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公开(公告)号：CN112945430A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110322360.3
申请日：2021-03-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种声表面波高温压力传感器，合金外壳内设置有传感器芯片，传感器芯片上方的合金外壳处设置有压力敏感膜，压力敏感膜通过传力顶针与传感器芯片连接，传感器芯片一侧的合金外壳内设置有接收天线，另一侧对应设置有发射天线。本发明能够在恶劣环境下进行高温压力测量，并且可实现无线无源，灵敏度高，稳定性高，成本低，易于量产。
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公开(公告)号：CN110040680A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910319089.0
申请日：2019-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于电热预加载具有准零刚度特性的MEMS微重力传感器芯片，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上生长二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上键合单晶硅结构层，单晶硅结构层中制作MEMS加速度传感器芯片；MEMS加速度传感器芯片包括芯片框架,其四角分别设有1组电极锚点，每组电极锚点之间连接有V型梁组成的电热驱动单元，V型梁连接有中间臂，中间臂通过限位自锁机构、弹簧和质量块连接，限位自锁机构和芯片框架配合；除电极锚点及芯片框架，其余部分下面的单晶硅衬底和二氧化硅绝缘层被腐蚀掉；采用电热效应对弹簧进行轴向位移加载，在不降低弹簧垂向刚度的前提下使质量块在垂向获得一段具有准零刚度的工作区间，可用于微重力加速度检测，具有结构简单等的特点。
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公开(公告)号：CN110017922A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910373857.0
申请日：2019-05-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 一种基于全石英谐振器的探针式高精度力传感器，包括石英探针，石英探针和石英二阶放大梁的输入端连接，石英二阶放大梁通过四根支撑梁与石英基底框架连接，石英二阶放大梁的输出端和石英音叉梁一端连接，石英音叉梁位于石英基底框架的镂空矩形内，石英音叉梁另一端和石英基底框架连接，石英基底框架上溅射有金属电极，金属电极和石英音叉梁上的电极通过金属引线连接；当石英探针的敏感方向有力的作用，通过石英二阶放大梁放大后的力作用于石英音叉梁，石英音叉梁在轴向力的作用下，引起谐振频率发生变化，通过把振动的石英音叉梁1接入检测电路能够检测出频率变化，从而实现对力的检测；本发明具有结构简单、频率输出、体积小，精度高等优点。
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公开(公告)号：CN110078014B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201910320046.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于静电预加载具有准零刚度特性的MEMS微重力传感器芯片，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上生长二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上键合单晶硅结构层，单晶硅结构层中制作有MEMS加速度传感器芯片；MEMS加速度传感器芯片包括芯片框架,其四角分别分布有1组电极锚点，每组电极锚点之间连接的成阵列A、B电极板组成电容驱动单元，电极板端部与电极锚点连接，上下侧B电极板和中间臂连接，中间臂通过弹簧和质量块连接，除电极锚点及芯片框架，其余部分下的单晶硅衬底和二氧化硅绝缘层被腐蚀掉；采用静电驱动对弹簧进行轴向位移加载，在不降低弹簧垂向刚度的前提下使质量块在垂向获得一段具有准零刚度的工作区间，可用于微重力加速度检测，具有结构简单等特点。
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公开(公告)号：CN110040680B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910319089.0
申请日：2019-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于电热预加载具有准零刚度特性的MEMS微重力传感器芯片，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上生长二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上键合单晶硅结构层，单晶硅结构层中制作MEMS加速度传感器芯片；MEMS加速度传感器芯片包括芯片框架,其四角分别设有1组电极锚点，每组电极锚点之间连接有V型梁组成的电热驱动单元，V型梁连接有中间臂，中间臂通过限位自锁机构、弹簧和质量块连接，限位自锁机构和芯片框架配合；除电极锚点及芯片框架，其余部分下面的单晶硅衬底和二氧化硅绝缘层被腐蚀掉；采用电热效应对弹簧进行轴向位移加载，在不降低弹簧垂向刚度的前提下使质量块在垂向获得一段具有准零刚度的工作区间，可用于微重力加速度检测，具有结构简单等的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111653467B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010490709.X
