S1-2)中，Ar1至Ar4分别表示取代或未取代的形成环的碳数为6至10的芳基。R1表示氢原子、碳数为1至4的烷基、形成环的碳数为6至10的芳基。
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公开(公告)号：CN102655222B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210057926.5
申请日：2012-02-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L2251/5384 , H01L2251/552
摘要： 本发明的课题是提供一种外量子效率高的发光元件。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极之间的包含客体、n型主体、p型主体的发光层，其中，从客体的三重激发态与基态之间的能量差减去n型主体(或p型主体)的三重激发态与基态之间的能量差而求得的值为0.15eV以上。在该发光元件中，由于不容易发生从三重激发态的客体到n型主体(或p型主体)的三重激发态的转移，所以高效地进行从处于三重激发态的客体的发光。或者，本发明还提供一种发光元件，其中，n型主体的LUMO能级比客体的LUMO能级高0.1eV以上或p型主体的HOMO能级比客体的HOMO能级低0.1eV以上。该发光元件在客体内高效地发生电子与空穴的复合，从而可以提高发光效率或外量子效率。
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公开(公告)号：CN103518268B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280015574.5
申请日：2012-03-01
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/504 , H01L27/3209 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L2251/5346 , H01L2251/5376 , H01L2251/5384
摘要： 提供一种具有25%左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低驱动电压（2.6V）下，发光元件显示极高的发光效率（74.3lm/W的功率效率，24.5%的外部量子效率，19.3%的能量效率）。
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公开(公告)号：CN103396411B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310287456.6
申请日：2008-11-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D413/10 , C07D413/14 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC分类号： C09K11/06 , C07D413/10 , C07D413/14 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/1048 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , Y10S428/917
摘要： 本发明的目的在于：提供一种新的喹喔啉衍生物；提供一种驱动电压低的发光元件；提供耗电少的发光元件；以及提供通过使用这些发光元件提供低耗电的发光装置及电子设备。本发明提供以通式（G11）表示的喹喔啉衍生物，它具有喹喔啉的二位或三位的至少一方的碳和苯并唑的二位的碳介由亚芳基彼此键合的结构。
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公开(公告)号：CN105001146A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510278404.1
申请日：2011-09-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： C07D209/86 , C07C25/22
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917 , C07C25/22
摘要： 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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