有机晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102105987B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200980128991.9

    申请日:2009-06-29

    Abstract: 本发明提供在使用有机半导体的有机晶体管中,进一步提高该晶体管特性的有机晶体管及其制造方法。第一,提供一种有机晶体管,其特征在于,该有机晶体管在基板(a)上具有:栅极(b)、绝缘层(c)、形成于与该绝缘层接触的有机半导体层(d)的沟道形成区域和源极/漏极(e),其中,在该有机半导体层中含有氟系化合物(表面活性剂)。第二,提供一种有机晶体管的制造方法,其特征在于,其为有机晶体管的制造方法,其中,具有如下工序:通过含有氟系表面活性剂的有机半导体溶液的印刷或涂布,在绝缘层上形成有机半导体层(d)的工序;或,通过印刷或涂布,在含有氟系表面活性剂的有机半导体层(d)上形成绝缘层的工序。

    有机晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN102105987A

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200980128991.9

    申请日:2009-06-29

    Abstract: 本发明提供在使用有机半导体的有机晶体管中,进一步提高该晶体管特性的有机晶体管及其制造方法。第一,提供一种有机晶体管,其特征在于,该有机晶体管在基板(a)上具有:栅极(b)、绝缘层(c)、形成于与该绝缘层接触的有机半导体层(d)的沟道形成区域和源极/漏极(e),其中,在该有机半导体层中含有氟系化合物(表面活性剂)。第二,提供一种有机晶体管的制造方法,其特征在于,其为有机晶体管的制造方法,其中,具有如下工序:通过含有氟系表面活性剂的有机半导体溶液的印刷或涂布,在绝缘层上形成有机半导体层(d)的工序;或,通过印刷或涂布,在含有氟系表面活性剂的有机半导体层(d)上形成绝缘层的工序。

Patent Agency Ranking