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公开(公告)号：CN115044971B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210567575.6
申请日：2022-05-23
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C23C16/458 , C30B25/16 , H01L21/683
摘要： 申请公开一种用于气相生长装置的晶圆承载装置及控制方法。该晶圆承载装置包括：壳体，其内有支撑筒，支撑筒内设有复数沿其轴向延伸的第二通道，支撑筒的一侧有依次层叠的抽气环及托盘，托盘内设有延其轴向的第一通道，支撑筒另一侧有旋转载盘，其内有沿径向延伸的第三通道，旋转载盘连接驱动部的转轴，转轴上设有复数沿其轴向延伸的第四通道，驱动部的远离壳侧配置有密封盖，该密封盖上设有第一穿孔，该第一穿孔经管路连接至抽真空装置。基于抽真空装置动作该第一通道、第二通道、第三通道、第四通道及第一穿孔连通，其组合以构成负压通道。实现晶圆可靠的放置于托盘上并以一定的速度旋转，避免飞盘的发生，同时避免晶圆的边缘翘起。
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公开(公告)号：CN116427022A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310279485.1
申请日：2023-03-21
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种碳化硅外延设备及控制方法，该碳化硅外延设备包括：成膜装置，其包括壳体及升降组件，该壳体的顶部侧设置喷淋部件，壳体上设置有用于供机械手进出的开口部，壳体内的底部侧设置有支撑部，支撑部经连接部连接至壳体底部外侧的第一驱动部，壳体内设置有沿其轴向配置的第一石墨部件及第二石墨部件，第一石墨部件上套设有第一保温部件，第二石墨部件上套设有第二保温部件，且第二石墨部件及第二保温部件皆连接托板，所述升降组件配置于所述壳体的下方侧，且所述升降组件具有沿壳体轴向移动的伸缩部，所述伸缩部的一端穿过所述壳体的底部并连接至托板长，能保证衬底侧反应面的温度在工艺温度范围内±1℃，且温度分布均匀。
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公开(公告)号：CN116397326A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310120400.5
申请日：2023-02-15
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种碳化硅外延设备及加热控制方法，该加热控制方法包括：基于温度检测单元采样温度信息并反馈至数据处理单元，数据处理单元基于接收的温度信息经预设的算法运算生成第一指令并反馈至温度控制单元，温度控制单元基于接收的第一指令计算出匹配对应的第二指令并反馈至加热执行单元，所述加热执行单元接收并响应第二指令输出第三指令对第一侧壁加热器、第二侧壁加热器、第三侧壁加热器及底部加热器的实际加热输出。通过本申请提出的方法加热器的寿命长，能保证衬底侧反应面的温度在工艺温度范围内±1℃，且温度分布均匀。
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公开(公告)号：CN115013613A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210531504.0
申请日：2022-05-16
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： F16L23/00 , F16L23/028 , F16L23/16 , F16L37/50
摘要： 本申请提出一种管路连接组件。该管路连接组件包括：第一连接部件，其中部设置有第一容纳腔，且内壁为球形弧面；第二连接部件，其中部设置有第二容纳腔，且内壁为球形弧面，第二连接部件连接于第一连接部件；第一密封件，其为半球形平台，外壁为球形弧面，中部设置有第一通孔及第一容置腔体，第一密封件设置于第一容纳腔内；第二密封件，其为半球形，外壁为球形弧面，中部设置有第二通孔及第二容置腔体，第二密封件设置于第二容纳腔内；第一连接部件、第二连接部件、第一密封件与第二密封件的球形弧面半径相同；第一对接管，其连接于第一连接部件或第一密封件；及第二对接管，其连接于第二连接部件或第二密封件。使两端管路在不同轴或不同角度方向上对接。
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公开(公告)号：CN114737254B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210648825.9
申请日：2022-06-09
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种碳化硅外延生长装置及生长工艺方法。该生长装置包括：反应模块及旋转托盘组件，反应模块内设有反应腔，旋转托盘组件配置于反应腔的底部，旋转托盘组件包括：石墨托盘及旋转支撑部，石墨托盘上设有用于放置衬底的凹陷部，凹陷部内设有环状的第一凹槽，第一凹槽被配置为衬底的边缘在石墨托盘上的投影落在第一凹槽内，石墨托盘上设有多个边缘C源气体流路，多个边缘C源气体流路沿第一凹槽的周向排布，且将第一凹槽与旋转支撑部的内腔连通，多个边缘C源气体流路将注入至旋转支撑部的内腔的C源气体引导至第一凹槽，C源气体经第一凹槽引导至衬底的边缘侧。以提高衬底的边缘侧C含量，抑制边缘N的掺杂效率，实现掺杂浓度均匀的目的。
