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公开(公告)号：CN118848781A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411355718.2
申请日：2024-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 侯磊
IPC分类号： B24B27/033 , B24B41/06 , B24B49/00 , B24B55/00
摘要： 本发明实施例提供了一种碳化硅晶锭去胶纸装置及晶锭去胶纸方法，涉及碳化硅晶锭去胶纸设备技术领域。晶锭去胶纸方法应用于碳化硅晶锭去胶纸装置，碳化硅晶锭去胶纸装置包括承载盘、调平装置及研磨装置。承载盘的承载面设置有用于承载晶锭的承载区，调平装置用于调节晶锭粘接面的水平度，调平装置包括第一气囊、导气装置及检测装置，检测装置用于检测晶锭粘接面的水平度，检测装置与导气装置通讯连接。研磨装置用于研磨晶锭粘接面。通过调平装置能将晶锭粘接面调平，进而能够保证晶锭的粘接面的水平度，能够提高研磨装置去除胶水和石墨纸的效果。
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公开(公告)号：CN117966279A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410134213.7
申请日：2024-01-30
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种籽晶粘接剂和籽晶粘接方法以及碳化硅晶体的生长方法，涉及半导体技术领域。该籽晶粘接剂包括质量比为1：(0.1～1)的粘接剂主体和吸气剂；吸气剂为粉末状且分散于粘接剂主体中，吸气剂包括从钛、锆、钽和铌组成的群组中选择的任意一种或多种的组合。通过在粘接剂主体中加入吸气剂，使得粘接剂主体在裂解产生气体时，吸气剂能够对产生的气体进行吸附，缓解粘接剂主体的缩聚和重排，减少气体聚集形成空洞，直至粘接剂主体彻底碳化形成稳定的碳结构，具有较佳的均匀性和稳定性。籽晶粘接方法使用了上述的籽晶粘接剂，有利于后续晶体生长的质量。
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公开(公告)号：CN219653187U
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202321399277.7
申请日：2023-06-02
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种用于提高碳化硅粉末利用率的生长装置及设备，属于碳化硅晶体生长领域，本生长设备的生长装置包括坩埚盖和坩埚体，坩埚体包括底壁和侧壁，底壁连接于侧壁的底端，坩埚盖可拆卸连接于侧壁的顶端。底壁包括环形部和凸设部，环形部的外周壁与侧壁的底端连接，凸设部连接于环形部的内周壁且向坩埚盖延伸。通过在坩埚体的底壁设置凸设部，可以有效增大坩埚体的底壁与中心位置的碳化硅粉末的接触面积，从而提高对中心位置的碳化硅粉末的加热效果，促进中心位置的碳化硅粉末的升华，提高碳化硅粉末的利用率。
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公开(公告)号：CN220977228U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202322580599.8
申请日：2023-09-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种坩埚和晶体生长装置，涉及半导体制造技术领域。本申请的坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，坩埚主体形成具有开口的容纳腔，坩埚盖盖设于坩埚主体的容纳腔的开口处，坩埚盖上具有偏心设置的导气孔。由于导气孔是偏心设置的，因此在长晶面与坩埚同轴设置的情况下，瞬态长晶区域偏离中心轴线，实现非均匀对称式的晶体生长模式。随着坩埚相对于长晶面旋转，长晶气相组分沉积到长晶面上的位置周期性变换，同一时间整个晶体生长面范围只有部分区域有沉积生长，可尽量降低晶体生长中心的数量，从而减少不同生长中心之间台阶流的汇合和碰撞，提高晶体生长质量。本申请提供的晶体生长装置包括上述的坩埚，有利于提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN220393998U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202322082325.6
申请日：2023-08-03
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本实用新型实施例提供的一种生长碳化硅晶体的坩埚，涉及碳化硅生长设备技术领域。生长碳化硅晶体的坩埚包括筒体、盖体及转接部。筒体用于放置长晶原料，长晶原料能在筒体被加热时升华为长晶气相组分，盖体具有与长晶原料对应的生长腔，转接部呈中空状且具有相对的第一端及第二端，第一端与盖体连接，第二端与筒体连接。在因为长晶工艺需要，调整生长腔的大小时，可以不更换筒体部分，只需更换转接部和盖体即可，能够避免同时更换筒体部分，也能够避免对应筒体部分的长晶设备的调整，从而能够有效的降低成本。
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公开(公告)号：CN220057121U
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202321507994.7
申请日：2023-06-13
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供一种晶体生长装置，涉及半导体领域。在本申请实施例的晶体生长装置中，加热组件上方设置了带有避让孔的隔热板，隔热板可在升降机构的驱动下上下移动。因隔热板对热辐射的阻隔效果，隔热板上方空间热辐射较少。使用时令坩埚上端穿过隔热板的避让孔，通过升降组件驱动隔热板上下移动，可以调整坩埚内部具有合适的温度梯度，相较于现有技术，本申请并不需要设置上下间隔分布的多段加热器并分别控制加热功率，使得晶体生长装置的加热方式变得简单高效。
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