一种多晶硅变流变压器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115588567A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211234917.9

    申请日:2022-10-10

    IPC分类号: H01F29/02 H01F27/28 H01F27/34

    摘要: 本发明提供了一种多晶硅变流变压器,包括:三相铁心、以及分别套设在所述三相铁心上的三相原边绕组和三相副边绕组;其中,每相所述副边绕组均为单相副边绕组,三相所述单相副边绕组之间相互电气独立,且彼此绝缘;每相所述原边绕组沿所述铁心轴向方向分裂为两个绕组,分别为第一原边绕组和第二原边绕组,每相中分裂的所述第一原边绕组和所述第二原边绕组之间并联或串联。本发明中提供的多晶硅变流变压器可同时当成10kV或者20kV产品使用,因而大大降低了用户的投资成本,特别适用于从10kV改造成20kV电网的多晶硅生产企业。同时无论工作10kV级或者20kV级受电状态,都能最大限度地获取最佳的电磁安匝平衡。

    干式变压器
    8.
    发明公开
    干式变压器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117936249A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410225774.8

    申请日:2024-02-29

    IPC分类号: H01F27/30 H01F27/08 H01F27/34

    摘要: 本发明提供一种干式变压器,包括:铁芯,具有三个芯柱,三个所述芯柱并列设置;低压绕组,每个所述芯柱上均套设一组所述低压绕组,各组所述低压绕组包括:套设于所述芯柱上且沿所述芯柱的轴线方向间隔排布的多个第一绕组、一一对应地套设于各所述第一绕组上的第二绕组,以及填充所述第一绕组与所述第二绕组之间的间隙的第一填充层;高压绕组,分别绕设在每组所述低压绕组上,所述低压绕组与所述高压绕组之间的间隙填充有第二填充层。本发明实现了低压绕组的纵向(芯柱的轴向)并联箔绕结构,能够均匀电流密度,减少涡流损耗,保障干式变压器的安全稳定运行。