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公开(公告)号：CN102336570A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110178303.9
申请日：2011-06-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及半透明的Ca2+离子掺杂SiAlON复相陶瓷材料的制备方法及其产品，该方法包括如下步骤：根据通式Cam/2Si12-m-nAlm+nOnN16-n，其中0.8≤m≤1.6，1.0≤n≤2.0的化学计量比选取α-Si3N4、AlN、α-Al2O3和CaCO3，混合，得到混合物A，然后加入混合物B，混合，所述的混合物B为AlN和α-Si3N4的混合物，其中：混合物B的重量为混合物A重量的10~40wt%，混合物B中α-Si3N4与AlN的重量比为0~5∶1；球磨干燥，过100目筛，采用热压烧结或放电等离子烧结法烧结，得到烧结体；切割、研磨、抛光至镜面，得到半透明的Ca2+离子掺杂SiAlON复相陶瓷材料。其可采用热放电等离子烧结，亦可采用热压烧结，烧结工艺简单，可重复性强，适用广泛，烧结温度低，制备的致密半透明Ca2+稳定SiAlON复相陶瓷材料具有优良的红外透过性能与断裂韧性。
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公开(公告)号：CN102249685A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110125526.9
申请日：2011-05-16
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种制备LiAlON透明陶瓷粉末的方法，其包括如下步骤：1）按一定比例将α-氧化铝粉末、氮化铝粉末和含锂化合物粉末混合，得到混合粉料；将混合粉料分散于无水乙醇中，球磨不少于24小时，得浆料；2）将步骤1）的浆料干燥，得混合物；3）将干燥后的混合物置于坩埚中，坩埚置于石墨反应器中，对石墨反应器直接施加大电流，以100℃-400℃/min的升温速度加热到1400℃-1800℃，保温时间为0-30min，自然冷却后，得LiAlON透明陶瓷粉末。该方法具有工艺过程简单、合成速度快、制备效率高等特点，得到的LiAlON陶瓷粉末纯度高（≥98wt%）、粒径均匀细小（平均粒径≤700nm），且非常适合制备透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN101486577A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910060850.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米二硼化锆陶瓷粉末的制备方法。一种纳米二硼化锆陶瓷粉末的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)原料选取：按可溶性锆盐中Zr与非晶硼粉的摩尔比为1∶3～1∶5，选取；2)采用下述二种方法之一：a)共沉淀法成胶，得到干凝胶；b)溶胶-凝胶法成胶，形成干凝胶；3)前驱体粉末制备；4)快速合成：置入大电流反应合成装置中，石墨反应器内为真空或惰性气体保护；对石墨反应器直接施加大电流，以50～500℃/min的升温速度快速加热到800～ 1500℃，保温时间为0～60分钟，得粉末样品；5)化学处理；获得纳米二硼化锆陶瓷粉末。该方法具有合成速度快、效率高的特点，所得到的纳米二硼化锆陶瓷粉末纯度高(≥95％)、粒径均匀细小(平均粒径≤300nm)。
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公开(公告)号：CN101462882A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910060613.3
申请日：2009-01-21
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/63
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管增强陶瓷的制备方法。一种制备碳纳米管增强陶瓷的超快烧结方法，其特征在于它包括如下步骤：用固体燃烧反应物料将待烧结物料原坯包裹起来；点燃该反应物料，反应物料发生高温燃烧反应；高温反应的热量传给待烧结物料原坯，使待烧结物料原坯快速升致高温；对高温待烧结物料原坯施加机械压力，获得致密碳纳米管增强陶瓷。该方法可以为陶瓷烧结提供超快升温速度(1600－2900℃/min)，最高温度为1450℃－2620℃，且陶瓷烧结可以在极短时间内完成(1－2min)，有效的避免了碳纳米管的破坏；同时在高温下施加的较高的机械压力(100－500MPa)有利于碳纳米管和陶瓷基体间良好界面结合的形成，因此陶瓷材料断裂韧性得到有效提高。
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公开(公告)号：CN101265107A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810047410.6
申请日：2008-04-22
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/583 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于复相陶瓷材料领域。一种用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)按TiB2∶BN∶Ti∶Si∶TiC的摩尔比为(0.50～1.02)∶(0.81～2.02)∶(0.10～0.26)∶(0.10～0.26)∶(0.20～0.52)，选取TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉，备用；2)将TiB2粉、BN粉、Ti粉、Si粉和TiC粉均匀混合，置于石墨模具中，在氩气环境中采用感应热压或通电热压进行烧结，然后随炉冷却，得到用于导电坩埚的多元复相陶瓷材料。本发明获得电阻率均匀、抗热震性好、耐金属熔蚀性好的多元复相陶瓷材，提高复相陶瓷坩埚的使用寿命；同时，生产过程成本低。该多元复相陶瓷材料用于制备导电坩埚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1317229C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510019276.5
