一种改进的Retinex-Net渐晕图像校正方法

    公开(公告)号:CN116579941A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310498094.9

    申请日:2023-05-05

    Abstract: 本发明属于数字图像处理技术领域,尤其为一种改进的Retinex‑Net渐晕图像校正方法,包括以下步骤,步骤1:图像预处理,批处理所采集图像集的尺寸、格式;步骤2:在已训练好的改进的Retinex‑Net模型中输入成对的渐晕和对照图像。本发明结合Retinex理论和卷积神经网络,利用约束条件将渐晕图像分解为光照分量图和反射分量图像,将光照分量图像增强处理,并通过空洞卷积网络扩大感受野,将反射分量图像输入密集残差网络对其进行去噪,再将处理后的两个分量融合重建,从而获得校正后的恢复图像。本发明算法与其他校正算法进行对比,具有优越的处理效果和处理性能,校正后的恢复图像十分接近原图,实用性与鲁棒性有很大提升。

    一种固体激光晶体动态热焦距测量方法与装置

    公开(公告)号:CN103499431B

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201310389422.8

    申请日:2013-09-02

    Abstract: 本发明公开了一种固体激光晶体动态热焦距测量方法与装置,该测量方法是将线偏振光往返通过固体激光晶体形成的热透镜,利用组合光学系统成像的方法实现固体激光晶体动态热焦距的精确测量;该测量装置包括反射镜A(4)、四分之一波片(5)、反射镜B(6)、被测固体激光晶体(7)、输出镜(8)、反射镜C(9)、偏振分束镜(10)、光阑B(11)、扩束镜(12)、指示光源(13)、衰减滤光片(14)、CCD探测单元(15)和功率计(16)。与现有测量方法相比,本发明的优点在于:简单易行,测量精度高,既适用于侧面泵浦固体激光器又适用于端面泵浦固体激光器中固体激光晶体热焦距的测量。

    Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器

    公开(公告)号:CN104638517B

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201510111618.X

    申请日:2015-03-13

    Abstract: Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光,低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层,所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构,所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构,外层是一对AlSb合金限制层;其特征在于,所述GaInSb空穴量子阱由3~9层Ga1‑xInxSb层构成,x=0.05~0.35,中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大,两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1~4级分布,同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同,自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。

    一种胶水激光在线加热促粘预固化装置

    公开(公告)号:CN105728291A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610271225.X

    申请日:2016-04-28

    CPC classification number: B05D3/0254

    Abstract: 本发明提供了一种胶水激光在线加热促粘预固化装置,包括上位机(1)、数据采集与控制单元(2)、电源(3)、激光电源(4)、辐照激光光源(5)、一维运动单元(6)、回转单元(7)、红外成像单元(8)和胶水池(9)。该装置利用激光照射蘸有胶水的样品带来对胶水加热,以快速提高胶水粘度并实现预固化的目的,从而提高胶水缠裹的均匀性;采用红外测温仪器对样品带被加热部位进行实时成像和测温,有效提高了固化的效率,降低生产能耗,提高生产效率,且在整个工艺过程中无需操作人员值守。

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