使用了微透镜阵列的扫描曝光装置

    公开(公告)号:CN103052917A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201180040182.X

    申请日:2011-07-22

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 本发明提供一种使用了微透镜阵列的扫描曝光装置,即使起因于曝光装置特性和温度条件等制造条件的变动而使得被曝光基板的大小产生变动,也能够使掩模图案的像对准规定位置。在扫描曝光装置中,多个微透镜阵列2在要曝光的基板1的上方排列在与扫描方向垂直的方向上并被支承基板支承。而且,各微透镜阵列以能够相对于其排列方向从平行于曝光基板的方向倾斜的方式被支承基板支承。这些微透镜阵列的倾斜角度构成为关于上述排列方向逐渐变大或变小。

    取向处理方法及取向处理装置

    公开(公告)号:CN102906635A

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201180020598.5

    申请日:2011-04-15

    Abstract: 本发明提供一种取向处理方法及取向处理装置,其使涂敷了取向膜的基板与具有第一掩模图案组(6A)和第二掩模图案组(6B)的光掩模(7)靠近对置,将该基板(4)在与所述第一及第二掩模图案组(6A)、(6B)交叉的方向上移动,第一掩模图案组(6A)以一定的排列间距形成细长状的多个开口,第二掩模图案组(6B)与该第一掩模图案组(6A)平行地设置且以与所述多个开口的排列间距相同的间距形成细长状的多个开口,对所述光掩模(7)的第一及第二掩模图案组(6A)、(6B)分别照射入射角度(θ)为不同的P偏振光,在所述取向膜上交替地形成取向状态不同的条纹状的第一及第二取向区域。由此,通过一次取向处理来形成取向状态不同的二种条纹状的取向区域并缩短取向处理工序的节拍。

    滴涂器及缺陷修正方法
    93.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101010146A

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200580029322.8

    申请日:2005-08-26

    CPC classification number: G02F1/133516 B05C5/02 B05D1/26 B05D3/067 B05D5/005

    Abstract: 本发明提供一种滴涂器,具有:将用于修正滤色器基板的缺陷部的彩色紫外线硬化树脂(4)予以收容的容器(1);安装在该容器(1)的顶端、使所述彩色紫外线硬化树脂(4)排出到所述缺陷部上的排出针(2);以及将正压赋予所述容器(1)内的彩色紫外线硬化树脂(4)并使该彩色紫外线硬化树脂(4)从所述排出针(2)排出的排出控制装置(3),所述排出针(2)的结构是,将加热软化后的玻璃管拉长而将针尖形成为比针本体部细的形状。由此,可将排出材料充填在排出对象物的微小缺陷部上,从而修正该缺陷部。

    激光修复方法、激光修复装置

    公开(公告)号:CN114096368B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202080050119.3

    申请日:2020-05-27

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 本发明提供一种激光修复方法、激光修复装置。即使存在基底层不同或膜厚偏差的情况下,也能够进行高质量的修复。激光修复方法对多层膜基板的缺陷部设定激光照射范围,在所设定的激光加工条件下对所述缺陷部照射激光束来进行修复加工时,确定激光束照射位置的周边区域,按每个共同的反射光信息将所确定的周边区域划分成多个区分区域,根据位于激光束照射位置周围的区分区域的配置图案,类推激光束照射位置的层结构,根据所类推的层结构,设定照射的激光束的激光加工条件。

    聚焦离子束装置
    95.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117223083A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202280031637.X

    申请日:2022-02-25

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 聚光透镜对离子束进行加工,以使其成为平行射束形状,在聚光透镜与物镜之间具备电动光圈,该电动光圈改变由聚光透镜加工后的离子束的通过面积来控制射束直径,具备多个射束遮挡板单元,该射束遮挡板单元由一对射束遮挡板构成,该一对射束遮挡板以从两侧夹着通过了聚光透镜的离子束的方式对置且能够沿着与离子束的光轴呈直角的方向进行移动,多个射束遮挡板单元包围离子束且设定离子束的通过离子束直径,多个射束遮挡板单元沿着离子束的光轴方向彼此偏置。

