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公开(公告)号：CN108495833A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201780008026.2
申请日：2017-03-14
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07C15/28 , C09D11/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07C15/28 , C07B61/00 , C09D11/00 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 提供通过湿式成膜法获得表现高迁移率的半导体元件的半导体材料，及提供获得该半导体材料的化合物。通式(1)所示的化合物(式中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R1表示非环式的碳原子数1～20的烷基(该烷基中的-CH2-以氧原子、硫原子及氮原子各自不直接键合的方式任选被-O-、-R’C＝CR’-、-CO-、-OCO-、-COO-、-S-、-SO2-、-SO-、-NH-、-NR’-或-C≡C-取代，该烷基中的氢原子任选被卤素基团、腈基或芳香族基团取代(其中，R’表示碳原子数1～20的非环式或环式的烷基。)。)。)。
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公开(公告)号：CN102484204A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034363.7
申请日：2010-10-12
Applicant: DIC株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y10/00 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供不易破裂轻量且廉价、耐久性优异、并且具有适于电荷输送的有机半导体纳米线的网络结构的光电转换元件。此外，为了提供该光电转换元件，本发明中，提供含有短径为50nm以下且长度相对于该短径的比例(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线作为给电子性材料的光电转换元件用材料。本发明中，能够以低成本提供来自酞菁的高耐光性的、寿命长的光电转换元件，进而，通过使用该光电转换元件，利用该光电转换元件的特征，能够以低成本构筑寿命长的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN108495833B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201780008026.2
申请日：2017-03-14
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07C15/28 , C09D11/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 提供通过湿式成膜法获得表现高迁移率的半导体元件的半导体材料，及提供获得该半导体材料的化合物。通式(1)所示的化合物(式中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R1表示非环式的碳原子数1～20的烷基(该烷基中的‑CH2‑以氧原子、硫原子及氮原子各自不直接键合的方式任选被‑O‑、‑R’C＝CR’‑、‑CO‑、‑OCO‑、‑COO‑、‑S‑、‑SO2‑、‑SO‑、‑NH‑、‑NR’‑或‑C≡C‑取代，该烷基中的氢原子任选被卤素基团、腈基或芳香族基团取代(其中，R’表示碳原子数1～20的非环式或环式的烷基)。
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公开(公告)号：CN102272234B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080003942.5
申请日：2010-04-13
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09B47/04 , C09B47/24 , C09B69/10 , B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y40/00 , C09D11/037 , C09D7/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , C08K5/3417 , C09B47/24 , C09B47/26 , C09B69/108 , C09D7/70 , C09D11/037 , H01L29/0673 , H01L51/0005 , H01L51/0078 , H01L51/0545 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供短径为100nm以下且长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线，以及特征在于以该酞菁纳米线和有机溶剂为必须成分的油墨组合物、含有酞菁纳米线的膜、具有该膜的电子元件。由于含有本发明的酞菁纳米线的油墨组合物可通过涂布及印刷等湿法工艺成膜，因此可以在柔性塑料基板上提供不容易损坏的轻量而便宜的电子元件。
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公开(公告)号：CN103429668A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180067485.0
申请日：2011-05-19
Applicant: DIC株式会社
CPC classification number: C09B47/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09B47/0673 , C09B47/0675 , C09B47/0678 , C09B67/0019 , C09B67/0097 , C09B69/00 , C09D11/52 , H01L51/0078 , H01L51/0091 , H01L51/0092 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/4253 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供酞菁纳米棒、含有该酞菁纳米棒的墨组合物、含有该酞菁纳米棒的晶体管、含有该酞菁纳米棒的光电转换元件用材料以及特征在于在正极与负极之间含有该酞菁纳米棒的光电转换元件。通过涂布、印刷法等湿法可以将含有本发明的纳米棒的墨组合物成膜，因此，可以在柔性塑料基板上提供难以破坏且轻量的廉价的电子元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272234A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003942.5
