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公开(公告)号：CN1496605A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN01820340.X
申请日：2001-10-09
申请人： 加利福尼亚技术协会
发明人： 青木一朗 , 赛德-阿里·赫杰米里 , 戴维·拉特利奇
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/265 , H03F3/423 , H03F3/604 , H03F2200/534 , H03F2200/537 , H03F2200/541
摘要： 本发明公布一种分布式功率放大器拓扑结构以及器件，它能有效且经济地增强要被放大的RF信号的功率输出。该功率放大器包括若干互相连接成新颖环状几何图形的推挽放大器，它们最好能当作有源变压器的一个初级绕组，该有源变压器的相邻放大器件的信号输入由幅值相等、相位相反的输入信号驱动。该拓扑结构也公布了使用一个与初级绕组的几何形状相匹配的次级绕组以及能够有效复合这些独立功率放大器功率的其他变化形式。该新颖的体系结构能够设计RF、微波以及毫米波频率的低成本、全集成、高功率放大器。
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公开(公告)号：CN102474224A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080027291.3
申请日：2010-01-12
申请人： 索尼爱立信移动通讯有限公司
发明人： 汉斯·彼得·克尔纳
CPC分类号： H03F3/42 , H03F1/14 , H03F1/22 , H03F3/183 , H03F3/19 , H03F3/423 , H03F3/426 , H03F2200/03 , H03F2200/552
摘要： 本发明描述了一种根据输入信号来生成放大输出信号的放大器级、包括音频放大器的移动设备以及使用放大器级根据输入信号来生成放大输出信号的放大方法。
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公开(公告)号：CN1294698C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN01820340.X
申请日：2001-10-09
申请人： 加利福尼亚技术协会
发明人： 青木一朗 , 赛德-阿里·赫杰米里 , 戴维·拉特利奇
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/265 , H03F3/423 , H03F3/604 , H03F2200/534 , H03F2200/537 , H03F2200/541
摘要： 本发明公开一种分布式功率放大器拓扑结构以及器件，它能有效且经济地增强要被放大的RF信号的功率输出。该功率放大器包括若干互相连接成新颖环状几何图形的推挽放大器，它们最好能当作有源变压器的一个初级绕组，该有源变压器的相邻放大器件的信号输入由幅值相等、相位相反的输入信号驱动。该拓扑结构也公开了使用一个与初级绕组的几何形状相匹配的次级绕组以及能够有效合成这些独立功率放大器功率的其他变化形式。该新颖的体系结构能够设计RF、微波以及毫米波频率的低成本、全集成、高功率放大器。
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公开(公告)号：CN1047426A
公开(公告)日：1990-11-28
申请号：CN90104268.4
申请日：1990-05-05
申请人： 菲利浦光灯制造公司
发明人： 克拉斯·布尔特 , 戈迪弗里达斯·约翰内斯·杰特卢迪斯·玛丽亚·吉伦
摘要： 一种包括有第一晶体管(N1)、第二晶体管(N2)，电流源(J2)，输入端(1)和输出端(3)的共射共基放大器装置的增益是由增加一个具有非反相输入端(V1)、反相输入端(V2)和输出端(V0)的放大器A来提高的，该放大器分别连接到基准电压端(2)、第一晶体管(N1)和第二晶体管(N2)相互连接的电极以及第二晶体管(N2)的控制极。其结果可得到实际上保持相同的单位增益带宽。
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公开(公告)号：CN102474224B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080027291.3
申请日：2010-01-12
申请人： 索尼爱立信移动通讯有限公司
发明人： 汉斯·彼得·克尔纳
CPC分类号： H03F3/42 , H03F1/14 , H03F1/22 , H03F3/183 , H03F3/19 , H03F3/423 , H03F3/426 , H03F2200/03 , H03F2200/552
摘要： 本发明描述了一种根据输入信号来生成放大输出信号的放大器级、包括音频放大器的移动设备以及使用放大器级根据输入信号来生成放大输出信号的放大方法。
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公开(公告)号：CN1021611C
公开(公告)日：1993-07-14
申请号：CN90104268.4
申请日：1990-05-05
申请人： 菲利浦光灯制造公司
发明人： 克拉斯·布尔特 , 戈迪弗里达斯·约翰内斯·杰·玛丽·吉伦
IPC分类号： H03F3/16
摘要： 一种包括有第一晶体管(N1)、第二晶体管(N2)，电流源(J1)，输入端(1)和输出端(3)的共射共基放大器装置的增益是由增加一个具有同相输入端(V1)、反相输入端(V2)和输出端(V0)的放大器A来提高的，该放大器分别连接到基准电压端(2)、第一晶体管(N1)和第二晶体管(N2)相互连接的电极以及第二晶体管(N2)的控制极。其结果可得到实际上保持相同的单位增益带宽。
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公开(公告)号：CN108123685A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710289912.9
申请日：2017-04-27
申请人： 意法半导体有限公司
发明人： L·福格特
CPC分类号： H03F3/423 , H03F1/0272 , H03F1/30 , H03F1/301 , H03F3/189 , H03F3/193 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/78 , H03G3/30 , H03G3/3015 , H03G3/3036 , H03G3/3047
摘要： 本发明涉及对RF放大器的调节，例如，射频放大器(1)的电源和偏置级(4)，该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管，该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31)，并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36)，其中，所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的，其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。
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公开(公告)号：CN101385238B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200680053146.6
申请日：2006-03-03
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： H·沙维
CPC分类号： H03F3/2173 , H03F1/52 , H03F3/217 , H03F3/2178 , H03F3/423 , H03F3/72 , H03F2200/114 , H03F2203/7221 , H03F2203/7239
摘要： 在一实施例中，D类放大器(11)被配置以形成第一(DP)和第二(DN)PWM信号，每一信号具有与所接收的模拟输入信号(12)成正比的占空比，并响应地使能开关(31、32)以响应于所述第一(DP)和第二(DN)PWM信号的一些状态而将所述D类放大器(11)的所述输出(13、14)短接在一起。
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公开(公告)号：CN101385238A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200680053146.6
申请日：2006-03-03
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： H·沙维
CPC分类号： H03F3/2173 , H03F1/52 , H03F3/217 , H03F3/2178 , H03F3/423 , H03F3/72 , H03F2200/114 , H03F2203/7221 , H03F2203/7239
摘要： 在一实施例中，D类放大器(11)被配置以形成第一(DP)和第二(DN)PWM信号，每一信号具有与所接收的模拟输入信号(12)成正比的占空比，并响应地使能开关(31、32)以响应于所述第一(DP)和第二(DN)PWM信号的一些状态而将所述D类放大器(11)的所述输出(13、14)短接在一起。
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