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公开(公告)号：CN113805018A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111081732.4
申请日：2021-09-15
申请人： 陕西省地方电力(集团)有限公司 , 陕西能源研究院有限公司 , 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种配电网10kV电缆局部放电故障类型智能识别方法，采集单一模拟局放故障在配网电缆运行过程中的放电脉冲电流信号数据；对采集到放电脉冲电流信号数据进行预处理，去除无效的冗余数据，在采集的数据中提取有效的放电脉冲电流波形；在有效的放电脉冲电流波形转换到T‑F模式下后进行模糊聚类分析，剥离不相关的噪声或其他干扰信号点后，得到单一局放故障类型的放电指纹，重复得到不同局放故障类型的指纹库；在配网实际运行过程中，通过高频电流传感器测量真实局放放电信号，经过T‑F模式下的模糊聚类后，与配网电缆局放故障指纹库进行对比，对配网电缆局放故障类型进行识别。
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公开(公告)号：CN114544629B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210165055.2
申请日：2022-02-22
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01N21/84
摘要： 本发明公开了一种根据光学显微镜图像判断十层以内石墨烯具体层数的方法，本发明同时利用石墨烯光镜图中的R、G、B刺激值，考虑了R、G、B刺激值所占对比度权重有所不同以及光镜图拍摄过程中可能存在的光强不均或由于制备工艺使得特定基底厚度有一定误差等随机因素采用随机机会约束模型求取最佳刺激值权重，使得判断结果准确性更高，同时具有操作简单、效率高、设备成本低等特点，本发明方法还可应用于其余基底以及其余二维材料的层数判断。
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公开(公告)号：CN117547765A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311478992.4
申请日：2023-11-07
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： A62C3/16 , H01M10/613 , H01M10/627 , H01M10/655 , H01M10/653 , A62C31/00 , A62C31/05 , A62C37/11
摘要： 本发明公开了电池模组、电化学储能电站分布式自触发电池热失控抑制装置及方法。该抑制装置包括热敏绝缘材料、感温引发剂和外壳，热敏绝缘材料通过吸热降温作用、气相化学抑制作用、固相化学抑制作用以及物理抑制作用对热失控电池进行灭火和降温。装置固定在电池单体防爆阀正上方，利用电池热失控防爆阀开启后大量高温烟气从防爆阀向上喷出加热感温引发剂来触发，在高效抑制电池热失控的同时能有效避免装置误触发。同时，装置体积小、成本低、无需供电，启动后不会影响其他正常电池的继续使用，为储能电池模组内每个电池单体均配置一个自触发电池热失控抑制装置，可有效实现电化学储能电站的分布式热失控抑制，保障储能电站的安全运行。
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公开(公告)号：CN117457783A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311370087.7
申请日：2023-10-20
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/112 , H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管，自下而上依次包括：衬底；覆盖所述衬底的氧化铪基铁电背栅介质层，其中，所述氧化铪基铁电背栅介质层采用铝掺杂氧化铪铁电薄膜；以及设于所述氧化铪基铁电背栅介质层两端的源漏复合电极金属层和设于所述氧化铪基铁电背栅介质层表面的二维半导体沟道。本发明利用铁电剩余极化场作浮栅实现对二维半导体电子输运特性的调控，工作时无需外施栅压，对可见光的探测具有灵敏度高、响应迅速、功耗低等优点，并且采用标准化工艺达到超薄厚度，从而实现大规模、高集成化微纳传感阵列的量产。
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公开(公告)号：CN114544629A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210165055.2
申请日：2022-02-22
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01N21/84
摘要： 本发明公开了一种根据光学显微镜图像判断十层以内石墨烯具体层数的方法，本发明同时利用石墨烯光镜图中的R、G、B刺激值，考虑了R、G、B刺激值所占对比度权重有所不同以及光镜图拍摄过程中可能存在的光强不均或由于制备工艺使得特定基底厚度有一定误差等随机因素采用随机机会约束模型求取最佳刺激值权重，使得判断结果准确性更高，同时具有操作简单、效率高、设备成本低等特点，本发明方法还可应用于其余基底以及其余二维材料的层数判断。
