公开(公告)号：CN109686839A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810039151.6

申请日：2018-01-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 莫竣杰 ,  郭仕奇

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/16

摘要： 一种存储器单元包括：第一电极；包括一个水平部分和分别耦合至该水平部分的端部的两个垂直部分的电阻材料层；以及第二电极，其中第二电极由U形轮廓的顶部边界部分地围绕，并且第一电极沿着U形轮廓的底部边界的部分延伸。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108666418A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810393589.4

申请日：2018-04-27

申请人： 西南交通大学

发明人： 孙柏 ,  朱守辉 ,  毛双锁 ,  郑良 ,  夏钰东 ,  赵勇

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1608

摘要： 本发明公开了一种忆阻器件的制备方法，其步骤包括：将干燥的红薯皮用粉碎机粉碎，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；用掺杂氟的SnO2透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；将制备好的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；将干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银(Ag)作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。

公开(公告)号：CN108431979A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201780005073.1

申请日：2017-02-09

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： Y.田中 ,  Y.陈 ,  C.付 ,  C.佩蒂

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/249 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/78642 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： 描述了一种用于改善利用空位调制导电氧化物(VMCO)结构的非易失性存储器性能的系统和方法。VMCO结构可以包括非晶硅层(例如，Si阻挡层)和钛氧化物层(例如，TiO2切换层)。在一些情形下，与空位形成的丝状路径的收缩中的局部切换相反，VMCO结构或VMCO堆叠体可以跨越VMCO结构的区域使用批量切换或切换O离子移动。VMCO结构可以部分地或完全嵌入在存储器阵列的字线层内。

公开(公告)号：CN108417236A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810106369.9

申请日：2013-10-30

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 崔康植

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L29/66666 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： 提供了一种垂直型半导体器件及其制造和操作方法。垂直型半导体器件包括：柱体结构，其具有导电层和数据储存材料的层叠结构；栅电极，其被形成为包围所述柱体结构的所述数据储存材料；以及互连层，其与所述柱体结构电连接且被设置在所述柱体结构上。所述操作方法包括以下步骤：响应于初始化命令而将用于将数据储存材料改变成高电阻状态的电压施加至所述栅电极和所述互连层。

公开(公告)号：CN108389960A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810066767.2

申请日：2018-01-24

申请人： 北京航空航天大学

发明人： 周健 ,  刘宾 ,  孙志梅

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L45/1608

摘要： 本发明提供了一种钇掺杂碲化锑相变材料的制备方法。本发明中钇掺杂碲化锑相变材料YxSb2-xTe3的制备方法是：1)将原料Y(NO3)3·6H2O、SbCl3和TeO2溶解到稀氨水和无水乙醇的混合溶剂中，得到前驱液，其中Y(NO3)3·6H2O、SbCl3和TeO2的摩尔比为x:2-x:3(0≤x≤0.33)；2)将步骤1)所得的前驱液移入反应釜中，加入NaBH4，然后加热至160～200℃，保温18～24h后冷却至室温，之后分离出沉淀物；3)将步骤2)得到的沉淀物用去离子水和乙醇交替洗涤过滤后进行真空恒温干燥，得到钇掺杂碲化锑相变材料。本发明所涉及的制备方法具有原料便宜、工艺简单、设备成本低、安全无污染等特点，制备的相变材料粒度小、纯度高、元素分布均匀。

公开(公告)号：CN108305887A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810106383.9

申请日：2013-10-30

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 崔康植

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L21/336 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/22

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L29/66666 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： 一种垂直型半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，在柱体结构中层叠有导电层和数据储存材料；在包括柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；以及将栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘。或者，在每个柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层。所述方法还可包括：在包括栅电极材料的公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在柱体结构之间，将第二绝缘层平坦化以暴露出第一绝缘层的表面，以及去除第一绝缘层；以及将数据储存材料掩埋在去除了第一绝缘层的空间中。

公开(公告)号：CN104037188B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201310528766.2

申请日：2013-10-30

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 崔康植

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2454 ,  H01L29/66666 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683

摘要： 提供了一种垂直型半导体器件及其制造方法。所述垂直型半导体器件包括：柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构，并且形成在公共源极区上，以及栅极，所述栅极被形成为包围柱体结构的数据储存材料。

公开(公告)号：CN103514950B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310240843.4

申请日：2013-06-18

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 阪口智则 ,  寺井真之 ,  八高公一

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C13/0021 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

摘要： 本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。

公开(公告)号：CN107887393A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710837641.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄学理 ,  王宏烵 ,  翁烔城 ,  朱文定 ,  廖钰文 ,  沈桂弘 ,  杜国源 ,  黄胜煌

IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157

摘要： 本发明实施例涉及一种具有单一底部电极层的存储器装置。本揭露涉及一种制造存储器装置的方法。所述方法通过在衬底上方形成层间介电ILD层且在所述ILD层上方的介电保护层内形成开口而执行。在所述开口内和所述介电保护层上方形成底部电极层。对所述底部电极层执行化学机械平面化CMP工艺以形成底部电极结构，所述底部电极结构具有平面上表面和从所述底部电极结构的下表面向外突出到所述开口内的凸出部。在所述底部电极结构上方形成存储器元件且在所述存储器元件上方形成顶部电极。

公开(公告)号：CN104425716B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410340990.3

申请日：2014-07-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李伯浩 ,  邹宗成 ,  朱文定

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/1608 ,  H01L45/08 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1683

摘要： 本公开提供一种半导体结构，其包括导电层和导电层上方的电阻可配置结构。电阻可配置结构包括第一电极、第一电极上方的电阻可配置层以及电阻可配置层上方的第二电极。第一电极具有第一侧壁、第二侧壁以及导电层上的底面。第一侧壁和第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构。本公开还提供一种用于制造以上半导体结构的方法，包括：图案化导电层上的硬掩模；在硬掩模周围形成间隔件；去除硬掩模的至少一部分；在间隔件上形成共形电阻可配置层；以及在共形电阻可配置层上形成第二导电层。本公开还提供了一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法。