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公开(公告)号：CN113718331B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111287621.9
申请日：2021-11-02
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请提出一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法。该生长反应模块及拿取部件，生长反应模块包括：主体部，主体部内配置有反应腔，主体部的一侧具有开口部，开口部配置有喷淋组件，喷淋组件的进气侧通过匹配对应的管道连接至气体供给系统，反应腔内配置有旋转装置，转装置上放置托盘，所述托盘下配置有衬底加热器，所述喷淋组件的出气侧对着托盘，沿主体部的轴向配置有侧壁加热器，所述主体部的侧壁配置有进料口，所述拿取部件的机械手通过进料口以托盘装盘或取托盘，所述主体部的侧壁配置有抽气口，所述抽气口通过抽气管连接真空泵。利用拿取部件实现在较高的温度下装载/取托盘，减少等待时间、提高生产效率，设备利用率。
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公开(公告)号：CN113611647A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202111168082.7
申请日：2021-10-08
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种半导体传输系统及其传输方法，半导体传输系统包括传输腔,以及与传输腔连接的若干个工序加工腔；若干个工序加工腔分别设置在传输腔的外围，且若干个工序加工腔通过真空闸阀与传输腔连接；若干个工序加工腔包括与传输腔连接的取片室、装片室、若干个反应腔、缓存室；传输腔内设置有内部转移机构，内部转移机构包括用于传送的真空机械手；传输腔外部设置有外部转移机构和托盘盒以及上料片盒和下料片盒；外部转移机构能在传输腔和托盘盒以及上料片盒和下料片盒之间实现上料或下料。本发明提供了一种传送稳定、便捷、可靠性高的半导体传输系统及其传输方法。
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公开(公告)号：CN117089927A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311328751.1
申请日：2023-10-14
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种薄膜外延设备的气体吹扫系统及吹扫方法。该薄膜外延设备包括：反应腔，包括壳体和位于壳体内的内衬筒；喷淋头设于壳体的顶部；载料部，其设于壳体内的底部侧，用于放置衬底，且所述支撑部内设置有第二加热器；该气体吹扫系统包括：顶部吹扫组件，其包括连通至喷淋头的喷淋头吹扫管路及包括气环吹扫管路和壳体吹扫管路的侧向吹扫组件，气环吹扫管路的出气端位于壳体内并靠近喷淋头侧，且通入的吹扫气体沿内衬筒的远离壳体侧的表面向载料部侧移动，壳体吹扫管路包括若干支路，其均连通至壳体的内侧。通过这样的设计能够减少反应气体在非有效表面的沉积，同时阻断引起外延缺陷的物质向制程区域内扩散，提高外延质量。
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公开(公告)号：CN116448249B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310705348.X
申请日：2023-06-14
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种红外测温系统、校正方法及碳化硅外延设备。该红外测温系统包括测温部件、光学器件以及导光部件，该测温部件包括聚光筒，其内设置有光探测器件及凸透镜，该聚光筒的一端具有开口部；该导光部件呈中空设置，其一端具有光入射口，与光入射口相对的另一端具有光出射口，该光出射口侧设置有遮光部件，且光出射口对着凸透镜；光学器件配置于凸透镜与光出射口之间；测温时被测发热体发出的光经导光部件的光入射口及光出射口后，穿过所述光学器件进入所述聚光筒内的所述凸透镜并经所述凸透镜聚焦到所述光探测器，所述光探测器基于接收的光信号转化成电信号，以得到测量温度。该红外测温系统抗干扰能力强且测量精度高。
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公开(公告)号：CN116026481A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211659458.9
申请日：2022-12-22
申请人： 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
摘要： 本申请公开一种光纤高温计用高温校准炉及校正方法。该高温校准炉包括：电阻丝炉膛模块包括：外壳，其内具有收纳下炉膛、中炉膛及上炉膛的容置腔体，该中炉膛的截面呈H形，下炉膛及上炉膛分别有匹配的凸起，中炉膛的中部具有沿其轴向贯穿的通孔；电阻丝镶嵌在中炉膛中且呈螺旋形设置，电阻丝的两端经引线电性连接外壳上的电阻丝接线端子；测温管设置于下炉膛的顶面，且沿中炉膛的中轴线设置，测温管内设置有沿其轴向设置的热电偶固定杆，热电偶固定杆的端部设置有电性连接至电控模块的温控器的热电偶；沿上炉膛的轴向中线设置有连通测温管的出温筒，且出温筒对着光纤高温计。该高温校准炉能节约校正时间且易操作。
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