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公开(公告)号：CN117620598A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311369484.2
申请日：2023-10-20
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种具有曲率半径小和超洁净表面的纯钨针制备方法及其应用，基于非原位的双电解液电化学腐蚀法制备得到表面含有氧化层的钨针；基于原位的焦耳热熔融法，将表面含有氧化层的钨针进一步制备得到具有小曲率半径的纯钨针。经本发明所述的制备方法，能够制备出曲率半径小于5nm，表面非常洁净且无氧化层等污染物的纳米级纯钨针，同时所得钨针晶格排列规整，质量高，性能稳定，实现广泛应用于微观表征领域。
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公开(公告)号：CN109765466A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811581529.1
申请日：2018-12-24
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开了基于FIB-SEM双束系统的纳米真空间隙击穿特性实验装置及方法，包括FIB-SEM双束系统，FIB-SEM双束系统由聚焦离子束和扫描电子显微镜组成，FIB-SEM双束系统的实验腔体中设置有微纳尺度电极系统，微纳尺度电极系统包括测试电极，纳米操纵仪和五轴样品台，纳米操纵仪和五轴样品台通过限流电阻分别连接至电压电流测试电路中的高压电压源和微弱电流测量单元，脉冲电流传感器穿过测试回路并与示波器连接，示波器和电压电流测试电路与计算机相连进行测试数据的记录。本发明能够实现微纳尺度金属电极的原位加工，从20nm到1μm的真空间隙的实时调控及相应的高电压测试和微弱电流测量的功能，对于研究纳尺度真空间隙的放电击穿本征规律具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109085476A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201811094719.0
申请日：2018-09-19
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了纳秒时间分辨/微米空间分辨的放电光学观测装置及方法，包括纳秒脉冲电源，纳米脉冲电源连接到真空实验腔体，真空实验腔体中放置纳米位移平台，纳秒位移平台连接微米尺金属电极，腔壁顶端处装有观察窗，观察窗上方有光学显微镜用于放电光学图像的放大，光学显微镜连接高速ICCD相机进行瞬态图像的拍摄，经过计算机进行图像数据的记录。本发明建立了纳秒脉冲下微米间隙击穿电气测试实验系统并建立微间隙击穿光学诊断系统，用于观测、诊断纳秒脉冲下微间隙击穿机理。
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公开(公告)号：CN117457758A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311369177.4
申请日：2023-10-20
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/112 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于超薄背栅铁电介质层的电极结构及极化方法，包括源极、漏极和栅极；铁电介质层上表面设置有沟道，所述源极和漏极分别设置于沟道的两端，所述栅极设置于铁电介质层下表面；所述源极和栅极之间设置有第一极化脉冲输入端口，所述漏极和栅极之间设置有第二极化脉冲输入端口。本发明解决了铁电薄膜超薄的厚度引入低击穿强度，以及背栅结构无法施加垂直沟道作用的极化电场，导致极化不充分的问题，实现了对场效应晶体管中作背栅介质层的氧化铪基超薄铁电薄膜极化性能的调控，进一步提升剩余极化场的可靠性和稳定性，为构筑场效应器件浮栅结构，抑制器件泄漏和功耗具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114705888A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210364040.9
申请日：2022-04-07
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种用于TERS的纳米铜探针的制备装置及方法，包括实验台，所述实验台顶部设置有恒温加热平台，所述恒温加热平台上设置有装有硫酸钠与磷酸混合溶液的第一容器以及装有磷酸溶液的第二容器，所述实验台上连接有第一位移台和第二位移台，所述第一位移台通过铜丝固定装置连接铜丝，所述第二位移台通过圆环固定装置连接惰性镍‑铬合金圆环，还包括直流电源，所述直流电源的负极通过第一电缆连接至圆环固定装置，所述直流电源的正极通过第二电缆连接至设置在第一容器中的不锈钢阳极电极，使用时，所述惰性镍‑铬合金圆环上设置有磷酸液膜或硫酸钠与磷酸混合液膜，且铜丝的下端穿过惰性镍‑铬合金圆环上的液膜并置于硫酸钠与磷酸混合溶液中。
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