-
公开(公告)号：CN106098933B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610459395.0
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
-
公开(公告)号：CN108922960A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810680838.8
申请日：2018-06-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/143 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种Ge-Se-Sb复合材料、1S1R相变存储器单元及制备方法，其化学通式为GexSeySb100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足20
-
公开(公告)号：CN108886051A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021358.4
申请日：2017-03-17
申请人： 美光科技公司
发明人： P·凡蒂尼
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： H01L27/249 , G11C7/04 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/1293 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换，所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温，从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应，存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。
-
公开(公告)号：CN108231822A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711040240.4
申请日：2017-10-31
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/35 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/12
摘要： 一种可变电阻存储装置包括：第一电极线；单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及第二电极线，位于所述单元结构上，其中所述第一阻挡层位于以下中的至少一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面及所述可变电阻层的所述上表面与所述下表面二者，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。
-
-
公开(公告)号：CN107644934A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
-
公开(公告)号：CN107093612A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710085743.7
申请日：2017-02-17
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1683 , H01L27/224 , H01L21/82 , H01L27/228
摘要： 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面；在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线，每条第二导电线在第一方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
-
公开(公告)号：CN103238215B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180057866.0
申请日：2011-11-03
申请人： 美光科技公司
发明人： 刘峻
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C5/02 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 本发明揭示一种每单位单元包含五个存储器单元的非易失性存储器单元阵列。本发明还揭示一种包含五个存储器单元的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述五个存储器单元占据所述层中的个别层内的4F的连续水平面积。本发明还揭示一种包括多个单位单元的非易失性存储器单元阵列，所述多个单位单元个别地包括可编程材料的三个竖直区，所述三个竖直区包括所述单位单元的至少三个不同存储器单元的所述可编程材料。本发明还揭示一种包含连续体积的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述连续体积具有多个经垂直定向的存储器单元与多个经水平定向的存储器单元的组合。本发明揭示其它实施例及方面。
-
公开(公告)号：CN102142517B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201010595047.9
申请日：2010-12-17
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/128 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1625
摘要： 本发明公开了一种低热导率的多层相变材料，两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。
-
公开(公告)号：CN106374041A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610851411.0
申请日：2016-09-26
申请人： 江苏理工学院
CPC分类号： H01L45/145 , B82Y30/00 , H01L45/143 , H01L45/1625
摘要： 本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括Sb70Se30薄膜材料和SiO2薄膜材料，结构通式为[(Sb70Se30)(a)/(SiO2)(b)]n，其中：a表示单层Sb70Se30薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤10；b表示单层SiO2薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤5；n表示单层Sb70Se30薄膜和单层SiO2薄膜的交替周期数，并且n为任一正整数。本发明的Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
354 条记录 (耗时 0.024 秒)