申请日：2020-06-02
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统及方法，包括同时置于刻蚀机的刻蚀腔中的耦合梁式谐振器和温度补偿传感器，耦合梁式谐振器和温度补偿传感器的刻蚀信号数据采集分别通过一个闭环振荡电路完成，两个闭环振荡电路将刻蚀信号数据发送至上位机进行数据处理，并通过上位机进行图形化的显示，上位机与刻蚀机的刻蚀信号数据共享；耦合梁式谐振器包括连接杆，连接杆的两端分别和谐振梁中部内侧连接，谐振梁的上下两端均由锚点形成固支，每个谐振梁外侧连接有梳齿装置，梳齿装置外端由锚点形成固支；连接杆中部两侧悬挂有刻蚀方板，刻蚀方板用作刻蚀区域；本发明检测系统具有结构简单、成本低、检测精度高，能够精确控制硅、氧化硅等刻蚀深度等优点。
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公开(公告)号：CN110095210B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910445282.9
申请日：2019-05-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 一种用于微纳尺度材料的硅基石英MEMS谐振式扭矩传感器，包括单晶硅基底层，单晶硅基底层上生长二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层设有单晶硅结构层，单晶硅结构层包括线型微纳材料夹持机构的键槽，键槽两侧和输出梁、V型致动梁顶端连接，V型致动梁固定在锚点上，输出梁通过限位梁固定在锚点上，输出梁的两端分别与二阶放大梁的输入端连接，二阶放大梁通过支点梁固定在锚点上，二阶放大梁的输出端与悬空平台连接，悬空平台连接石英双端固定音叉一端，石英双端固定音叉另一端固定在锚点上，锚点以外结构均处于悬空状态；对V型致动梁施加控制电压，由于热应力发生位移，从而夹紧线型微纳材料一端的花键；本发明具有精度高，成本低等优点。
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公开(公告)号：CN112945430B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110322360.3
申请日：2021-03-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种声表面波高温压力传感器，合金外壳内设置有传感器芯片，传感器芯片上方的合金外壳处设置有压力敏感膜，压力敏感膜通过传力顶针与传感器芯片连接，传感器芯片一侧的合金外壳内设置有接收天线，另一侧对应设置有发射天线。本发明能够在恶劣环境下进行高温压力测量，并且可实现无线无源，灵敏度高，稳定性高，成本低，易于量产。
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公开(公告)号：CN110078014A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910320046.4
申请日：2019-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 基于静电预加载具有准零刚度特性的MEMS微重力传感器芯片，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上生长二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上键合单晶硅结构层，单晶硅结构层中制作有MEMS加速度传感器芯片；MEMS加速度传感器芯片包括芯片框架,其四角分别分布有1组电极锚点，每组电极锚点之间连接的成阵列A、B电极板组成电容驱动单元，电极板端部与电极锚点连接，上下侧B电极板和中间臂连接，中间臂通过弹簧和质量块连接，除电极锚点及芯片框架，其余部分下的单晶硅衬底和二氧化硅绝缘层被腐蚀掉；采用静电驱动对弹簧进行轴向位移加载，在不降低弹簧垂向刚度的前提下使质量块在垂向获得一段具有准零刚度的工作区间，可用于微重力加速度检测，具有结构简单等特点。
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公开(公告)号：CN114609412B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210243261.0
申请日：2022-03-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/125 , G01C21/12
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS电容式加速度传感器的电熨斗姿态识别智能传感器，包括具有电容大小比较功能的控制芯片，控制芯片分别通过第一差分电容C1和第二差分电容C2与MEMS电容式加速度传感器连接，通过比较第一差分电容C1和第二差分电容C2的差分电容信号控制电熨斗执行器实现姿态智能识别。灵敏度高、可靠性高、成本低、体积小，通过MEMS电容式加速度传感器实现姿态检测，并利用具有电容比较功能的芯片进行信号处理和控制。
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