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公开(公告)号：CN110263499B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201910670946.1
申请日：2019-07-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06K19/077
摘要： 本发明公开了一种射频标签芯片的版图结构，该版图结构包括：第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区，其中，第1版图区分别与第2‑8版图区电连接；第2版图区分别与第1和6版图区电连接；第3版图区分别与第1和6版图区电连接；第4版图区分别与第1和6版图区电连接；第5版图区分别与第1和6版图区电连接；第6版图区分别与第1‑5版图区以及第7‑8版图区电连接；第7版图区分别与第1和6版图区电连接；以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接，并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。
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公开(公告)号：CN108563590B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201810684179.5
申请日：2018-06-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要： 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。
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公开(公告)号：CN112596576B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011302615.1
申请日：2020-11-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括：电源模块，与电源端相连接，用于输出电流信号；以及误差放大模块，包括运算放大器，与所述电源模块相连接，用于对所述电流信号进行补偿，以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过本发明提供的技术方案，采用由运算放大器构成的误差放大模块对电信号进行补偿，可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压，且带隙基准电路的结构简单，可以适用于纯模拟电路领域中。
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公开(公告)号：CN112462834B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011163154.4
申请日：2020-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种用于快速唤醒芯片的电流偏置电路，属于集成电路技术领域。所述电流偏置电路包括偏置电流产生电路、低精度偏置电流产生电路以及电流输出支路，还包括附加开关电路；所述附加开关电路设置于所述偏置电流产生电路与所述电流输出支路之间，用于在所述电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低所述电流输出支路的工作点的电位，以快速打开所述电流输出支路输出所述偏置电流产生电路产生的偏置电流。本发明通过附加开关电路在电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低电流输出支路的工作点的电位，从而快速打开电流输出支路将偏置电流输出，从而快速启动芯片中的各种关键电路以快速唤醒芯片，解决了芯片唤醒时间长的问题。
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公开(公告)号：CN110554855B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201910859035.3
申请日：2019-09-11
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F7/58
摘要： 本发明公开了一种真随机数发生器，该真随机数发生器包括低频时钟单元，所述低频时钟单元具有慢振荡器，该慢振荡器包括：跨阻放大器、迟滞比较器、电荷泵、跨导放大器、第一电容以及电压缓冲器。跨阻放大器包括：运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻。该真随机数发生器的jitter值在低频时钟输出频率确定的情况下只与跨阻放大器的噪声电阻、噪声带宽、噪声电压增益这三个参数相关，在噪声电阻和噪声带宽在比较小的情况下，通过增大噪声电压增益得到比较大的噪声电压标准差，即可以设计出比较大的低频时钟jitter，增大随机数的性能，并且可以减少电路的功耗和面积。
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公开(公告)号：CN110267267A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910688083.0
申请日：2019-07-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于非公开加密算法的mesh网络加密方案，其使用网络秘钥和应用秘钥两级秘钥对数据进行加解密，所述网络秘钥采用AES算法在网络层上对数据进行加解密，所述应用秘钥采用AES算法和非公开加密算法两种加解密算法在上传输层对数据进行加解密。该基于非公开加密算法的mesh网络加密方案为了保证Mesh网络的通用性和覆盖范围，其网络层的网络秘钥的加解密维持传统的方式不变，而在上传输层的应用秘钥则需要支持AES-CCM、非公开加密算法两种加解密算法，进而在mesh两层加密中引入非公开加密算法对核心的应用数据进行进一步的保护，由于非公开加密算法不公开，通常仅以IP的形式存在于芯片中，所以保密效果要好于AES算法。
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公开(公告)号：CN112668273B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011299820.7
申请日：2020-11-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F30/392 , G06F115/02
摘要： 本发明涉及芯片设计技术领域，提供一种芯片IO布局的方法及装置、SOC芯片。所述方法包括：根据输入文件确定芯片的尺寸和用于放置所述芯片的IO引脚的预留位置；从所述输入文件获取所述IO引脚的目录，将所述IO引脚的目录导入脚本程序；通过执行所述脚本程序将所述IO引脚的图形按所述目录中的顺序布局到所述预留位置。本发明通过从输入文件获取芯片的IO引脚的目录将其导入脚本程序，通过执行脚本程序将IO引脚的图形按顺序布局到芯片的预留位置，可快速实现芯片IO的版图布局，无需手动对IO排序摆放，节约时间，提高IO版图布局的效率。
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公开(公告)号：CN112486242B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202011230892.6
申请日：2020-11-06
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路，包括：零温度系数电压生成模块，用于生成零温度系数电压；可调温度系数电流生成模块，包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6，用于在所述零温度系数电压稳定的情况下，通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和，得到可调温度系数的参考电流，所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到。本发明实施例在保证基准源中零温度系数电压特性稳定的前提下，实现基准源中电流温度系数的调节。
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公开(公告)号：CN112578841A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011306895.3
申请日：2020-11-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05F1/575
摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括：电源模块，与电源端相连接，用于输出电流信号；以及误差放大模块，包括两级运算放大电路，与所述电源模块相连接，用于对所述电流信号进行补偿，以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过上述技术方案，采用由两级运算放大电路构成的误差放大模块对电信号进行补偿，可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压，且带隙基准电路的结构简单，还可以适用于纯模拟电路领域中。
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公开(公告)号：CN112383307A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011212875.X
申请日：2020-11-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于数据处理的模数转换装置的校准方法，所述模数转换装置为逐次逼近模数转换装置，该方法包括：步骤一：检测模数转换装置的输出信号，获得所述输出信号的DNL值；步骤二：判断所述DNL值是否满足预设条件；步骤三：若所述DNL值不满足所述预设条件，根据所述DNL值调整可调电容的电容值；其中，所述可调电容的一端与所述电容阵列连接，另一端接地；循环执行步骤一至步骤三，直至所述DNL值满足所述预设条件。本发明提供的技术方案，能够在不改变现有的电容阵列的布局的情况下对逐次逼近模数转换装置进行精确、有效地校准，从而提高逐次逼近模数转换装置在正常工作时输出信号的精度。
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