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公开(公告)号：CN113683398B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010421675.9
申请日：2020-05-18
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本申请公开了一种近红外荧光陶瓷块、制备方法及应用，所述荧光陶瓷块选自具有式Ⅰ所示化学通式的物质中的至少一种。该近红外荧光陶瓷块可被蓝光有效激发，发射效率极高，可作为远程荧光块体，用于大功率LED中获得高功率近红外LED光源。所述荧光陶瓷的制备方法具有成本低、工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN115197702A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110375676.9
申请日：2021-04-08
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本申请公开了一种氟化物盐近红外荧光粉及其制备方法和应用，所述近红外荧光粉的化学通式为Na3A1‑xCrxF6；其中，A选自Ga、Sc、In、Gd、Lu、Y中的至少一种；x表示摩尔分数，x的取值范围为：0.0001≤x≤0.2。制备上述近红外荧光粉，所用原料成本低，制备过程只需经过较低温度的水热合成反应即可，过程简单、获得的产品质量稳定可靠，非常利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111490148B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910077113.4
申请日：2019-01-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明提供一种多晶SnSe基热电材料的制备方法。该方法通过熔炼制备SnSe基多晶铸锭，在铸锭球磨过程中加入Te、Se、Pb、Br、Sn、Sb、Bi中的一种或者几种作为烧结助剂，得到粉体，将粉体热压烧结为块体。该方法能够促进晶粒的再结晶和定向重新排列，提高晶粒取向度，优化SnSe基热电材料的织构度，从而提高了SnSe基热电材料的热电性能，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115073176A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110274171.3
申请日：2021-03-15
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645 , H01L35/16 , H01L35/34
摘要： 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法，所述碲化铋基热电材料包括基体材料和掺杂在所述基体材料内的半导体材料；所述基体材料包括碲化铋；所述半导体材料为三元化合物半导体材料。本申请热电材料通过在基体材料中掺入三元化合物半导体材料并结合湿法高能球磨及真空热压烧结工艺，提升了功率因子，优化了电输运性能；形成多种缺陷中心，增强了声子散射，有效降低了碲化铋基热电材料晶格热导率，优化了热输运性能；同时提高了热电材料的各向同性和维氏硬度。
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公开(公告)号：CN111477736B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910067590.2
申请日：2019-01-24
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。本申请的碲化铋基热电材料，包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种，其中，M选自Ge、Mn、Cu中的至少一种；x的取值范围为：0.001≤x≤0.2；z的取值范围为：0.1≤z≤1。本申请的碲化铋基热电材料，制备工艺简单，仅需Ge、M、Cu元素掺杂即可提高机械性能，重复性较好，最终获得的热电性能也较为良好，可以很好地满足工厂生产高精密热电元器件的要求。
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公开(公告)号：CN114835495A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110138674.8
申请日：2021-02-01
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , H01L35/16 , H01L35/34
摘要： 本申请公开了一种择优取向的n型碲化铋烧结材料及其制备方法与应用，所述n型碲化铋烧结材料选自具有式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。所述择优取向的n型碲化铋烧结材料择优取向明显，且具有良好的电性能和热性能，具有良好的作为热电材料的应用。
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公开(公告)号：CN111302802B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201811511416.4
申请日：2018-12-11
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C04B35/505 , C04B35/50 , C04B35/622 , C09K11/79 , C09K11/80
摘要： 本发明涉及一种上转换发光陶瓷及其制备方法。具体地，本发明公开了一种通式为mA·(1‑x‑y‑z)Ln2O3·MO2·xPr·yBi·zRe的上转换发光陶瓷，其中，A、Ln、M、Re、m、x、y、z的定义如说明书中所述，所述发光陶瓷具有使用寿命长、紫外光转换效率高的特点。
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公开(公告)号：CN108588841B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810666112.9
申请日：2018-06-26
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本申请提供了一种Ag8SnSe6晶体生长方法，采用溶体生长法，将Ag8SnSe6籽晶与Ag8SnSe6多晶料，以及NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂装入坩埚中，抽真空后密封，有效避免了生长过程中Se挥发，提高了晶体的化学计量比准确性。本发明优选利用高热导率耐热钢作为基座支撑坩埚，可对结晶潜热进行有效传导从而有利于获得高完整性的Ag8SnSe6晶体。另外，本发明优化了晶体生长工艺，依次在850～950℃的高温区完成Ag8SnSe6原料融化并与籽晶接种，在700～850℃的中温区完成晶体生长直到熔体结晶完成，在450～700℃的低温区完成退火，有利于性能优异的Ag8SnSe6晶体的获得。
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公开(公告)号：CN112390647A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910740308.2
申请日：2019-08-12
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： C04B35/505 , C04B35/20 , C04B35/628 , C09K11/78 , C09K11/80 , C09K11/02
摘要： 本发明涉及一种紫外激发实现光谱拓展的核壳荧光陶瓷粉体及其制备方法。具体地，本发明公开了一种核壳荧光陶瓷粉体及其制备方法，所述粉体具有优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN109031385B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810588777.2
申请日：2014-04-25
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明公开了一种闪烁体阵列，包括基元载体和多个闪烁体基元，所述多个闪烁体基元呈阵列结构拼接在所述基元载体上；每个所述闪烁体基元包括基质和掺杂于所述基质中的激活离子，所述基质的材质为陶瓷。该闪烁体阵列由闪烁体基元和基元载体拼接而成，在制备时无需机械切割，简化了制备过程，降低了制备成本；并且，闪烁体基元和基元载体分开制备后进行拼接，无需一起成型，可实现不同材质的闪烁体基元与基元载体的拼接，得到性能更优异的闪烁体阵列。
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