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公开(公告)号：CN105810742A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610356770.9
申请日：2011-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 竹村保彦
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02565 , H01L21/823814 , H01L29/24 , H01L29/41725 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L29/78693
Abstract: 场效应晶体管。将绝缘膜设置在包含含有铟作为主要组分的第一氧化物半导体的第一半导体层的一个表面上，并且将包含i型第二氧化物半导体的第二半导体层以与第一半导体层的另一个表面接触的方式设置在上述另一个表面上。第二氧化物半导体的真空能级和费米能级之间的能量差大于第一氧化物半导体的该能量差。在第一半导体层中，与满足上述条件的第二氧化物半导体的结合表面近旁的区域为具有极低载流子浓度的区域(准i型区域)。通过利用该区域作为沟道，能够降低截止电流。另外，FET的漏极电流穿过具有高迁移率的上述第一氧化物半导体；因此，能够取出大量的电流。
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公开(公告)号：CN103702936A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280036403.0
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C01B31/043 , B01D61/44 , B01D61/445 , B01D61/46 , B01D2311/04 , B01D2311/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0476 , C01B32/192 , C01B32/23 , H01M4/583 , H01M4/621 , H01M4/625
Abstract: 本发明的目的之一是实现批量生产高纯度的氧化石墨、氧化石墨烯或石墨烯。通过对利用氧化剂将石墨氧化而获得的氧化石墨溶液进行电渗析去除水溶性离子，来提高氧化石墨的纯度。通过将使用该氧化石墨制造的氧化石墨烯与粉体混合并进行还原，可以获得呈导电性的石墨烯，且可以与粉体结合。可以将该石墨烯用作各种电池的导电助剂及粘结剂的代替物。
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公开(公告)号：CN1603924B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200410088064.8
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
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公开(公告)号：CN1881620B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610101853.X
申请日：1994-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12
Abstract: 本发明的一种半导体设备，包括：在具有绝缘表面的衬底上的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。
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公开(公告)号：CN100565825C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710152806.2
申请日：1995-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 一种薄膜晶体管，可减少源极和漏极之间的漏电流。用湿法蚀刻技术蚀刻硅膜以获得具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。另外，用干法蚀刻技术形成具有锥形边缘部分的岛状半导体区域，并用蚀刻例如氢或氢氟氮酸蚀刻边缘部分。结果，在岛状半导体区域中，可除去干法蚀刻时已被等离子体破坏的部分。减少由这一部分引起的源极和漏极之间的漏电流和减少当栅极横断岛状硅区域时发生断开的缺陷。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN100530569C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610100793.X
申请日：1994-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/31
Abstract: 本发明的一种半导体设备，包括：在具有绝缘表面的衬底上的硅岛，所述硅岛包括源极、漏极和位于所述源极和所述漏极之间的沟道；毗邻所述沟道配置的栅电极，所述栅电极和所述沟道之间有栅绝缘层；掺杂区，其掺杂浓度比所述源极和配置在所述沟道和所述源极和所述漏极中的至少一个之间的所述漏极的浓度要低；和在所述栅电极和所述硅岛上具有氮化硅的层，所述层具有与栅绝缘层接触的部分，其中所述栅绝缘层具有在所述沟道上的第一部分和在所述掺杂区上的第二部分，且所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度要薄。
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公开(公告)号：CN100501980C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610103003.3
申请日：1994-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTs由无定形硅薄膜构成。
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公开(公告)号：CN100477247C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410101997.6
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。
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公开(公告)号：CN100437945C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510091919.7
申请日：1994-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。
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