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公开(公告)号：CN114634366A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210145157.8
申请日：2022-02-17
申请人： 福建闽航电子有限公司 , 福建工程学院
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种基于纤维氧化铝的陶瓷管壳制备方法，包括：配制陶瓷浆料，所述陶瓷浆料包括陶瓷粉末、塑化剂、表面活性剂和溶剂；将陶瓷浆料注入带有齿梳出口的流延机，流延并烘干，形成纤维沿流延方向定向排列的生坯带材；将生坯带材切割成板坯，印刷上导线，其中相邻板坯印刷导线时翻转90度；将印刷导线后的板坯层叠压实，进行冲孔，注浆后烧结获得陶瓷管壳，使得产品达到限位强化作用，并且避免基板翘曲。
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公开(公告)号：CN110706940B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910989744.3
申请日：2019-10-17
申请人： 福建工程学院
IPC分类号： H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/44 , H01G11/46 , H01G11/24 , C01B32/05 , C01G45/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种三维多孔碳‑氧化锰核壳结构材料及其制备方法，其是以树皮为原料制得的三维蜂窝状多孔碳为骨架，在其表面生长MnO2纳米结构，而制成核壳结构的C@MnO2。本发明三维多孔碳‑氧化锰核壳结构材料借助碳骨架的高导电和大的比表面，提高了MnO2材料整体的电导率和电化学活性，又充分发挥了核壳结构的协同效应，从而具有导电率高、比电容大和循环稳定性好的优点，可用作超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN111620711A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010438326.8
申请日：2020-05-21
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/645 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证层状结构的形成，形成层状结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN110186986A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910541655.2
申请日：2019-06-21
申请人： 福建工程学院
IPC分类号： G01N27/416 , G01N27/327 , C25D11/34 , B01L3/00
摘要： 本发明公开了无酶的葡萄糖电化学传感器及其检测方法。所述传感器包括由工作电极、参比电极和对电极组成的三电极体系，所述工作电极为多孔Cu集流体表面构筑的具有P-N结特性的同质结铜氧化物纳米纤维阵列。本发明传感器将工作电极设计为在多孔Cu表面原位构筑的具有同质结特性的氧化铜，从而提高工作电极电子和空穴的分离能力，通过预施加负电压使电极表面附着OH-，在施加正电压进行检测，并利用阳离子交换膜减缓切换电压后OH-的脱附，从而实现在体液中性条件下的高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN114057241A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111506772.9
申请日：2021-12-10
申请人： 福建工程学院
摘要： 本发明提供了一种自支撑低晶相Ni(OH)2·0.75H2O@NiMoO4纳米片电极的制备方法及应用，一步合成的产物为多层片状阵列，在结构中均匀细小NiMoO4颗粒镶嵌于Ni(OH)纳米片中，Ni(OH)2·0.75H2O和NiMoO4界面紧密接触不但有利于电解液的渗透、暴露尽可能的活性点外，还减小了电荷的传递阻抗、循环稳定性得到较好提升。
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公开(公告)号：CN113387335A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110843491.6
申请日：2021-07-26
申请人： 福建工程学院
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN111620711B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010438326.8
申请日：2020-05-21
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/645 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证错排层叠结构的形成，形成错排层叠结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN113184924B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110678681.7
申请日：2021-06-18
申请人： 福建工程学院
IPC分类号： C01G53/00
摘要： 本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法，所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2，其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合，元素总量为x，，M为过渡族金属元素，X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2，即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层，可以对其插层量进行调控，从而得到不同的晶体结构，该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力，本发明的制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。
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公开(公告)号：CN114724957A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210151557.X
申请日：2022-02-18
申请人： 福建闽航电子有限公司 , 福建工程学院
摘要： 本发明提供一种用于陶瓷封装体的孤导引镀工艺，包括：配制陶瓷浆料，之后注入流延机进行流延，形成生坯带材，之后将生坯带材切割成板坯；将每个板胚进行冲孔、注浆，并在每个板坯上印刷对应的线路，之后再进行层压，切割；板坯上分别印刷线路，使得一底片上将所需引线金属化引出，冲孔使得该底片上的孤导区与另一底片连通，使得孤导区从另一底片引出导通；进行端头印刷，将所述引线与孤导以及封接区金属化相连；并进行烧结；进行化学镀镍，装配钎焊以及电镀，最后将端头进行打磨，得到陶瓷封装体；使得得键合区，芯片粘结区上不存在凸点。
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公开(公告)号：CN117026162A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310730650.0
申请日：2023-06-20
申请人： 福建工程学院
摘要： 本发明提供了一种高熵合金涂层及其制备方法，属于高熵合金涂层技术领域。本发明的高熵合金涂层包含Fe、Co、Ni、Cr、Al、Nb和Si元素，其中Fe、Co、Ni、Cr、Al、Nb和Si元素的摩尔比为1：1：1：1.0～1.2：1：0.85～0.95：0.5～1.0。首先按比例称取原料粉末后混合均匀，之后将混合均匀的原料顺次进行熔炼、雾化处理，得到高熵合金粉末；然后将高熵合金粉末采用PS‑PVD工艺喷涂在基体上，即可得到高熵合金涂层。本发明的高熵合金涂层的高温氧化性和耐磨性能大大提高。
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