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公开(公告)号：CN113889571A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111106532.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种高性能相变存储器及其制备方法。该相变存储器包括：基底层，电极层，介质隔离层，底电极层，相变材料层，顶电极层，所述介质隔离层与底电极层之间设有介质缓冲材料层。该相变存储器可以有效避免底电极因氧化造成的性能衰退，确保电极的使用寿命；并且增加了散热面积，提高了器件操作过程中的散热效率，从而降低相变存储介质中的热应力，减小阻值漂移系数，提高了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN112133824A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010907768.2
申请日：2020-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。该相变材料的化学式为TaaInbSbcTed。该单元包括下电极层，上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层。该单元的制备方法为：制备下电极层；制备相变材料层于下电极层上；制备上电极层于相变材料层上。该相变材料具有晶粒小、相变速度快、热稳定性突出、数据保持能力强、循环寿命长、成品率高等特点。
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公开(公告)号：CN108110026B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201711385751.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本发明提供的基于Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564553A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010270672.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法，该钽-锑-碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1)；在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体，得到Ta基底，该钽(Ta)前驱体包括TaCl5；在该Ta基底上沉积锑(Te)前驱体，得到Te基底，该锑(Te)前驱体包括Te(C4H9)2；在该Te基底上沉积碲(Sb)前驱体，得到该钽-锑-碲相变材料，该碲(Sb)前驱体包括Sb[(CH3)2N]3；该沉积的方法为原子层沉积(ALD)。本发明提供的钽-锑-碲相变材料的沉积方法具有填充能力强、厚度精确可控和薄膜致密性好的特点。
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公开(公告)号：CN109728162B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811626077.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜包括：至少一层Ge‑Sb‑Te层；至少一层C层；至少一层界面层，界面层位于相邻的Ge‑Sb‑Te层与C层之间并与二者相接触，界面层的成分包括C掺杂的Ge‑Sb‑Te。本发明的界面层，通过诱导部分C原子扩散进入Ge‑Sb‑Te层纳米层并取代Ge‑Sb‑Te层中的部分的Ge、Sb、Te元素，从而在界面形成有序、稳定的C掺杂Ge‑Sb‑Te结构。此外，体系仍然具有超晶格体系特点，从而可以基于其有效的调控得到的相变薄膜材料的相变性能，相变薄膜体系可调控出两态或三态等的存储特性，本发明所提供的超晶格结构相变薄膜可应用于相变存储器中，具有结晶温度可调、晶态电阻以及多态存储等特点。
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公开(公告)号：CN108110026A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711385751.X
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法，所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(GexTe100‑x)100‑z(Al100‑yAsy)z，其中10≤x≤30，50≤y≤90，0≤z≤30。本发明提供的基于Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料的阈值开关器件单元，在外部能量的作用下，能够实现高电阻态到低电阻态的瞬时转变；撤去外部能量时，能够立即由低电阻态向高电阻态转变。并且，本发明的阈值开关器件单元具有阈值电压低、开关比大、开启速度快等优点，而且器件的寿命及可靠性都得到了提高。
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公开(公告)号：CN106299113A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610703472.2
申请日：2016-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供一种Ge-Sb-Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法，Ge-Sb-Se相变材料为包括锗、锑、硒三种元素的相变材料，Ge-Sb-Se相变材料的化学式为GexSbySez，其中，20≤x≤50，30≤y≤70，5≤z≤25，且x+y+z=100。本发明提供的Ge-Sb-Se系列相变材料可以通过调节三种元素的含量得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，且该体系相变材料相变前后电阻差值大，具有非常强的可调性，从而根据实际所需提供特定的性能。本发明所述的Ge-Sb-Se相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分。
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公开(公告)号：CN103855301B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210517155.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。
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