一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法

    公开(公告)号:CN114892147A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210822584.5

    申请日:2022-07-13

    发明人: 施建新 向阳 张勇

    摘要: 本申请公开一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。该修复方法用于修复石墨部件表面的碳化硅涂层,包括杂质去除阶段及涂层修复阶段,在杂质去除阶段,基于喷淋组件向反应腔内通入氢气,利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合,将反应腔的温度升高至第一预设温度,基于喷淋组件向反应腔内通入流量小于等于1slm的HCL气体,利用H2和HCL气体对沉积模块内的石墨部件进行刻蚀处理,以去除石墨部件内残留的杂质;在涂层修复阶段:将反应腔的温度调整至第二预设温度,基于喷淋组件向反应腔内通入反应气体,在石墨部件的表面层叠碳化硅薄膜,以修复石墨部件表面。该修复方法可延长石墨部件使用时间,降低生产成本。

    一种用于CVD设备的石墨加热器的控制方法

    公开(公告)号:CN116121734A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310029108.2

    申请日:2023-01-09

    IPC分类号: C23C16/46 C23C16/52

    摘要: 本申请公开一种用于CVD设备的石墨加热器的控制方法。该控制方法包括如下步骤:PLC控制模块的第二运算单元基于接收的第一运算单元传输的第一限制参数并结合上位机下发的第二限制参数及温控仪的温度参数进行运算以得到控制信号,并传输至直流电源,直流电源接收并响应所述控制信号输出控制信号匹配的电压或电流至加热器。该方法针对CVD设备的反应腔中的托盘加热场合,可以提高温度控制精度,得到平滑可控的升降温曲线,提高片内温度均匀性,提高产品质量。

    一种具有安全互锁逻辑的控制模块及碳化硅外延设备

    公开(公告)号:CN114457418A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202210045392.8

    申请日:2022-01-15

    IPC分类号: C30B25/14 C30B25/16 C30B29/36

    摘要: 本申请公开一种具有安全互锁逻辑的控制模块及碳化硅外延设备。该控制模块包括:数据采集模块,其实时的采集与其连接的子系统的信息;数据处理模块,其接收并响应数据采集模块的采样的信息,与预设的检查表中的参数比较,并输出与子系统对应的处理结果;这样子系统匹配的执行模块,接收并响应处理结果进行动作。通过安全互锁逻辑控制模块建立设备与各子系统或零部件间严密的逻辑关系,并基于预设的规则动作,设备处于安全状态。

    一种碳化硅外延设备及加热控制方法

    公开(公告)号:CN116397326A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310120400.5

    申请日:2023-02-15

    IPC分类号: C30B25/16 C30B25/10 C30B29/36

    摘要: 本申请公开一种碳化硅外延设备及加热控制方法,该加热控制方法包括:基于温度检测单元采样温度信息并反馈至数据处理单元,数据处理单元基于接收的温度信息经预设的算法运算生成第一指令并反馈至温度控制单元,温度控制单元基于接收的第一指令计算出匹配对应的第二指令并反馈至加热执行单元,所述加热执行单元接收并响应第二指令输出第三指令对第一侧壁加热器、第二侧壁加热器、第三侧壁加热器及底部加热器的实际加热输出。通过本申请提出的方法加热器的寿命长,能保证衬底侧反应面的温度在工艺温度范围内±1℃,且温度分布均匀。

    一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法

    公开(公告)号:CN114892147B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210822584.5

    申请日:2022-07-13

    发明人: 施建新 向阳 张勇

    摘要: 本申请公开一种碳化硅沉积设备的石墨部件的修复方法。该修复方法用于修复石墨部件表面的碳化硅涂层,包括杂质去除阶段及涂层修复阶段,在杂质去除阶段,基于喷淋组件向反应腔内通入氢气,利用底部加热器或底部加热器与侧壁加热器的组合,将反应腔的温度升高至第一预设温度,基于喷淋组件向反应腔内通入流量小于等于1slm的HCL气体,利用H2和HCL气体对沉积模块内的石墨部件进行刻蚀处理,以去除石墨部件内残留的杂质;在涂层修复阶段:将反应腔的温度调整至第二预设温度,基于喷淋组件向反应腔内通入反应气体,在石墨部件的表面层叠碳化硅薄膜,以修复石墨部件表面。该修复方法可延长石墨部件使用时间,降低生产成本。

    一种用于碳化硅外延设备的磁性开关的检测电路

    公开(公告)号:CN219225018U

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202223092439.0

    申请日:2022-11-21

    发明人: 刘中良 向阳 张勇

    IPC分类号: G01R31/327

    摘要: 本申请公开一种用于碳化硅外延设备的磁性开关的检测电路。该检测电路,包括:第一磁性开关传感器、第二磁性开关传感器、第一光耦,第一与非门及第二光耦,所述第一磁性开关传感器电性连接至第一光耦的第二接脚,所述第一光耦的第一接脚电性连接至第一供电端,所述第二磁性开关传感器电性连接至第一光耦的第三接脚,所述第一光耦的第四接脚电性连接至第一供电端,所述第一光耦的第五接脚电性接地、所述第六接脚及第七接脚电性连接所述第一与非门、第八接脚电性连接至第三供电端,所述第一与非门的输出端电性连接所述第二光耦,所述第二光耦输出检测信号,并传输至PLC模块。该电路能保证信号传输的稳定性和可靠性。

    外上隔热筒
    7.
    外观设计

    公开(公告)号:CN308285750S

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202330250182.8

    申请日:2023-04-28

    设计人: 卢勇 蒲勇 张勇 赵鹏

    摘要: 1.本外观设计产品的名称:外上隔热筒。
    2.本外观设计产品的用途:用于制备化合物半导体材料或其他薄膜材料的设备中作为热场零件使用。
    3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
    4.最能表明设计要点的图片或照片:主视图。