申请日：2005-08-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/582 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种半透明氮化物陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化物复相陶瓷的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)选取原料：按质量百分比为：AlN粉50～70、α-Si3N4粉20～40、Y2O3粉3～10和Al2O3粉0～10选取；2)将AlN粉、α-Si3N4粉、Y2O3粉和Al2O3粉在行星式球磨机上球磨混料6～12小时；3)真空下干燥；4)然后放入脉冲电流烧结炉中，施加20～30MPa的轴向压力，在N2气氛下进行烧结，N2气压力为0.01～0.1MPa，升温速度50～300℃/min；5)经过切割、研磨、抛光至镜面后，即为半透明氮化物复相陶瓷。本发明制备方法得到的半透明氮化物复相陶瓷最低相对密度大于97.5%，平均相对密度接近理论密度，晶粒均匀细小，以等轴AlN和α-Si3N4相为主，红外透过率为30%～55%。
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公开(公告)号：CN1736949A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510019276.5
申请日：2005-08-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/582 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种半透明氮化物陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化物复相陶瓷的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)选取原料：按质量百分比为：AlN粉50～70、α－Si3N4粉20～40、Y2O3粉3～10，Al2O3粉0～10选取；2)将AlN粉、α－Si3N4粉、Y2O3粉、Al2O3粉在行星式球磨机上球磨混料6～12小时；3)真空下干燥；4)然后放入脉冲电流烧结炉中，施加20～30MPa的轴向压力，在N2气氛下进行烧结，N2气压力为0.01～0.1MPa，升温速度50～300℃/min；5)经过切割、研磨、抛光至镜面后，即为半透明氮化物复相陶瓷。本发明制备方法得到的半透明氮化物复相陶瓷最低相对密度大于97.5％，平均相对密度接近理论密度，晶粒均匀细小，以等轴AlN和α－Si3N4相为主，红外透过率为30％～55％。
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公开(公告)号：CN1358690A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01133505.X
申请日：2001-09-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有耐高温、耐腐蚀、抗热冲击的导电陶瓷材料,其成分由导电相TiB2(40－58wt%),非导电相BN(42－60wt%),添加剂AlN(0～10wt%)和SiC(0～5wt%)复合构成,采用感应热压烧结或通电加压烧结方法在1700℃～2000℃之间烧结而成。这种导电陶瓷复合材料的主要原料TiB2由燃烧还原合成方法制备(专利申请号:01128497.8),这种TiB2陶瓷原料具有较高的烧结活性,可大大降低烧结温度。本发明涉及的导电陶瓷复合材料可制成陶瓷坩埚,用于各种材料和部件的表面金属化,具有电阻率稳定,使用寿命长的特点。
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公开(公告)号：CN116102353B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310049416.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于高放射性废物固化体烧结技术领域，具体提供了一种极细纳米A2B2O7结构高熵陶瓷及其制备方法，其中制备方法包括：用燃烧法制备纳米A2B2O7结构高熵陶瓷粉体；对粉体球磨后进行预压，获得生坯；将生坯装配在超高压烧结模具中形成装配体结构；将装配体结构放入烧结炉内烧结，获得所需要的高熵A2B2O7结构高熵块材。该方案可以将A2B2O7结构高熵块材的晶粒尺寸控制在100纳米直到数十纳米以下，将对高放废物固化研究，尤其锕系元素固化处理具有巨大帮助，对核能事业的发展也将形成有力支撑。
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公开(公告)号：CN112159211B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202011068941.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种高致密度、高硬度、亚毫米级氧化铝陶瓷球的制备方法，采用市售的亚微米级氧化铝粉体为原料，通过在粉料中喷洒去离子水来调节其中的水分含量；将原料粉体置于振动过筛机的筛网中，通过对粉体进行高频振动的同时利用筛网对粉料进行筛分，在高频振动的过程中，托盘中氧化铝坯体小球不断被振动压实，当其体积增大至所需球径时，把托盘中氧化铝坯体小球取出，进行高温空气气氛下无压烧结，烧结所得氧化铝陶瓷球再放置于热等静压炉中进行高温压力后处理，最终得到高致密度、高硬度、亚毫米级氧化铝陶瓷球。通过该方法得到的氧化铝
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