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公开(公告)号：CN102484204A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080034363.7
申请日：2010-10-12
Applicant: DIC株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y10/00 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供不易破裂轻量且廉价、耐久性优异、并且具有适于电荷输送的有机半导体纳米线的网络结构的光电转换元件。此外，为了提供该光电转换元件，本发明中，提供含有短径为50nm以下且长度相对于该短径的比例(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线作为给电子性材料的光电转换元件用材料。本发明中，能够以低成本提供来自酞菁的高耐光性的、寿命长的光电转换元件，进而，通过使用该光电转换元件，利用该光电转换元件的特征，能够以低成本构筑寿命长的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN102484204B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080034363.7
申请日：2010-10-12
Applicant: DIC株式会社
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y10/00 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供不易破裂轻量且廉价、耐久性优异、并且具有适于电荷输送的有机半导体纳米线的网络结构的光电转换元件。此外，为了提供该光电转换元件，本发明中，提供含有短径为50nm以下且长度相对于该短径的比例(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线作为给电子性材料的光电转换元件用材料。本发明中，能够以低成本提供来自酞菁的高耐光性的、寿命长的光电转换元件，进而，通过使用该光电转换元件，利用该光电转换元件的特征，能够以低成本构筑寿命长的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN103429668B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180067485.0
申请日：2011-05-19
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09B47/04 , B82Y20/00 , C09B47/24 , C09B67/02 , C09B67/20 , C09D11/52 , H01L27/146 , H01L51/42 , H01L51/00
CPC classification number: C09B47/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09B47/0673 , C09B47/0675 , C09B47/0678 , C09B67/0019 , C09B67/0097 , C09B69/00 , C09D11/52 , H01L51/0078 , H01L51/0091 , H01L51/0092 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/4253 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供酞菁纳米棒、含有该酞菁纳米棒的墨组合物、含有该酞菁纳米棒的晶体管、含有该酞菁纳米棒的光电转换元件用材料以及特征在于在正极与负极之间含有该酞菁纳米棒的光电转换元件。通过涂布、印刷法等湿法可以将含有本发明的纳米棒的墨组合物成膜，因此，可以在柔性塑料基板上提供难以破坏且轻量的廉价的电子元件。
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公开(公告)号：CN119677625A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380059139.0
申请日：2023-07-13
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 作为容易地分离回收至少具有印刷层的多种多样的塑料膜的方法、以及使用通过该方法回收的塑料破碎物来制造高品质的再生塑料颗粒的方法，提供一种塑料膜的分离回收方法，其为至少具有印刷层的塑料膜的分离回收方法，具有：将前述塑料膜破碎的工序1；将前述塑料膜浸渍于清洗液中的工序2；以及通过将破碎后的前述塑料膜在水中搅拌来分离前述塑料膜的工序3。
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公开(公告)号：CN102272234B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080003942.5
申请日：2010-04-13
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09B47/04 , C09B47/24 , C09B69/10 , B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y40/00 , C09D11/037 , C09D7/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , C08K5/3417 , C09B47/24 , C09B47/26 , C09B69/108 , C09D7/70 , C09D11/037 , H01L29/0673 , H01L51/0005 , H01L51/0078 , H01L51/0545 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供短径为100nm以下且长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线，以及特征在于以该酞菁纳米线和有机溶剂为必须成分的油墨组合物、含有酞菁纳米线的膜、具有该膜的电子元件。由于含有本发明的酞菁纳米线的油墨组合物可通过涂布及印刷等湿法工艺成膜，因此可以在柔性塑料基板上提供不容易损坏的轻量而便宜的电子元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103429668A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180067485.0
申请日：2011-05-19
Applicant: DIC株式会社
CPC classification number: C09B47/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09B47/0673 , C09B47/0675 , C09B47/0678 , C09B67/0019 , C09B67/0097 , C09B69/00 , C09D11/52 , H01L51/0078 , H01L51/0091 , H01L51/0092 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/4253 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供酞菁纳米棒、含有该酞菁纳米棒的墨组合物、含有该酞菁纳米棒的晶体管、含有该酞菁纳米棒的光电转换元件用材料以及特征在于在正极与负极之间含有该酞菁纳米棒的光电转换元件。通过涂布、印刷法等湿法可以将含有本发明的纳米棒的墨组合物成膜，因此，可以在柔性塑料基板上提供难以破坏且轻量的廉价的电子元件。
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公开(公告)号：CN102272234A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003942.5
申请日：2010-04-13
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09B47/04 , B82B1/00 , B82B3/00 , C09B47/24 , C09B67/22 , C09D11/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , C08K5/3417 , C09B47/24 , C09B47/26 , C09B69/108 , C09D7/70 , C09D11/037 , H01L29/0673 , H01L51/0005 , H01L51/0078 , H01L51/0545 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供短径为100nm以下且长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线，以及特征在于以该酞菁纳米线和有机溶剂为必须成分的油墨组合物、含有酞菁纳米线的膜、具有该膜的电子元件。由于含有本发明的酞菁纳米线的油墨组合物可通过涂布及印刷等湿法工艺成膜，因此可以在柔性塑料基板上提供不容易损坏的轻量而便宜的电子元件。
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公开(公告)号：CN118176161A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280071274.2
申请日：2022-11-08
Applicant: DIC株式会社
Abstract: 制造装置(1A)具备：第1气体导入部(20)，其设于焙烧炉(10)的一端部(10a)侧，向焙烧炉(10)内导入气体；气体排出部(30)，其设于焙烧炉(10)的另一端部(10b)侧，将焙烧炉(10)内的气体向外部排出；以及输送装置(40)，其将金属化合物和助熔剂从气体排出部(30)侧向第1气体导入部(20)侧输送。焙烧炉(10)具有升温区域(12A)、冷却区域(14A)、以及反应区域(13A)，该反应区域(13A)设置在升温区域(12A)与冷却区域(14A)之间且使金属化合物和助熔剂发生反应。在制造装置(1A)中，通过由从第1气体导入部(20)导入的气体产生的气流(AF1)，在冷却区域(14A)中对在反应区域(13A)气化的助熔剂进行粉体化，将包含粉体化的助熔剂的气体向气体排出部(30)送出。
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公开(公告)号：CN104169285B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380013022.5
申请日：2013-04-04
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D487/22 , B82Y30/00 , C09B47/20 , C09D11/037 , C09D11/32 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07D487/22 , C09B47/065 , C09B47/0678 , C09B47/24 , C09B67/0019 , C09B67/0023 , C09B67/0026 , C09B67/0035 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0545 , H01L51/4206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而，课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明，通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物，可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料，从而完成了本发明。进而，通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层)，从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。
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公开(公告)号：CN104169285A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013022.5
申请日：2013-04-04
Applicant: DIC株式会社
IPC: C07D487/22 , B82Y30/00 , C09B47/20 , C09D11/037 , C09D11/32 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42
CPC classification number: H01L51/0078 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07D487/22 , C09B47/065 , C09B47/0678 , C09B47/24 , C09B67/0019 , C09B67/0023 , C09B67/0026 , C09B67/0035 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0545 , H01L51/4206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而，课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明，通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物，可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料，从而完成了本发明。进而，通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层)，从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。
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