申请日：2010-04-13
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09B47/04 , B82B1/00 , B82B3/00 , C09B47/24 , C09B67/22 , C09D11/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , C08K5/3417 , C09B47/24 , C09B47/26 , C09B69/108 , C09D7/70 , C09D11/037 , H01L29/0673 , H01L51/0005 , H01L51/0078 , H01L51/0545 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供短径为100nm以下且长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线，以及特征在于以该酞菁纳米线和有机溶剂为必须成分的油墨组合物、含有酞菁纳米线的膜、具有该膜的电子元件。由于含有本发明的酞菁纳米线的油墨组合物可通过涂布及印刷等湿法工艺成膜，因此可以在柔性塑料基板上提供不容易损坏的轻量而便宜的电子元件。
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公开(公告)号：CN109111463B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201810654163.X
申请日：2018-06-22
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D495/04
Abstract: 本发明涉及芳香族化合物的制造方法，其课题在于提供：使用容易操作的(没有在空气中由于氧化等而分解或变质，而且也不具有腐蚀性的)原料、简便地(以200℃以下的一个工序的反应，无腐蚀性气体的产生)得到高纯度的BTBT衍生物(或DNTT衍生物)的、实用的制造方法。本发明发现，通过使特定的邻卤代苄基卤衍生物(或3‑卤代‑2‑(卤代甲基)萘衍生物)与单质的硫或硫化合物反应的实用的方法，得到BTBT衍生物(或DNTT衍生物)，从而完成本发明。
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公开(公告)号：CN109111463A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810654163.X
申请日：2018-06-22
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D495/04
Abstract: 本发明涉及芳香族化合物的制造方法，其课题在于提供：使用容易操作的(没有在空气中由于氧化等而分解或变质，而且也不具有腐蚀性的)原料、简便地(以200℃以下的一个工序的反应，无腐蚀性气体的产生)得到高纯度的BTBT衍生物(或DNTT衍生物)的、实用的制造方法。本发明发现，通过使特定的邻卤代苄基卤衍生物(或3-卤代-2-(卤代甲基)萘衍生物)与单质的硫或硫化合物反应的实用的方法，得到BTBT衍生物(或DNTT衍生物)，从而完成本发明。
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公开(公告)号：CN102549675B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201080039895.X
申请日：2010-12-21
Applicant: DIC株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B05D5/12 , B22F1/0022 , B22F1/02 , B82Y30/00 , C09D11/03 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供一种能够进行150℃以下的低温烧成、也能够对高温下不能印刷的塑料制基板进行印刷的丝网印刷用导电性糊剂。所述丝网印刷用导电性糊剂是含有被含碱性氮原子的有机化合物(X)保护的平均粒径1～50nm的金属纳米粒子(Y)、平均粒径超过100nm且为5μm的金属粒子(Z)、所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)和有机溶剂(B)的丝网印刷用导电性糊剂，其特征在于，使用碳原子数6～10的脂肪族单羧酸作为所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)，并且使用聚亚烷基二醇作为有机溶剂(B)。
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公开(公告)号：CN102549675A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080039895.X
申请日：2010-12-21
Applicant: DIC株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B05D5/12 , B22F1/0022 , B22F1/02 , B82Y30/00 , C09D11/03 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供一种能够进行150℃以下的低温烧成、也能够对高温下不能印刷的塑料制基板进行印刷的丝网印刷用导电性糊剂。所述丝网印刷用导电性糊剂是含有被含碱性氮原子的有机化合物(X)保护的平均粒径1～50nm的金属纳米粒子(Y)、平均粒径超过100nm且为5μm的金属粒子(Z)、所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)和有机溶剂(B)的丝网印刷用导电性糊剂，其特征在于，使用碳原子数6～10的脂肪族单羧酸作为所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)，并且使用聚亚烷基二醇作为有机溶剂(B)。
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