    加工装置
    96.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115461834A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202180030902.8

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 加工装置具备:差动排气装置,其在头部中的与被处理基板对置的面形成有多个环状槽,该多个环状槽围绕所述头部的中心,在比所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽靠内侧的区域设置有开口部,该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间,在多个所述环状槽中的至少一个所述环状槽连结真空泵,在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下,通过来自所述环状槽的吸气作用将所述处理用空间设为高真空度;以及聚焦离子束柱状体,其具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒,在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统而使聚焦离子束穿过所述开口部内而射出,在最内侧的所述环状槽连结原料气体供给部,从该环状槽朝向所述被处理面喷出原料气体而能够使原料气体沿着该被处理面向所述处理用空间移动。

    缺陷部识别装置及缺陷部识别方法

    公开(公告)号:CN114270179A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202080058129.1

    申请日:2020-06-22

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 本发明能够机械识别多层膜基板中的缺陷部的状态,且能够进行不受操作者的技能影响的修正加工。缺陷部识别装置具备:显微镜,对多层膜基板的表面照射白色落射光,而在表面获得识别缺陷部的单位区域的放大像;光谱分光摄像机,具有成像放大像的摄像面,且按摄像面的每个像素输出放大像的分光光谱信息;及信息处理部,处理从光谱分光摄像机输出的分光光谱信息,信息处理部具备:机械学习部,对每个像素的分光光谱信息进行聚类处理;及缺陷识别部,根据机械学习部的处理结果来识别缺陷部,机械学习部根据单位区域内所存在的层结构来设定集群,并生成将聚类于集群的像素数作为频数的直方图,缺陷识别部将所生成的直方图的频数分布与不存在缺陷的直方图的频数分布进行比较,并通过具有频数差的集群的存在来识别缺陷部。

    显微镜图像测定装置及显微镜图像测定方法

    公开(公告)号:CN114270134A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202080058120.0

    申请日:2020-06-22

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 本发明在显微镜图像测定中,在进行具有超过焦点深度的阶梯差的测定对象物的测定、沿显微镜的光轴方向而不同的位置的图案比较等时,能够进行高精度的测定。显微镜图像测定装置具备:显微镜,对测定对象物的表面照射白色落射光来获得表面的放大像;分光摄像机,获得放大像的分光图像;及图像处理部,按每个波长提取分光图像来进行图像测定处理,显微镜将按每个波长而不同的焦点位置的像成像于分光摄像机的摄像面,图像处理部提取测定部位的对比度最高的波长的分光图像来进行边缘检测。

    激光修复方法、激光修复装置

    公开(公告)号:CN113966527A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202080042211.5

    申请日:2020-05-27

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 本发明提供一种激光修复方法、激光修复装置。能够使激光修复自动化,以实现改善作业效率,不受操作者技能的影响就可获得一定的修复品质。激光修复方法具有:修复工序,对多层膜基板的缺陷部设定激光照射范围,且在所设定的激光加工条件下对缺陷部照射激光束来进行修复加工,修复工序中,获取缺陷部的分光光谱数据,并根据分光光谱数据,通过完成学习的类神经网路设定照射在缺陷部的激光束的激光加工条件,类神经网路将包括多层膜结构数据、每个多层膜结构的分光光谱数据及每个多层膜结构的激光加工实验数据的实测数据作为学习数据进行机器学习。

    激光退火装置
    100.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113056809A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201980076630.8

    申请日:2019-11-27

    Inventor: 水村通伸

    Abstract: 提供一种激光退火装置,其对非晶硅膜的要进行改性的改性预定区域照射激光来使所述改性预定区域生长为晶化硅膜以进行改性,其中,所述激光退火装置具备:第一照射部,其对所述非晶硅膜进行用于形成籽晶区域的第一激光的照射;以及第二照射部,其进行第二激光的照射,在所述第二激光的照射中,使向所述非晶硅膜的表面照射的激光的光束点以所述籽晶区域为起点而以包罗所述改性预定区域内的方式移动,从而使所述改性预定区域内的所述非晶硅膜改性成为所述晶化硅膜。

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