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公开(公告)号：CN115784774A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310065487.0
申请日：2023-02-06
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种改善SiC Mos界面特性的方法，涉及碳化硅制备领域。该改善SiC Mos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗；在碳化硅表面制备阻挡层；利用等离子体对碳化硅表面进行处理，等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补；去除碳化硅表面的阻挡层；对碳化硅表面进行氧化形成SiC/SiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层，使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补，降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量，缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。
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公开(公告)号：CN115233192B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211154530.2
申请日：2022-09-22
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/50
摘要： 本发明公开了一种自调平等离子增强化学气相沉积装置，涉及半导体技术领域。该自调平等离子增强化学气相沉积装置包括沉积腔室、加热板和绝缘球。加热板和绝缘球均设置于沉积腔室内，沉积腔室具有一底板，底板与加热板平行间隔设置，绝缘球可滚动地设置于底板和加热板之间，加热板能够在绝缘球的作用下相对于底板自适应运动，以保证加热板位于水平面上。与现有技术相比，本发明提供的自调平等离子增强化学气相沉积装置由于采用了设置于沉积腔室内的加热板以及滚动设置于底板和加热板之间的绝缘球，所以能够在高温沉积过程中实现加热板的自动调平，以保证加热板的水平度，提高膜层沉积的均匀性，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN115652278A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211429500.8
申请日：2022-11-15
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本公开提供了一种低温二氧化硅沉积工艺和沉积设备，涉及半导体技术领域。该低温二氧化硅沉积工艺包括将晶圆片置于反应腔；对所述反应腔进行抽真空；其中，所述反应腔的真空压力小于等于1托；向所述反应腔中通入反应气体和等离子体，所述反应气体和所述等离子体发生化学反应并在所述晶圆片表面形成薄膜；其中，所述反应气体包括硅源和氧源；其中，所述反应腔的温度为80℃至200℃，所述硅源的供应速率与所述氧源的供应速率之比为1:15至1:20。该工艺可以在温度较低的情况下生成质量更高的薄膜，提高薄膜的致密性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115354310B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211194993.1
申请日：2022-09-29
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法，涉及半导体技术领域。该等离子增强化学气相沉积装置包括沉积室、盖板、测量机构、加热盘、喷气盘和升降机构。盖板盖设于沉积室上，且共同围成沉积空腔，升降机构安装于盖板上，且与喷气盘连接，喷气盘平行间隔地设置于加热盘的上方，升降机构用于沿预设方向带动喷气盘靠近或者远离加热盘，测量机构夹持于喷气盘和加热盘之间，测量机构用于在等离子增强化学气相沉积装置处于工作温度下测量喷气盘与加热盘之间的实际间距。本发明提供的等离子增强化学气相沉积装置能够精确测量工作温度下喷气盘和加热盘之间的间距并对其进行调整，保证沉积膜层的均匀性，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN115274543B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211177919.9
申请日：2022-09-27
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/68
摘要： 本发明的实施例提供了一种防晶圆移位的半导体设备，涉及半导体设备领域。该防晶圆移位的半导体设备具有晶圆承托装置，其包括安装板和多个承托件，多个承托件沿安装板的周向排布；每个承托件均包括主限位柱、副限位柱以及承接部，承接部设置于安装板上，承接部包括承接面，主限位柱和副限位柱均设置于承接面上，且承接面用于对晶圆进行承托；主限位柱和副限位柱相配合以对晶圆进行导向，以使晶圆位于多个承托件的中心位置，其能够较好地解决晶圆位置偏移的问题，提升晶圆的对中性。
