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公开(公告)号：CN110850609A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911150024.4
申请日：2019-11-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G02F1/11
摘要： 本发明涉及声光器件，具体涉及一种低应力声光器件及其制备方法，包括：压电晶片和声光晶体，声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层，压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层，声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。本发明的低应力声光器件采用压电晶片先研磨后键合工艺代替传统的压电晶片先键合后研磨工艺，避免了Au-Au键合残余应力导致的压电晶片研磨开裂现象；本发明改进了Au膜层的制备工艺，Au膜层的应力明显降低，声光晶体和压电晶片键合后声光晶体没有开裂现象。
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公开(公告)号：CN110824462A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911149265.7
申请日：2019-11-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种小型化高可靠低频垂直互联结构，数字电路基板与LTCC射频电路基板平行正对设置，LTCC转接板安装在LTCC射频电路基板朝向数字电路基板的端面上，LTCC转接板与LTCC射频电路基板通过贴合面上设置的焊盘焊接相连，数字电路基板及LTCC转接板背向LTCC射频电路基板的端面上设置有相对应的焊盘，相对应的焊盘通过键合金带相连。本发明采用LTCC（低温共烧陶瓷）工艺设计LTCC转接板及LTCC射频电路基板，能够有效的减小转接板尺寸，实现垂直转接的小型化设计，相比PCB工艺的转接板，能够节省电路空间，缓解电路板走线压力。其次，LTCC转接板及LTCC射频电路基板配合使用，LTCC射频电路基板与裸芯片热匹配度好，高低温可靠性高，满足T/R组件的使用要求。
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公开(公告)号：CN110797613A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911117497.4
申请日：2019-11-15
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明涉及一种十阶六陷波的介质波导滤波器，包括陶瓷介质体，陶瓷介质体外侧通过金属化处理形成金属屏蔽层；在陶瓷介质体的一侧表面设置有五组谐振孔；每组谐振孔包括两个对称设置的谐振盲孔；每两组谐振孔之间设置有一个贯穿陶瓷介质体的通槽，即根据十个谐振盲孔和四个通槽，构成十阶六陷波结构；以通槽分隔出若干谐振腔；在介质体上设置有多个大小可调的耦合盲孔，在每两组谐振孔之间形成耦合窗口。本发明通过设置10个谐振盲孔和4个通槽，从而提出了一种十阶六陷波的介质波导滤波器；该滤波器能够在减小滤波器插损的情况下实现基站滤波器的高矩形度性能要求。
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公开(公告)号：CN110716329A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911039493.9
申请日：2019-10-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G02F1/11
摘要： 本发明公开了一种1×2路光纤声光光开关，包括声光晶体、换能器Ⅰ、换能器Ⅱ以及表电极，所述声光晶体的顶部成型为人字形，使声光晶体顶部形成从两端至中部向上倾斜的第一安装面和第二安装面；所述换能器Ⅰ和换能器Ⅱ分别安装于声光晶体顶部的第一安装面和第二安装面上，在换能器Ⅰ和换能器Ⅱ的表面分别设有一表电极；其中，所述换能器Ⅰ的通声面与声光晶体的通光面之间的夹角以及和换能器Ⅱ的通声面与声光晶体的通光面之间的夹角均为α，且：式中：λ是入射光波长，f是工作频率，v是声光晶体声速。本发明能够实现切换无延时时间，同时单晶体大幅缩小产品体积，易于集成。
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公开(公告)号：CN110535448A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910847142.4
申请日：2019-09-09
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种适用于脉冲调制方式的自动增益控制电路，包括增益可变放大器，及脉冲运算保持环路，其中增益可变放大器的输入端为适用于脉冲调制方式的自动增益控制电路的输入端，增益可变放大器的输出端为适用于脉冲调制方式的自动增益控制电路的输出端，其输出端的检测电平通过脉冲运算保持环路和自动增益控制环路的共同作用连接到增益可变放大器的控制端，从而保证增益可变放大器的输出信号电平稳定。本发明还公开了对应的适用于脉冲调制方式的自动增益控制方法，本发明使用反馈闭环自动增益控制方法，能够解放AD转换器的动态压力，扩大接收系统的动态，同时也能够将其处理信号功率设定在其性能最优良的电平范围内。
