一键式变电站全站定值生成的方法及系统

    公开(公告)号:CN112464416A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011268286.3

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本公开提出了一键式变电站全站定值生成的方法及系统,全站定值生成的方法包括如下步骤:针对变电站建立变电站电网模型;按照变电站电网模型中的节点连接关系依次遍历变电站电网模型的设备;按照每个设备的定值计算公式逐级计算变电站电网模型中节点设备的定值,生成保护定值计算的过程与保护定值结果与时间;对定值结果进行校验。本公开以变电站为单位,搜索变电站内所有需要生成保护定值单的一次与二次设备,基于站内设备上下级保护配合关系,采用自动化搜索与智能化计算的方式,进行定值配合分析与保护定值计算。把单一的装置数据分析,改为全站的大数据分析,一次性出具变电站内所有设备保护定值,提高了工作效率与保护定值单的准确性。

    消除天线效应的方法
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110349951A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910670602.0

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种消除天线效应的方法,该消除天线效应的方法用于解决特定版图结构所引起的天线效应,所述特定版图结构由MOM电容和MOS管叠加而成,一个所述MOM电容与多个所述MOS管组成一个电容单元,所述MOM电容的正极与所述MOS管的栅极相连,并连接电源;所述MOM电容的负极与所述MOS管的源极以及漏极均相连,并与P型衬底相接触,所述消除天线效应的方法包括:获取天线效应安全范围内的所述电容单元的个数临界值N;将N个所述电容单元组成的阵列中的其中一个MOS管替换为反接的二极管。该消除天线效应的方法能够以最小的面积消耗为代价消除晶体管和金属电容叠加结构的芯片的天线效应。

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