公开(公告)号：CN105207664A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510580528.5

申请日：2015-09-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  刘鹏 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  赵彦晓

IPC: H03K19/094

Abstract: 本发明提供了三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感。第一电流源与第三负跨导放大器连接，并为第三负跨导放大器提供偏置电流，第二电流源与第一负跨导放大器连接，并为第一负跨导放大器提供偏置电流，第三电流源与第二负跨导放大器连接，并为第二负跨导放大器提供偏置电流。有源反馈电阻跨接在第一负跨导放大器与第三负跨导放大器之间，源极负反馈与第一负跨导放大器相连接。本发明实现大电感值和高Q值，采用源极负反馈，来扩展有源电感的带宽，采用有源反馈电阻，来进一步提高等效电感值和品质因子Q值。通过对三个电流源的控制电压和有源反馈电阻的控制电压的协同调节，实现有源电感的电感值和Q值的可调节。

公开(公告)号：CN104980125A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510393676.6

申请日：2015-07-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  陈吉添 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  邓蔷薇 ,  黄鑫 ,  赵彦晓 ,  刘亚泽 ,  刘硕 ,  金子超 ,  赵馨仪

IPC: H03H11/04

Abstract: 本发明提供了一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感。该电感包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源。其中负阻反馈晶体管连接负跨导放大器形成负阻结构，提高有源电感的Q值。共栅跨导放大器提高有源电感的带宽。负跨导放大器与两个正跨导放大器一起构成双回转器结构提高有源电感的等效电感和Q值。两个可调电阻网络用来调节等效电感和Q值。两个可调电流源提供电流偏置。该有源电感的电感值的频率带宽能达到10GHz以上，电感值能在5nH到60nH之间调谐，Q值能达到1000，且Q值大于20的频带能达到5个GHz。

公开(公告)号：CN104660185A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510051759.7

申请日：2015-02-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  陈鹏辉 ,  金冬月 ,  谢红云 ,  赵飞义 ,  邓蔷薇

IPC: H03F1/42

Abstract: 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。

公开(公告)号：CN104242830A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410484497.9

申请日：2014-09-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  邓蔷薇 ,  金冬月 ,  谢红云 ,  赵飞义

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/42 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供一种基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器，具有高增益且增益可调，小面积，低噪声等特点。该低噪声放大器包括并联反馈放大器，Cascode放大器，基于全差分浮地有源电感反馈的共源放大器和输出缓冲级。所述并联反馈放大器，采用电阻替代传统的螺旋电感来实现宽带输入阻抗匹配，减小了芯片的面积，并且这种结构增大了跨导，使跨导由原来的gmN或gmP变为gmN+gmP，降低了放大器的噪声。Cascode放大器和共源放大器级联组成了中间放大级，增大了整个放大器的增益。所述有源电感为全差分浮地有源电感，整个放大器只采用了一个有源电感，极大地减小了芯片的面积，并且通过调节其偏置电压可以改变电感值的大小，进而改变低噪声放大器的增益，实现增益的可调。

公开(公告)号：CN201508838U

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200920222559.3

申请日：2009-09-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  陈亮 ,  胡宁 ,  肖盈 ,  王任卿

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。