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公开(公告)号：CN110465720A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910847323.7
申请日：2019-09-09
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种多路SMP连接器装配焊接夹具，用于将SMP连接器焊接安装到工件底座上，工件底座上设有用于安装SMP连接器的安装孔，多路SMP连接器装配焊接夹具包括用于放置工件底座的夹具底座及与夹具底座相对固定设置的定位压板，定位压板上设置有与安装孔对应且可沿安装孔轴线方向运动的导向压柱，定位压板上还设置有将导向压柱向下推动的弹力件。本发明通过弹力件为每路导向压柱提供持续的弹力，消除了高温焊接时热变形，焊料融化张力、加工公差等带来的影响，保证焊接过程中每个SMP连接器都被压紧，避免SMP连接器倾斜，从而最终保证了装配的精度及一致性。
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公开(公告)号：CN108091982B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201711462035.7
申请日：2017-12-28
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种微纳薄膜磁声天线，包括底座，在底座上表面中部开设有空腔，在空腔底部和侧壁上以及底座上表面设有连为一体的绝缘层，在底座上表面绝缘层上设有支撑层，支撑层中部悬置于空腔之上；在支撑层上设有由磁致伸缩薄膜与薄膜体声波谐振器构成的磁‑声‑电耦合结构，磁‑声‑电耦合结构位于空腔正上方。所述磁致伸缩薄膜每张由多层磁致伸缩薄膜层与多层缓冲层组成，磁致伸缩薄膜层的层数与缓冲层的层数相同并间隔设置。本发明在实现小型化的同时保持天线具备比传统电天线更好的性能。
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公开(公告)号：CN106656251B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201611152973.2
申请日：2016-12-14
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种低插损高隔离度的UV射频开关网络，由n个输入开关通路和m个输出开关通路构成，每个输入开关通路分别与所有输出开关通路采用串联方式连接形成网络结构，由此形成n×m个开关通路。所述UV射频开关网络封装于由基板和盖板构成的封闭空腔内，在空腔内通过隔板设有若干彼此隔离的分隔腔，每个输入开关通路和每个输出开关通路分别设置于分隔腔内，输入开关通路对应的分隔腔与输出开关通路对应的分隔腔之间的射频信号通过射频电缆连接。所述基板的两面均设置有盖板，以形成上下两层封闭空腔。本发明具有体积小，隔离度高的特点，既满足了隔离度的要求，又最大程度减小了射频开关网络的插入损耗。
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公开(公告)号：CN110195254A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910631648.1
申请日：2019-07-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
发明人： 丁雨憧
摘要： 本发明公开了一种适用于提拉法的线圈可移动式温场结构与单晶生长方法，温场结构包括由保温材料构成的生长腔室，在生长腔室内设有坩埚，在生长腔室外部环设有感应线圈，还包括后加热筒、支撑架和升降装置，后加热筒设置在生长腔室内并位于坩埚上方，后加热筒可在感应线圈作用下发热，支撑架设置在升降装置上，感应线圈放在支撑架上，升降装置通过支撑架可带动感应线圈升降。本发明通过移动感应线圈的相对位置来调节坩埚与后加热筒的发热量，既可以保证在晶体生长阶段能在固液界面处构置较大的温度梯度，又可以在降温阶段对晶体的头部和尾部同时进行热量补偿，减弱了晶体尾部与头部的温度差异，达到抑制晶体开裂的目的。
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公开(公告)号：CN110133940A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910417069.7
申请日：2019-05-20
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G02F1/33
摘要： 本发明涉及光学器件技术领域，尤其是用于激光扫描的声光偏转器，具体为一种提高激光扫描角度的声光偏转器装置。所述声光偏转器装置包括N级声光偏转器组件；所述N级声光偏转器组件包括外壳，在外壳上设置有安装板，在安装板上安装有顺次连接的N个声光偏转器、N-1个声光调制器以及1个光纤准直器；本发明通过将声光偏转器进行级联，成倍提高了激光的扫描角度，能满足大角度、高精度和快速扫描的要求。
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