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公开(公告)号：CN115172240B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211086730.9
申请日：2022-09-07
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明的实施例提供了一种晶圆运输系统及晶圆运输方法，涉及晶圆运输技术领域。该晶圆运输系统包括半导体设备、晶圆承载平台以及机械手臂，半导体设备包括相连通的传送腔室和工艺腔室；机械手臂包括支撑臂、主转动臂、上转动臂、下转动臂、上承托板、下承托板、升降机构、第一驱动件和两个第二驱动件；升降机构设置于传送腔室内并与支撑臂相连接；第一驱动件设置于支撑臂上并与主转动臂相连接，以驱动主转动臂转动；两个第二驱动件均设置于主转动臂上且分别与上转动臂和下转动臂相连接，两个第二驱动件分别用于驱动上转动臂和下转动臂转动；上承托板与上转动臂相连接，下承托板与下转动臂相连接，其能够在一定程度上提升晶圆的产能。
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公开(公告)号：CN115376976A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211306401.0
申请日：2022-10-25
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , G05D23/30
摘要： 本申请提供一种用于半导体加工设备的加热冷却复合盘及其控制方法，涉及半导体技术领域。加热冷却复合盘包括加热盘、腔体和冷却盘，腔体连接于加热盘的一侧，腔体与加热盘围成容置腔室；冷却盘滑动设置于容置腔室内，冷却盘、腔体的侧壁以及加热盘围成第一容置子腔室，冷却盘、腔体的侧壁和底壁围成第二容置子腔室；通过控制第一容置子腔室与第二容置子腔室中的气压，可调节冷却盘与加热盘之间的距离。能够提高晶圆的整体工艺效率，降低操作不当造成晶圆或半导体加工设备损坏的风险，并能最大限度缩小半导体加工设备体积，降低成本。同时还能实现降温速率的精确调节，提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN115308828A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211195156.0
申请日：2022-09-29
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明提供了一种二氧化钛光栅的制备方法及其二氧化钛光栅，涉及光电器件制备方法的技术领域；该制备方法包括：提供基板和具有二氧化钛光栅图案的母版；依次在基板上形成二氧化钛膜层和压印胶层；利用压印、刻蚀工艺将所述母版上的图案转移到二氧化钛膜层上，形成二氧化钛光栅；其中，二氧化钛膜层和压印胶层上均不设置其他刻蚀阻挡层；二氧化钛光栅的纵宽比为1/6~1/2。本申请提供的二氧化钛光栅的制备方法可获得侧壁倾斜角接近90°的二氧化钛光栅结构，且制备过程中无需在二氧化钛膜层上增加除压印胶层以外的其他顶层材料，简化了二氧化钛光栅生产工艺，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN115307841A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211195157.5
申请日：2022-09-29
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： G01M3/26
摘要： 本发明提供一种腔内漏率测试的自动控制方法和装置，其中方法包括：基于待测漏的工艺腔体各个工作环节的真空度极大值，确定测漏条件极值，并基于测漏条件极值，确定漏率计算延时；基于工艺腔体各个维护环节的最大维护时长，确定真空抽取延时；工艺腔体的现行运行状态维持在闲置状态的时间不小于真空抽取延时时，对工艺腔体进行抽真空操作；若在抽真空操作过程中监测的实时压力值和多个历史压力值的变化幅度小于预设阈值，且实时压力值和历史压力值的平均值不大于测漏条件极值时，停止抽真空操作；待抽真空操作的结束时间不小于漏率计算延时时，计算工艺腔体的漏率。本发明实现了工艺腔体测漏的全流程自动化，提高了工艺腔体测漏的效率。
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公开(公告)号：CN115189247A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210791028.6
申请日：2022-07-05
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种远程配电柜，涉及半导体领域。远程配电柜包括柜体、第一电源及第二电源。柜体具有依次层叠设置的第一腔体、第二腔体以及第三腔体。通过将电气器件容置在第一腔体，以方便控制电气器件，通过将第一电源容置在第二腔体内，第二电源容置在第三腔体内，以提高射频电源，从而实现对PECVD腔体和真空传输平台等设备进行供电。由此可见，本发明提供的远程配电柜布局合理，空间占用小，方便维护，使用成本低。
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